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微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟 被引量：1
1
作者 袁泽亮 范垂祯 《真空与低温》 1994年第3期156-161,共6页
根据微波功率ＧａＡｓ功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型，用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素：功耗、芯片周围环境温度、ＧａＡｓ材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。
关键词 微波 GAAS FET 场效应晶体管 稳态温度场
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微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅰ．直流烧毁
2
作者 袁泽亮 范垂祯 《真空与低温》 1994年第3期128-132,共5页
用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在测试中的直流烧毁进行了分析研究，探讨了直流烧毁机理及物理过程。
关键词 直流烧毁 微波 GAAS 半导体器件 场效应晶体管
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