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微波GaAs　FET功率放大器的一种建模与互调计算方法
1
作者 甘仲民 李平辉 屈德新 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期72-76,66,共6页
本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模的方法．此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音（射频）激励下进行测量或理... 本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模的方法．此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音（射频）激励下进行测量或理论分析的麻烦．结果表明，理论与实验甚为一致． 展开更多
关键词 微波 场效应晶体管 功率放大器 互调计算
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微波功率FET的大信号定模
2
作者 沈灿 董恒 张祖舜 《电子工程师》 1999年第4期24-26,共3页
叙述了一种新的功率ＦＥＴ定模方法，它利用大功率谐波测量与优化计算相结合，具有简单、方便、准确的优点。给出了实际测量结果。
关键词 微波场效应管 微波器件 谐波平衡法 FET
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自升温效应下的GaAs　MESFET大信号模型
3
作者 王静 邓先灿 《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第1期63-67,共5页
本文首先分析GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于GaAsMESFET功率MMICCAD中能进一... 本文首先分析GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于GaAsMESFET功率MMICCAD中能进一步提高电路的设计精度。 展开更多
关键词 大信号模型 自升温效应 微波半导体器件
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微波控制电路的微组装组件研制
4
作者 张红民 刘建更 《半导体情报》 1999年第4期56-58,共3页
提出了微组装电路组件在微波功放控制电路中的应用， 介绍了微组装电路组件的散热措施。
关键词 设计 微波控制电路 SMT 微组装组件
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PIN二极管开关在微波控制电路中的应用
5
作者 王华 《长岭技术》 2005年第3期19-20,共2页
本文主要介绍了PIN二极管开关的原理和特性，并在实际中得到了应用。
关键词 PIN管 开关 单刀双掷 插入损耗 隔离度
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