系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行...系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行为级仿真方法:采用输入输出缓冲区信息规范(input/output buffer information specification,IBIS)模型表征Hi-1573器件的缓冲区特性,通过VHDL-AMS语言完成器件功能区的精细化建模。为验证方法有效性,开展了^(60)Co伽马射线辐照实验,基于实验数据优化总剂量效应模块参数,将其与IBIS总剂量效应模型融合进行仿真。结果显示,仿真结果与实验数据的性能退化趋势高度吻合,充分证明了该行为级仿真方法在CMOS收发器总剂量效应建模中的可行性与可靠性。展开更多
设计了一套存储器辐射效应远程在线测试系统,对一款磁阻随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)在不同工作模式下开展了电离总剂量和瞬态电离辐射效应实验研究,获得了以下研究结果:1)电离总剂量辐照实验中,在动态...设计了一套存储器辐射效应远程在线测试系统,对一款磁阻随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)在不同工作模式下开展了电离总剂量和瞬态电离辐射效应实验研究,获得了以下研究结果:1)电离总剂量辐照实验中,在动态读写模式下,首先出现的效应为电源电流显著增加,器件在30 krad(Si)时,出现了读数据错误;2)瞬态电离辐射辐照实验中,MRAM在静态加电模式和动态读数据模式未观测到数据或功能错误,但在动态写数据模式下出现数据写入失败的现象。初步分析认为写数据失败的原因可能是γ射线引起的PN结光电流形成电路全局光电流,造成MRAM电源波动,触发MRAM写保护有效。本文研究结果表明在总剂量与瞬态电离辐射环境下,MRAM会出现功能异常。MRAM的外围电路是其抗辐射性能的敏感薄弱环节。展开更多
文摘系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行为级仿真方法:采用输入输出缓冲区信息规范(input/output buffer information specification,IBIS)模型表征Hi-1573器件的缓冲区特性,通过VHDL-AMS语言完成器件功能区的精细化建模。为验证方法有效性,开展了^(60)Co伽马射线辐照实验,基于实验数据优化总剂量效应模块参数,将其与IBIS总剂量效应模型融合进行仿真。结果显示,仿真结果与实验数据的性能退化趋势高度吻合,充分证明了该行为级仿真方法在CMOS收发器总剂量效应建模中的可行性与可靠性。
文摘设计了一套存储器辐射效应远程在线测试系统,对一款磁阻随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)在不同工作模式下开展了电离总剂量和瞬态电离辐射效应实验研究,获得了以下研究结果:1)电离总剂量辐照实验中,在动态读写模式下,首先出现的效应为电源电流显著增加,器件在30 krad(Si)时,出现了读数据错误;2)瞬态电离辐射辐照实验中,MRAM在静态加电模式和动态读数据模式未观测到数据或功能错误,但在动态写数据模式下出现数据写入失败的现象。初步分析认为写数据失败的原因可能是γ射线引起的PN结光电流形成电路全局光电流,造成MRAM电源波动,触发MRAM写保护有效。本文研究结果表明在总剂量与瞬态电离辐射环境下,MRAM会出现功能异常。MRAM的外围电路是其抗辐射性能的敏感薄弱环节。
