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同频异构压电微机械超声换能器设计与测距性能研究
1
作者 苗斌 姚术涛 +2 位作者 商文玲 舒乔宇 李加东 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期12-17,共6页
超声测距能力作为衡量超声传感器的重要性能指标,其超声换能器需具备较大的发射声压和较高的接收灵敏度。为提升超声测距能力,本文提出了一种由沟槽式弹性悬浮膜结构(S-PMUT)和传统悬膜结构(TPMUT)组成的同频异构PMUT。仿真证明,弹性悬... 超声测距能力作为衡量超声传感器的重要性能指标,其超声换能器需具备较大的发射声压和较高的接收灵敏度。为提升超声测距能力,本文提出了一种由沟槽式弹性悬浮膜结构(S-PMUT)和传统悬膜结构(TPMUT)组成的同频异构PMUT。仿真证明,弹性悬浮膜PMUT的发射灵敏度相较于传统悬膜PMUT提升了96.4%,传统悬膜PMUT的接收灵敏度是弹性悬浮膜PMUT的1.569倍。搭建超声测距系统并进行测试,测距结果表明,基于同频异构PMUT的测距系统实现了12.45 m的最大测量距离,相较于相同振元组合模式,最大测量距离增加了约24%。 展开更多
关键词 微机械超声波换能器 同频异构 发射灵敏度 接收灵敏度 测距
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双向驱动压电粘滑驱动器的设计与实验测试
2
作者 田晓超 韩城泽 +3 位作者 缪柏吉 宋杰 陈作洋 刘夏 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期74-81,共8页
针对目前双向驱动器存在的预紧位移调节不便、驱动速度较低等问题,提出了一种刚性接触型双向压电粘滑驱动器,以改善目前双向驱动器存在的缺陷。介绍了驱动器的结构及工作原理,并基于其结构对驱动器的输出位移进行理论分析和计算。通过CO... 针对目前双向驱动器存在的预紧位移调节不便、驱动速度较低等问题,提出了一种刚性接触型双向压电粘滑驱动器,以改善目前双向驱动器存在的缺陷。介绍了驱动器的结构及工作原理,并基于其结构对驱动器的输出位移进行理论分析和计算。通过COMSOL Multiphysics仿真软件对粘滑驱动器的驱动过程进行仿真分析,初步验证了驱动器结构的可行性和理论计算的准确性。最后搭建实验平台并对所提出的驱动器的驱动型性能进行测试。实验结果表明,驱动器在5μm预紧位移下具有良好的驱动性能,在1200 Hz信号频率下输出速率为7.12mm/s、最大水平负载为0.57 N、最大垂直负载为2.4 N,驱动器的分辨率为0.021μm,在往复10个周期内的位移误差为1.42μm。这说明驱动器可进行稳定的位移输出。 展开更多
关键词 粘滑驱动器 压电叠堆 双向驱动 高速驱动
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有机电致发光器件全彩色显示专利技术分析
3
作者 陈刚 《天津科技》 2026年第2期52-55,59,共5页
有机电致发光器件(OLED)是一种利用多层有机薄膜结构产生电致发光的器件,具有亮度高、功耗低、清晰度高、柔性好、发光效率高的优点,能够满足消费者对显示技术的需求。显示器全彩色是检验显示器能否在市场上具有竞争力的重要标志,许多... 有机电致发光器件(OLED)是一种利用多层有机薄膜结构产生电致发光的器件,具有亮度高、功耗低、清晰度高、柔性好、发光效率高的优点,能够满足消费者对显示技术的需求。显示器全彩色是检验显示器能否在市场上具有竞争力的重要标志,许多全彩色显示技术也应用到OLED显示器上。为梳理该领域的技术发展现状和展望未来发展趋势,基于全球专利数据库,对OLED全彩色显示技术进行检索,从专利文献视角对其发展进行数据统计及分析,包括全球专利申请趋势、全球前10位申请人分布、专利类型、实现方式技术分支。 展开更多
关键词 有机发光 全彩色显示 专利分析
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LiTaO_(3)/SiO_(2)/Poly-Si/Si衬底SAW谐振器高阶模态抑制
4
