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MNOS存贮管存贮栅的工艺控制技术
被引量：
2
1
作者
张新
邢昆山
+1 位作者
王爵树
杨维成
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期49-53,共5页
介绍一种军用专用集成电路的核心器件──ＭＮＯＳ管。存贮栅是该存贮管的制作关键，存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复合膜中较难制作的薄二氧化硅即薄栅（２．１５±０．１５ｎｍ）的工艺控制。
关键词
MNOS管
薄栅
工艺
控制
二氧化硅
在线阅读
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职称材料
题名
MNOS存贮管存贮栅的工艺控制技术
被引量：
2
1
作者
张新
邢昆山
王爵树
杨维成
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期49-53,共5页
文摘
介绍一种军用专用集成电路的核心器件──ＭＮＯＳ管。存贮栅是该存贮管的制作关键，存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复合膜中较难制作的薄二氧化硅即薄栅（２．１５±０．１５ｎｍ）的工艺控制。
关键词
MNOS管
薄栅
工艺
控制
二氧化硅
分类号
TN386.403 [电子电信—物理电子学]
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作者
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被引量
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1
MNOS存贮管存贮栅的工艺控制技术
张新
邢昆山
王爵树
杨维成
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995
2
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