为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffused metal oxide semiconductor)器件新结构.该结构采用了槽栅和槽源,在漂移区形成了纵向导电沟道和电子...为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffused metal oxide semiconductor)器件新结构.该结构采用了槽栅和槽源,在漂移区形成了纵向导电沟道和电子积累层,使器件保持了较短的电流传导路径,同时扩展了电流在纵向的传导面积,显著降低了器件的比导通电阻.槽栅调制了漂移区电场,同时,纵向栅氧层承担了部分漏极电压,使器件击穿电压得到提高.借助2维数值仿真软件MEDICI详细分析了器件的击穿特性和导通电阻特性.仿真结果表明:在保证最高优值的条件下,该结构的击穿电压和比导通电阻与传统SOI LDMOS相比,分别提高和降低了8%和45%.展开更多
车联网作为战略性新兴产业中智能化汽车和物联网两大领域的重要交集,受到广泛关注。通过车联网、地理位置服务(Location Based Service)、手势感应三种技术的分析,将其整合成综合系统,实现手势操作在车载系统中的多媒体功能和地理位置...车联网作为战略性新兴产业中智能化汽车和物联网两大领域的重要交集,受到广泛关注。通过车联网、地理位置服务(Location Based Service)、手势感应三种技术的分析,将其整合成综合系统,实现手势操作在车载系统中的多媒体功能和地理位置服务。采用Kinect作为手势感应设备,建立WPF工程,设计界面并进行具体功能编程。通过百度LBS开发者平台提供的相关API进行数据调用,实现LBS服务。测试结果表明,系统具有功能多样、灵活方便的特点,具有良好的应用前景。展开更多
为了满足设计功率放大器时对晶体管精确测试的要求,设计了一种工作在S波段的氮化镓晶体管专用微波测试夹具,根据TRL校准原理制作了相应的校准件来完成夹具的去嵌入。实际测试结果表明,该测试夹具及TRL校准件达到了预期的效果,仿真值与...为了满足设计功率放大器时对晶体管精确测试的要求,设计了一种工作在S波段的氮化镓晶体管专用微波测试夹具,根据TRL校准原理制作了相应的校准件来完成夹具的去嵌入。实际测试结果表明,该测试夹具及TRL校准件达到了预期的效果,仿真值与实测值一致性好,损耗误差为0.3 d B,去嵌入之后得到的夹具差损<0.4 d B,S11和S22<-15 d B,用该夹具测得的晶体管参数与其数据手册给出的值相吻合。展开更多
文摘为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffused metal oxide semiconductor)器件新结构.该结构采用了槽栅和槽源,在漂移区形成了纵向导电沟道和电子积累层,使器件保持了较短的电流传导路径,同时扩展了电流在纵向的传导面积,显著降低了器件的比导通电阻.槽栅调制了漂移区电场,同时,纵向栅氧层承担了部分漏极电压,使器件击穿电压得到提高.借助2维数值仿真软件MEDICI详细分析了器件的击穿特性和导通电阻特性.仿真结果表明:在保证最高优值的条件下,该结构的击穿电压和比导通电阻与传统SOI LDMOS相比,分别提高和降低了8%和45%.
文摘车联网作为战略性新兴产业中智能化汽车和物联网两大领域的重要交集,受到广泛关注。通过车联网、地理位置服务(Location Based Service)、手势感应三种技术的分析,将其整合成综合系统,实现手势操作在车载系统中的多媒体功能和地理位置服务。采用Kinect作为手势感应设备,建立WPF工程,设计界面并进行具体功能编程。通过百度LBS开发者平台提供的相关API进行数据调用,实现LBS服务。测试结果表明,系统具有功能多样、灵活方便的特点,具有良好的应用前景。
文摘为了满足设计功率放大器时对晶体管精确测试的要求,设计了一种工作在S波段的氮化镓晶体管专用微波测试夹具,根据TRL校准原理制作了相应的校准件来完成夹具的去嵌入。实际测试结果表明,该测试夹具及TRL校准件达到了预期的效果,仿真值与实测值一致性好,损耗误差为0.3 d B,去嵌入之后得到的夹具差损<0.4 d B,S11和S22<-15 d B,用该夹具测得的晶体管参数与其数据手册给出的值相吻合。