作者 周增毅 帅垚 +3 位作者 吴传贵 彭斌 潘忻强 张万里 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期6-11,共6页
通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可... 通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可知当(110)Si面内旋转角度a110=90°/160°/270°/340°时,Si衬底水平剪切体声波声速V_(SH)和垂直剪切体声波声速V_(SV)同时达到较小的值,高阶模态杂波声速V_(p-h)>V_(SH),V_(p-h)>V_(SV),高阶模态杂波的能量辐射到Si衬底中发生泄露,从而达到抑制高阶模态的目的。仿真和流片实验表明,对于使用逆时针旋转270°的(110)Si的LTOI衬底SAW谐振器,其仿真、流片实验的阻抗曲线均未观察到高阶模态杂散响应。 展开更多
关键词 高阶模态抑制 声表面波谐振器 声表面波(SAW) LTOI Si的晶体取向
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GaN单片集成太赫兹倍频技术研究
5
作者 郑艺媛 张凯 +5 位作者 代鲲鹏 郭怀新 朱翔 钱骏 孔月婵 陈堂胜 《微波学报》 北大核心 2026年第1期86-93,共8页
氮化镓(Ga N)单片集成太赫兹倍频技术是解决新一代太赫兹系统功率瓶颈的优选方案。本文研究了Ga N单片集成太赫兹倍频架构、太赫兹肖特基势垒二极管(SBD)器件工艺及倍频芯片电路设计,采用多管芯Ga N SBD与多传输节波导结构,提高了倍频... 氮化镓(Ga N)单片集成太赫兹倍频技术是解决新一代太赫兹系统功率瓶颈的优选方案。本文研究了Ga N单片集成太赫兹倍频架构、太赫兹肖特基势垒二极管(SBD)器件工艺及倍频芯片电路设计,采用多管芯Ga N SBD与多传输节波导结构,提高了倍频器的功率处理能力和倍频效率,实现了输出功率的提升。文中成功研制出工作在170 GHz、220 GHz和340 GHz频段的系列Ga N单片集成太赫兹倍频器,测试结果验证了其卓越性能,该技术有望在新一代高分辨率成像、超高速融合通信及高精度遥感等领域发挥关键作用。 展开更多
关键词 氮化镓 太赫兹 单片集成 高功率 肖特基势垒二极管 倍频器
原文传递
基于压电智能壁板结构外场主动干扰技术研究
6
作者 王超炎 杨梦龙 +3 位作者 季宏丽 陶翀骢 张超 裘进浩 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期98-106,共9页
激光窃听技术隐蔽性强、操作方便且难以检测,对涉密场所语音信息安全构成严重威胁。针对复杂国际环境下快速部署会议室内语音泄露的问题,设计了一种基于压电材料的隐蔽式壁板结构,通过对外场主动干扰实现语音内容防护。分析激光窃听理... 激光窃听技术隐蔽性强、操作方便且难以检测,对涉密场所语音信息安全构成严重威胁。针对复杂国际环境下快速部署会议室内语音泄露的问题,设计了一种基于压电材料的隐蔽式壁板结构,通过对外场主动干扰实现语音内容防护。分析激光窃听理论原理,基于逆压电效应驱动压电元件产生对抗性振动干扰,破坏窃听语音信号还原。实验采用多源干扰信号驱动压电元件,结合玻璃振动频谱与客观语音质量评估(PESQ)算法量化评估掩蔽性能。结果表明,当驱动电压峰峰值达到30 V时,玻璃振动加速度均值显著高于无干扰状态,20~8000 Hz全频段能量高于无干扰状态,此时反演语音PESQ评分均低于1.8,显著低于无干扰状态下反演语音PESQ的评分值4.5。因此,该结构具有较强的外场干扰效果,能实现语音信息的掩蔽。对比电磁声干扰器,在相同档位下该结构功耗降低91%~93%,反演语音的PESQ得分更低,干扰效果更强,室内附加噪声增量减少1.63~2.44 dB(A),且能实现隐蔽式部署。研究证实了压电智能壁板结构兼具低功耗、高隐蔽与强干扰特性,为敏感场所声学信息安全防护提供了新型技术方案。 展开更多
关键词 激光窃听 压电材料 主动振动干扰 客观语音质量评估(PESQ)算法 低功耗压电驱动
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激基复合物和激子共存体系中空穴传输层对热激子演化通道的调控作用
7
