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VDMOS均匀掺杂外延区优化设计的简单理论 被引量：2
1
作者 何进 陈星弼 王新 《电子器件》 CAS 1999年第3期143-148,共6页
在高压ＶＤＭＯＳ器件中，保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主要方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ，Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿... 在高压ＶＤＭＯＳ器件中，保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主要方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ，Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普适关系。在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时优化设计的简单理论：对于各种高压ＶＤＭＯＳ，只要外延区厚度取为同衬底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度，即利用系数η０＝ ０．７５，就可保证外延区Ｒｏｎ 为最小。凭借此理论，可以用熟知的突变结击穿参数计算ＶＤＭＯＳ外延区优化参数，而且结果与其它文献的理论计算相吻合，二者相差不大于３％ 。这一理论结果可直接作为功率ＭＯＳ等非电导调制器件的设计准则。 展开更多
关键词 VDMOS 外延区优化 掺杂 场效应晶体管 设计
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Ka波段功率PHEMT的设计与研制 被引量：1
2
作者 郑雪帆 陈效建 +1 位作者 高建峰 王军贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期266-273,共8页
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ... 报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输出功率大于２８０ ｍ Ｗ，功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ，增益大于６ ｄＢ。 展开更多
关键词 场效应晶体管 PHEMT 异质结 毫米波 设计
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大功率GaAs FET封装管壳的设计
3
作者 袁国强 《电子机械工程》 1994年第3期28-36,共9页
本文建立了GaAsFET封装管亮的微波模型。介绍了管壳等效电路模型参数的提取技术和管壳设计中的关键技术。
关键词 大功率 砷化镓 FET 封装 管壳 设计
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一类形如⊿u=(f)ug(u)的迭代解法
4
作者 吴克田 《计算机应用与软件》 CSCD 1991年第6期45-48,28,共5页
本文提出形如⊿u=f(u)g(u)的迭代解法,方法是有效的。其中f(u)对u 二阶可导且易求得形式简单的一阶导数。g(u)对u 只一阶可导,其一阶导数不易求得,或其一阶导数形式极其复杂。本文还给出了一个具体应用实例。
关键词 迭代解法 场效应晶体管 电势
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PFWM120的设计与可靠性研究
5
作者 王世明 吴又生 邓柱兵 《光通信研究》 北大核心 1999年第5期50-54,共5页
本文介绍为朗讯ＯＴＵＬ－ １４０ 系统设计的一种高性能、高可靠性的１４０ Ｍｂｉｔ／ｓ ＰＩＮ－ ＦＥＴ组件的设计以及对组件进行严格的可靠性试验。试验表明，该组件具有无需调试，灵敏度好，性能稳定，适于量产等优点。
关键词 PIN-FET组件 可靠性 PFWM120 设计 场效应器件
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场效应管设计
6
作者 郭晓丽 张宝才 马瑞芬 《山东电子》 1998年第4期28-29,共2页
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
关键词 场效应管 阈电压 输入阻抗 击穿电压 设计
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