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两种非晶碳化硅薄膜发光二极管 被引量：1
1
作者 陈治明 孙国胜 高勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期319-326,共8页
利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了... 利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了讨论。 展开更多
关键词 非晶 碳化硅 薄膜 发光二极管
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