作者 汤仙童 李啸 +5 位作者 彭琳 潘睿亨 周贤菊 李登峰 熊祖洪 赵茜 《科学通报》 北大核心 2026年第5期1292-1301,共10页
为探究多种激发态共存体系中空穴传输层(hole-transporting layer,HTL)对热激子通道的影响,本文选用具有热激子特性的红荧烯材料为发射体,不同三重态能量的材料作为HTL,制备了一系列激基复合物和激子态共存的红荧烯掺杂发光器件.同时,... 为探究多种激发态共存体系中空穴传输层(hole-transporting layer,HTL)对热激子通道的影响,本文选用具有热激子特性的红荧烯材料为发射体,不同三重态能量的材料作为HTL,制备了一系列激基复合物和激子态共存的红荧烯掺杂发光器件.同时,还制备了常规激子型红荧烯掺杂器件作为对比.通过测量不同温度和电流下电致发光的磁场效应(magneto-electroluminescence,MEL)曲线发现,当发光层主体三重态能量高而HTL三重态能量[E(T 1,HTL)]低时,激子型器件的低场(|B|<9 mT)MEL曲线仅表现为系间窜越过程(intersystem crossing,ISC)决定的线形,而多种激发态共存器件的MEL低场主要由ISC决定,但其超低场(|B|<3 mT)还存在较弱的高能态反向系间窜越过程(high-level reverse intersystem crossing,hRISC,即高能三重态激子T_(2)到最低单重态激子的热激子通道,T_(2)→S_(1));当激基复合物主体三重态能量[E(EX_(3,host))]和E(T_(1,HTL))都较高时,多种激发态共存器件的MEL低场只由hRISC决定;相反,MEL低场只由ISC过程决定.分析各功能层间的激发态能量转移与损失机制可知:多种激发态共存器件中激子复合区与HTL相距较远,导致E(T_(1,HTL))很难直接影响红荧烯热激子T_(2)态的数量,但其与E(EX_(3,host))间的能量转移通道不可忽略.也就是说,当E(T_(1,HTL))较低时,激基复合物主体到HTL的能量损失通道[E(EX_(3,host))→E(T_(1,HTL))]将抑制主客体间的Dexter能量转移过程,不利于T_(2)态的形成,最终减弱甚至完全抑制热激子的hRISC过程.本研究将加深对多种激发态共存体系中热激子演化物理行为的理解,并为高性能红荧烯黄光器件(一种重要的照明光源)的结构设计提供新思路. 展开更多
关键词 红荧烯掺杂器件 热激子通道 电致发光磁场效应 激基复合物 系间窜越过程
原文传递
4T/8T像素结构CMOS图像传感器的空间辐照影响及加固技术研究
8
作者 王婷婷 杨小曦 +2 位作者 姜浩 张琪 张亮 《现代电子技术》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)常用于空间光通信中的捕获、跟踪、瞄准(ATP)系统中探测信标光方向。宇宙空间辐射会影响CMOS图像传感器的工作性能及工作寿命,研究空间辐照对器件的影响原理及抗辐照加固技术可以提升CMOS图... 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)常用于空间光通信中的捕获、跟踪、瞄准(ATP)系统中探测信标光方向。宇宙空间辐射会影响CMOS图像传感器的工作性能及工作寿命,研究空间辐照对器件的影响原理及抗辐照加固技术可以提升CMOS图像传感器实际工程应用能力。因4T/8T(Transistor)像素结构CMOS图像传感器在ATP系统中有广泛应用,从电离总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应三个方面综述了4T/8T像素结构CIS国内外辐照试验研究成果及抗辐照效应加固技术。提出针对8T像素结构CIS单粒子效应的加固方法,实现了CMOS图像传感器与FPGA单粒子翻转效应时无需断电重启的校正和单粒子闩锁时的关断与重启,提升了CMOS图像传感器的抗辐射效应性能。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 电离总剂量效应 位移损伤效应 单粒子效应 抗辐射加固技术 空间辐射
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采用螺纹质量块结构的宽频带高温压电加速度传感器
