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铁电薄膜电滞回线测量研究 被引量:10
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作者 曾亦可 刘梅冬 +1 位作者 王培英 饶韫华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期600-603,共4页
在总结铁电材料测量理论基础上,运用相量的概念从理论上导出了铁电薄膜的线性感应电容和漏导对测量电滞回线所产生的影响。根据铁电薄膜的特性与实测结果分析了电极和测试信号的频率对测量的影响,提出了在测试过程中对铁电薄膜制备微... 在总结铁电材料测量理论基础上,运用相量的概念从理论上导出了铁电薄膜的线性感应电容和漏导对测量电滞回线所产生的影响。根据铁电薄膜的特性与实测结果分析了电极和测试信号的频率对测量的影响,提出了在测试过程中对铁电薄膜制备微电极和适当提高测试信号频率的优越性。 展开更多
关键词 铁电薄膜 电滞回线 相量 微电极 Cxi效应
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智能桁架结构振动控制中压电主动构件的研究:(一)压电主动构件设计 被引量:19
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作者 李俊宝 吕刚 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期89-94,共6页
基于压电材料的压电作动效应,设计了一种可用于智能桁架结构振动控制的直线式压电主动构件,讨论了设计理论、参数选取及其对压电主动构件性能带来的影响。
关键词 压电材料 压电主动构件 智能桁架结构 压电器件
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Pt/PZT/Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应 被引量:2
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作者 高剑侠 郑立荣 +2 位作者 王连卫 林成鲁 朱德彰 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1998年第4期286-290,共5页
研究了γ辐照积累剂量对PZT铁电电容的电滞回线和CV特性的影响,结果表明,在积累剂量辐照过程中,由于辐照感生缺陷的影响,剩余极化和矫顽场增加,介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论,提出了剩余极化随积累... 研究了γ辐照积累剂量对PZT铁电电容的电滞回线和CV特性的影响,结果表明,在积累剂量辐照过程中,由于辐照感生缺陷的影响,剩余极化和矫顽场增加,介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论,提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。 展开更多
关键词 铁电 辐照 剩余极化 介电常数 矫顽场
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PYZT铁电薄膜的制备及特性研究
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作者 王培英 余大年 +3 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 李楚容 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期606-608,共3页
用sol-gel方法制备了掺Y的PZT铁电薄膜,研究了PYZT溶胶的成胶机理。探讨了Y掺入量对PYZT铁电薄膜的结构、介电、铁电、漏电流和疲劳特性的影响。
关键词 SOL-GEL 掺杂 疲劳 漏电流 铁电薄膜
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具有超高压电电压常数的镧掺杂0.55Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-0.45PbTiO_3陶瓷材料
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作者 刘宏 王矜奉 +2 位作者 王继扬 李兆富 董火民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期629-631,664,共4页
研究了不同镧掺杂量与Pb(1-x)Lax(Sc1/2Ta1/2)0.55Ti0.45O3(x=0,x=0.005,x=0.01,x=0.02,x=0.03)陶瓷材料居里温度、压电常数及压电电压常数之间的关系以及高温热处理对材料性能的影响。研究表明材料的居里温度... 研究了不同镧掺杂量与Pb(1-x)Lax(Sc1/2Ta1/2)0.55Ti0.45O3(x=0,x=0.005,x=0.01,x=0.02,x=0.03)陶瓷材料居里温度、压电常数及压电电压常数之间的关系以及高温热处理对材料性能的影响。研究表明材料的居里温度随镧添加量的提高按26℃/1atm%的幅度下降,只是在x=0.005处出现异常现象,即该组份的材料的居里温度与x=0处相比稍有提高;材料的压电常数d33和压电电压常数g33随镧掺杂量的变化呈一定的规律性,即在掺杂量较低时,随镧掺杂量的提高而提高,但当达到一个峰值后开始降低;高温热处理(900℃8h)使得材料的居里温度提高(提高幅度大约为15℃),并且能明显改善材料的压电性能,这种现象是材料结构由无序向有序转变的结果。绝热处理的陶瓷材料其压电常数最大达d33=533×10-12C/N,最大压电电压常g33=63.1mV·m/N。 展开更多
关键词 钽钪钛酸铅镧 陶瓷 压电常数 压电电压常数
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人工合成水晶高压釜温度场研究
6
作者 刘中兴 张捷宇 贺友多 《包头钢铁学院学报》 1993年第4期13-18,共6页
用数学模型研究了高压釜内溶液的流动和温度场分布,用热电偶在生产现场测定了高压釜的外表面温度,分析了高压釜内流体的流动和温度分布对水晶生长过程的影响。结果表明,高压釜的温度分布是由下向上逐渐降低的,溶解区外部温度高于内部温... 用数学模型研究了高压釜内溶液的流动和温度场分布,用热电偶在生产现场测定了高压釜的外表面温度,分析了高压釜内流体的流动和温度分布对水晶生长过程的影响。结果表明,高压釜的温度分布是由下向上逐渐降低的,溶解区外部温度高于内部温度。热流方向由外向内,生长区内部温度高于外部温度,热流方向由内向外。整个高压釜的温度都偏低。 展开更多
关键词 高压釜 流场 温度场 人工合成 水晶 压电晶体
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射频磁控溅射制备纳米PLT薄膜的研究 被引量:1
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作者 李晖 罗维根 +2 位作者 陈先同 丁爱丽 庄志诚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期371-374,共4页
用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备出纳米级PLZT薄膜.XRD、TEM分析表明,薄膜为纯钙钛矿结构,平均粒径为2~5nm.Raman光谱表明,纳米级晶粒尺寸使得薄膜的Raman峰向低波数方向移动.
关键词 纳米 PLT薄膜 铁电体 射频磁控溅射
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电化学还原方法制备锆钛酸铅薄膜的研究
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作者 朱嘉林 谢崇伟 +1 位作者 虎志明 吴兴惠 《光电子技术》 CAS 1998年第1期60-65,共6页
以Pb(NO3)2、TiCl3和ZrOCl2为电解质,就利用电化学还原法及退火晶化处理在不锈钢基底上制备钙钛矿型PZT薄膜进行了研究。结果表明:在一定条件下,淀积在基底上的膜层,其组份比与电解液的组份摩尔浓度、还原电流密度和还原时间存在... 以Pb(NO3)2、TiCl3和ZrOCl2为电解质,就利用电化学还原法及退火晶化处理在不锈钢基底上制备钙钛矿型PZT薄膜进行了研究。结果表明:在一定条件下,淀积在基底上的膜层,其组份比与电解液的组份摩尔浓度、还原电流密度和还原时间存在某种确定的关系。通过调整电解液中组份的摩尔浓度,选择合适的还原电流密度和还原时间,可以控制膜层的组份比,再经过退火处理制备出所需化学配比的钙钛矿结构PZT薄膜。 展开更多
关键词 电化学还原法 铁电薄膜 PZT
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新型压电晶体材料
9
作者 经和贞 《压电晶体技术》 1997年第4期8-18,共11页
关键词 压电晶体 材料 生长 测试
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