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LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析 被引量：3
1
作者 唐本奇 罗晋生 +1 位作者 耿斌 李国政 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期776-779,共4页
本文提出了一种新型的内置ＦＲ／ＪＴＥ横向ＤＭＯＳ结构，并对其进行了耐压分析，结果表明，该结构具有与ＲＥＳＵＲＦ器件相媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结构，其耐压高且导通电阻低。
关键词 LDMOS晶体管 结构 LDMOST 耐压分析
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高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型 被引量：2
2
作者 刘光廷 《电子器件》 CAS 1995年第2期65-75,共11页
对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再运用。因此，本文对新的设计手段──计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模... 对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再运用。因此，本文对新的设计手段──计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模拟的物理模型。然后讨论了离散化的形式，并分析了所得大型稀疏线性方程组的迭代收敛性及稳定性。文中还提出了对于耗尽层分布及场限环浮置电位的一种新的处理方法──多重迭代法，从而克服了以往处理方法中数值不稳定的问题。最后利用上述物理模型所编写的终端结构模拟程序进行了各种情况下的模拟计算和讨论，并同实验结果进行了比较，二者所得数据相当吻合。 展开更多
关键词 高压 功率MOS器件 终端 结构 物理 模型
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抗辐射能力为兆拉德(硅)的CMOS/SIMOX器件
3
作者 T.Ohno 王界平 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第1期33-35,共3页
采用SIMOX和新研制的横向隔离结构作出了抗核辐射的CMOS/SIMOX器件,这些器件经2兆拉德(硅)γ射线辐射后,仍具有充分的工作性能。
关键词 CMOS/SIMOX 抗辐射 半导体器件
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