9
作者 杨凯博 樊青青 +1 位作者 马军 李俊红 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期107-113,共7页
高温压电加速度传感器在核电、航空航天等领域有着重要应用。发动机等设备故障信号的特征频率主要集中在高频范围,因此,传感器需具备宽频域响应能力以实现对高频故障信号的有效监测。然而,现有国产高温加速度传感器存在频带窄的问题,难... 高温压电加速度传感器在核电、航空航天等领域有着重要应用。发动机等设备故障信号的特征频率主要集中在高频范围,因此,传感器需具备宽频域响应能力以实现对高频故障信号的有效监测。然而,现有国产高温加速度传感器存在频带窄的问题,难以满足实际应用需求。为此,本文设计了一种剪切式高温压电加速度传感器,采用具有高温稳定性的硼酸氧钙钇(YCOB)晶体作为压电敏感元件,并结合解析建模与有限元仿真方法对其性能进行系统分析与优化。此外,采用内置螺纹孔的质量块以增强连接稳定性,从而提升整体抗振性能。实验结果表明,该传感器在频率1 kHz下的电荷灵敏度为1.2 pC/g,谐振频率约为11 kHz,3 dB带宽可达6 kHz。该研究提升了传感器的频域响应范围,增强了其对高频故障信号的监测能力,具有良好的工程应用前景。 展开更多
关键词 硼酸氧钙钇(YCOB) 压电加速度传感器 高温 宽频带 剪切式
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面向血压监测的1-3型压电复合材料超声换能器有限元分析
10
作者 刘勇斌 崔永俊 +1 位作者 王红亮 王岩松 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期18-23,共6页
面对无创血压检测等生物医学对高性能换能器的需求,本文设计并优化了一种1-3型压电复合材料超声换能器。通过建立三维有限元模型,系统研究了压电陶瓷体积分数、压电陶瓷柱宽厚比对复合材料性能的影响,通过对比其性能确定复合材料的最优... 面对无创血压检测等生物医学对高性能换能器的需求,本文设计并优化了一种1-3型压电复合材料超声换能器。通过建立三维有限元模型,系统研究了压电陶瓷体积分数、压电陶瓷柱宽厚比对复合材料性能的影响,通过对比其性能确定复合材料的最优尺寸,并通过声-电耦合仿真模拟脉冲响应实验验证声学性能。实验结果表明,该复合材料的谐振频率为4.81 MHz,有效机电耦合系数达到66.3%,较纯压电陶瓷片提高了约127.5%,声阻抗为17.6 MRayls,表明出良好的声学匹配特性。脉冲回波测试表明,换能器的中心频率为4.59 MHz,-6 dB相对带宽为55.6%,验证了设计方法的可行性与仿真模型的有效性。该研究为高频超声换能器中的压电复合材料设计与优化提供了解决方案。 展开更多
关键词 1-3型压电复合材料 超声换能器 有限元法 机电耦合系数 带宽特性
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基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展
11
作者 罗承宇 钟超 +3 位作者 陈佳蕾 林立华 胡海龙 李福山 《液晶与显示》 北大核心 2026年第1期120-141,共22页
作为可视化信息的载体,显示器在越来越数字化和智能化的生活中扮演着不可或缺的角色。量子点发光二极管(QLEDs)凭借卓越的性能,正蓄势引领下一代显示技术浪潮,并有望重塑国际显示面板市场格局。然而,目前QLEDs器件的实际应用仍受到一些... 作为可视化信息的载体,显示器在越来越数字化和智能化的生活中扮演着不可或缺的角色。量子点发光二极管(QLEDs)凭借卓越的性能,正蓄势引领下一代显示技术浪潮,并有望重塑国际显示面板市场格局。然而,目前QLEDs器件的实际应用仍受到一些限制,例如发光性能和寿命尚未达到商业应用的要求。为了制备高性能的QLEDs,对各个功能层的界面进行修饰是研究中常用的方法。基于此,本综述从多个方面总结了QLEDs界面修饰的研究进展,详细分析了界面修饰机制及其对QLEDs性能的影响。最后,指出了QLEDs发展中存在的不足,同时展望了其未来的发展方向。希望该综述能为QLEDs的学术研究和产业化带来有价值的参考。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 界面修饰 功能层 性能
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PFI引入PEDOT:PSS空穴注入层提升Cu-In-Zn-S基量子点发光二极管性能
12
作者 刘柄含 赵金星 +6 位作者 刘子奕 解修林 郑龙雪 吴静可 蔡炆澈 李旭 唐爱伟 《液晶与显示》 北大核心 2026年第1期142-149,共8页
多元铜基硫族量子点发光二极管(QLEDs)中空穴注入过慢造成的电子-空穴注入不平衡是限制器件性能提升的主要原因之一。本研究设计了一种全氟化树脂(PFI)改性聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)的策略,借助PFI的自组装特... 多元铜基硫族量子点发光二极管(QLEDs)中空穴注入过慢造成的电子-空穴注入不平衡是限制器件性能提升的主要原因之一。本研究设计了一种全氟化树脂(PFI)改性聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)的策略,借助PFI的自组装特性构建出具有梯度能级的空穴注入层PFI-PEDOT:PSS。单空穴传输器件进一步证明,PFIPEDOT:PSS空穴注入层可有效降低器件空穴注入势垒并提高空穴注入效率,从而使器件性能得到提升。最终采用PFI-PEDOT:PSS作为空穴注入层、Cu-In-Zn-S量子点作为发光层制备的电致发光器件的峰值外量子效率达到4.7%,是PEDOT:PSS基器件的2.2倍。结果表明,这种将PFI引入PEDOT:PSS空穴注入层的修饰策略可以有效提升CuIn-Zn-S基QLEDs器件性能,也为后续环境友好型QLEDs产业化应用奠定了重要研究基础。 展开更多
关键词 Cu-In-Zn-S量子点 发光二极管 PEDOT∶PSS 全氟化树脂
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高功率器件低温失效案例分析
13
作者 范国莹 赵景波 +4 位作者 张晓帆 银军 徐守利 倪涛 李保第 《通讯世界》 2026年第1期151-153,共3页
随着微波组件向高功率、小型化方向发展,受限于结构设计与材料选择,其整体与局部热量的耗散成为工程应用中的突出挑战。基于此,针对一款P波段400 W功率载片在低温应用环境下发生的失效案例开展原理分析与技术研究,发现该载片引入氮化铝... 随着微波组件向高功率、小型化方向发展,受限于结构设计与材料选择,其整体与局部热量的耗散成为工程应用中的突出挑战。基于此,针对一款P波段400 W功率载片在低温应用环境下发生的失效案例开展原理分析与技术研究,发现该载片引入氮化铝等高导热材料后,虽提升了整体散热性能,却导致局部散热速率过快。在低温工作条件下,因热应力反复作用,印制电路板表面铜带线疲劳开裂、电性能恶化,最终导致器件烧毁。通过失效现象分析、实验复现与仿真验证,阐明了该失效机制,可为相关人员提供参考。 展开更多
关键词 微波组件 低温 高功率 失效
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氢离子注入GaN高电子迁移率晶体管栅极正向输运、退化与击穿
14
作者 张东楷 胡晴 +5 位作者 郭玉龙 翟颖 刘栩珊 王梓旭 于国浩 闫大为 《物理学报》 北大核心 2026年第5期295-301,共7页
本文基于氢等离子体注入技术实现了增强型p-GaN高电子迁移率晶体管向耗尽型器件的转变,研究了栅极正向电流的输运、电流退化与击穿行为.通过变温电流-电压(T-I-V)扫描、低频噪声测试与锁相红外成像技术,获得以下结果:1)在双对数坐标系... 本文基于氢等离子体注入技术实现了增强型p-GaN高电子迁移率晶体管向耗尽型器件的转变,研究了栅极正向电流的输运、电流退化与击穿行为.通过变温电流-电压(T-I-V)扫描、低频噪声测试与锁相红外成像技术,获得以下结果:1)在双对数坐标系下栅极正向T-I-V曲线呈显著幂律关系,斜率对温度不敏感,对应热激活能仅约52 meV,电流噪声具有典型1/f特性,表明正向电流应主要为缺陷辅助跳跃电流;2)在长时间正向栅压应力作用下,器件I-V特性退化为典型整流特性,表明局部高阻GaN区重新形成p-GaN,半对数坐标系下,电流线性区的理想因子高达2.6,电流噪声谱具有1/f特性,证明缺陷辅助隧穿电流成为主要输运机制;3)通过锁相红外成像技术精准定位击穿“热点”位置,并结合像素温度矫正技术测得“热点”处真实温度. 展开更多
关键词 氢离子注入 GAN高电子迁移率晶体管 输运机制 退化 击穿
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胶体量子点直接光刻技术的发展与应用
15
作者 黄凌祥 常赛豪 +1 位作者 满忠伟 唐爱伟 《液晶与显示》 北大核心 2026年第1期163-170,共8页
量子点发光二极管(QLED)因其色彩纯度高、发光效率高、稳定性好、可溶液加工、全彩可调以及与现有工艺兼容性好,被认为是下一代高分辨率、低功耗显示器件的有力候选。实现量子点图案化是其显示应用的前提,多种光刻技术应运而生。目前QLE... 量子点发光二极管(QLED)因其色彩纯度高、发光效率高、稳定性好、可溶液加工、全彩可调以及与现有工艺兼容性好,被认为是下一代高分辨率、低功耗显示器件的有力候选。实现量子点图案化是其显示应用的前提,多种光刻技术应运而生。目前QLED图案化技术正在从传统光刻、喷墨打印等工艺复杂、性能损伤大的制备方法向直接光刻等高分辨率、无损伤方法演进。本文综述了量子点直接光刻技术的基本原理,重点讨论了3种光敏基团(叠氮类、偶氮类、二硫键类)的交联机制、光刻性能及其对QLED性能的影响,对未来量子点直接光刻技术的发展趋势及其在QLED显示的发展方向进行了预测,对未来图案化QLED显示技术的发展方向具有一定参考意义。 展开更多
关键词 量子点 直接光刻 图案化 QLED 光刻交联剂
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大动态光纤陀螺标度因数非线性度补偿方法
16
作者 谢雪新 谢宝荣 +2 位作者 丁柯文 吕绍绵 陈志成 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期156-161,共6页
针对大动态光纤陀螺标度因数非线性度对测量精度的严重影响,以及现有分段补偿方法在补偿效果上对转台速率精度的高度依赖问题,提出一种直接根据光纤陀螺输出的角度脉冲进行角速率分段补偿的方法。通过将陀螺输出的数字量转为角度脉冲信... 针对大动态光纤陀螺标度因数非线性度对测量精度的严重影响,以及现有分段补偿方法在补偿效果上对转台速率精度的高度依赖问题,提出一种直接根据光纤陀螺输出的角度脉冲进行角速率分段补偿的方法。通过将陀螺输出的数字量转为角度脉冲信号输出,再根据角度漂移误差大小对角速率进行分段补偿。实验表明,在常温、角速度为0~9000(°)/s的条件下,30 s角度漂移误差由原来的34.798°降至5°内,非线性度误差由原来的128.9×10^(-6)减小至16.7×10^(-6),实验验证了补偿方法的有效性。该补偿方法复杂度低,对测试使用的转台速率精度要求低,易于工程实现。 展开更多
关键词 光纤陀螺 大动态 标度因数 非线性补偿 角速率
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基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究
17
作者 李世权 蔡利康 +1 位作者 林罡 章军云 《电子技术应用》 2026年第1期43-47,共5页
基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器... 基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%,显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外,还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 线性度 缓变沟道 栅压摆幅 GaN HEMT 跨导
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基于薄膜铌酸锂多模光波导的高效声光调制器优化设计
18
作者 施翔 任嘉欣 +2 位作者 刘会龙 沈宏君 万磊 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期1-5,共5页
本文提出了一种基于薄膜铌酸锂(TFLN)与硫系玻璃混合多模光波导的片上集成声光调制器(AOM)。通过有限元仿真系统分析了叉指换能器与波导间距,多模波导宽度以及声学特征频率对TE00与TE10模式等效折射率改变量的影响。结果表明,在频率2.2 ... 本文提出了一种基于薄膜铌酸锂(TFLN)与硫系玻璃混合多模光波导的片上集成声光调制器(AOM)。通过有限元仿真系统分析了叉指换能器与波导间距,多模波导宽度以及声学特征频率对TE00与TE10模式等效折射率改变量的影响。结果表明,在频率2.2 GHz下,TE10模式等效折射率改变量高于TE00模式。单声子作用下,当波导宽度为1.95μm时,TE10模式等效折射率改变量最高可达3.5×10^(-10)。该器件设计方案为多模工作的TFLN集成声光调制器的实现提供了重要参考。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 光弹效应 声光调制器 TE10模式 非悬浮
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^(63)Ni-GaAs肖特基核电池的结构优化与界面钝化
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作者 宋亚龙 邹继军 +2 位作者 张明智 李奥 邹启泰 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期228-233,共6页
β辐射伏特效应核电池具有体积小、寿命长、能量密度高等优点,可用作微型能源,在深海深空探索、极地探测、医疗器具等领域发挥着重要作用。为了增强电池对载流子的收集能力,对半绝缘GaAs肖特基核电池的电极进行优化设计,使用格栅电极代... β辐射伏特效应核电池具有体积小、寿命长、能量密度高等优点,可用作微型能源,在深海深空探索、极地探测、医疗器具等领域发挥着重要作用。为了增强电池对载流子的收集能力,对半绝缘GaAs肖特基核电池的电极进行优化设计,使用格栅电极代替平面电极,既减小了对β粒子的阻挡能力又不影响对载流子的收集能力。测试结果表明,电极宽度为15μm、有源区宽度为30μm时,载流子的收集能力最优。进一步对器件进行界面钝化,结果表明,在10.8 mCi/cm^(2)的^(63)Ni源测试下,界面钝化器件的短路电流密度达19.2 nA/cm^(2),相较于未界面钝化的器件,最大输出功率密度提高了29%,界面钝化可以极大地提高器件性能。本研究结果可为肖特基核电池的实用化提供实验依据。 展开更多
关键词 半绝缘GAAS β辐射伏特效应核电池 肖特基 结构设计 界面钝化
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密闭金属腔体斜入射超声波单侧通信系统
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作者 高炜春 乔正阳 +1 位作者 赵辛毅 何剑 《仪表技术与传感器》 北大核心 2026年第1期104-109,共6页
为解决工业密闭金属腔体内传统通信方式存在的电磁衰减高、结构损伤大及部署受限等问题,提出一种基于斜入射超声波的金属单侧通信系统。该系统以4 mm厚铝制腔体为传输介质,采用5 MHz斜探头构建同侧声束路径,基于STM32主控模块与自制调... 为解决工业密闭金属腔体内传统通信方式存在的电磁衰减高、结构损伤大及部署受限等问题,提出一种基于斜入射超声波的金属单侧通信系统。该系统以4 mm厚铝制腔体为传输介质,采用5 MHz斜探头构建同侧声束路径,基于STM32主控模块与自制调理电路实现高集成小型化设计。系统引入动态载波仲裁机制显著降低待机功耗,并采用数字自动增益控制技术补偿路径损耗。数据传输性能测试定量分析了波特率与有效传输距离的关系,结果表明系统在30 cm距离下能以230.4 kbit/s速率实现稳定通信。该系统有效解决了路径损耗与功耗问题,构建了高集成度、低误码率的金属腔体可靠数据通信方案。 展开更多
关键词 超声波通信 单侧通信 动态功耗控制 自动增益控制
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