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激光无线能量传输技术研究进展
1
作者 郭林辉 钟李鑫 +7 位作者 蓝建宇 李涛 蒋全伟 谢鹏飞 谭昊 孙堂友 高松信 唐淳 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第6期4-15,共12页
激光无线能量传输技术具有高功率、远距离、非接触式、能信同传等优点,有望成为一种革新性的能源传递方式,在消费电子产品、无人机、航天等领域展现巨大的应用潜力。分析了激光无线能量传输系统的核心模块以及在地面、航天、水下等领域... 激光无线能量传输技术具有高功率、远距离、非接触式、能信同传等优点,有望成为一种革新性的能源传递方式,在消费电子产品、无人机、航天等领域展现巨大的应用潜力。分析了激光无线能量传输系统的核心模块以及在地面、航天、水下等领域的国内外发展现状,总结了其面临的技术挑战。最后,讨论了激光无线能量传输系统的未来发展趋势。 展开更多
关键词 激光器 无线能量传输 能量补给 激光电池
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大功率偏振不敏感O波段SOA芯片的制备
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作者 杜圆圆 林中晞 +1 位作者 吴林福生 苏辉 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第10期139-146,共8页
为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受... 为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受限。为此,文中器件采用五阱四垒InGaAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构,将1310 nm处偏振相关增益(PDG)抑制至1 dB以下;在保证输入/输出光斑椭圆度≥80%的情况下,设计锥形渐变脊宽波导延缓增益饱和效应,使输出功率达22.86 dBm。文中研究通过能带-波导协同设计攻克了SOA偏振敏感性与功率输出的兼容性难题,显著提升了链路光功率余量,延长了传输距离,满足了弱光改造、基站拉远等应用场景的需要。 展开更多
关键词 O波段半导体光放大器 偏振不敏感 大功率 张应变量子阱 渐变式宽波导
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大功率激光直写设备光学系统分析与散热设计
3
作者 胡兴涛 田磊磊 +5 位作者 童宝宏 苗思忠 周硕 李凡 陈堃 王儒 《激光与红外》 北大核心 2025年第1期102-110,共9页
本文针对一款大功率激光直写设备光学系统,采用了数值模拟与试验相结合的方法,并设计了一款镜筒的散热结构。利用有限元分析软件对光学系统结构进行了热分析与应力应变分析,分析结果显示:光学系统激光功率为100 W,SUS304和AL6061材质的... 本文针对一款大功率激光直写设备光学系统,采用了数值模拟与试验相结合的方法,并设计了一款镜筒的散热结构。利用有限元分析软件对光学系统结构进行了热分析与应力应变分析,分析结果显示:光学系统激光功率为100 W,SUS304和AL6061材质的镜筒表面温度最高位置都集中在棱镜盒附近区域,最高温度达59.016℃,整体温度均匀性和散热性能较差;AL6061材质光学镜筒棱镜盒附近区域存在较大的应力,结构性能较差。总结光学系统散热设计的一般原则,采用被动和主动相结合的散热设计,并进行了试验验证,试验结果表明:在散热系统正常工作时,系统整体温差为0.99℃,达到了温度均匀性指标要求;DMD标定误差小于15μm且中心位置多向同一方向漂移,满足误差小于20μm的技术指标要求,有利于系统曝光时图像拼接,验证了散热设计的有效性。 展开更多
关键词 大功率激光直写设备 光学系统 热分析 应力应变分析 散热设计 试验验证
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半导体光电技术在电子信息传输中的应用 被引量:2
4
作者 郎方 《电子工业专用设备》 2025年第2期42-46,共5页
通过对分布反馈激光器、垂直腔面发射激光器等光电器件的应用研究发现,在长距离传输方面,配合波分复用技术可实现总传输容量达到几十Tbps;在数据中心短距离传输中,多通道并行传输技术可实现400 Gbps的传输速率。实验数据表明,采用氮化... 通过对分布反馈激光器、垂直腔面发射激光器等光电器件的应用研究发现,在长距离传输方面,配合波分复用技术可实现总传输容量达到几十Tbps;在数据中心短距离传输中,多通道并行传输技术可实现400 Gbps的传输速率。实验数据表明,采用氮化镓等第三代半导体材料的射频器件能使5G基站信号覆盖范围扩大30%~50%,传输速率提升2~3倍。研究证实,半导体光电技术在提升传输速率、扩大覆盖范围、增强抗干扰能力等方面具有显著优势。 展开更多
关键词 半导体光电技术 光通信 光电集成 射频通信 信息传输
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应用于2.4 GHz WIFI的高线性功率放大器的设计
5
作者 陈睿源 陈磊 《电子设计工程》 2025年第4期21-24,共4页
为满足2.4 GHz频段的WIFI射频前端芯片的需要,设计了一种基于SAIC HG工艺的高线性、高功率射频Ⅲ-Ⅴ族功率放大器(PA)。该PA采用了二级放大架构,实现了29 dBm的饱和输出功率。在2.4~2.5 GHz工作频段内增益达到28.8 dB。使用ADS热电子仿... 为满足2.4 GHz频段的WIFI射频前端芯片的需要,设计了一种基于SAIC HG工艺的高线性、高功率射频Ⅲ-Ⅴ族功率放大器(PA)。该PA采用了二级放大架构,实现了29 dBm的饱和输出功率。在2.4~2.5 GHz工作频段内增益达到28.8 dB。使用ADS热电子仿真在版图层面对PA的输出级功率单元布局进行优化,同时基于标准QFN封装对芯片进行了完整的封装体建模联合仿真。该PA在802.11ax MCS11 bandwidth 40 MHz 1024QAM调制下,线性功率为20 dBm@DEVM=-43 dB. 展开更多
关键词 射频前端 高线性 功率放大器 WIFI 热电子仿真 封装体仿真
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激光无线传能系统光电池阵列排布研究
6
作者 孟祥翔 刘雨辉 +1 位作者 邱明杰 徐新瑞 《激光与红外》 北大核心 2025年第3期420-424,共5页
为提高激光无线传能系统接收端的光电转换效率、对比验证接收端不同优化设计方法的优劣,开展了光电阵列不同排布方式的实验研究。分别研制了单一串联排布、顺次串并排布、依据照度分布的串并排布三种光电池阵列,并开展了实验研究。在高... 为提高激光无线传能系统接收端的光电转换效率、对比验证接收端不同优化设计方法的优劣,开展了光电阵列不同排布方式的实验研究。分别研制了单一串联排布、顺次串并排布、依据照度分布的串并排布三种光电池阵列,并开展了实验研究。在高斯分布光斑照射下,对比了顺次串并排布与依据照度分布的串并排布输出特性,并对比了单一串联排布在均匀光照下的输出特性。结果表明,不同串并联方式、不同光照条件下,得到的光电效率区别较大。单一串联排布在均匀光照下光电转换效率最高,为39.14%;在高斯分布光照条件下,依据照度分布的串并排布光电转换效率为33.3%,比顺次串并排布效率高出一倍。该结果可对激光无线传能系统接收端的优化设计提供参考。 展开更多
关键词 激光无线能量传输 光电池阵列排布 光伏接收器 GaAs光电池 光电池效率
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混沌微腔激光器的研究进展(特邀) 被引量:2
7
作者 李建成 雷彬鹃 +2 位作者 肖金龙 杨跃德 黄永箴 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期113-124,共12页
半导体混沌激光器已被应用在随机数生成、安全通信、混沌探测等领域。实现混沌激光器最常用方法是光反馈,但采用离散器件搭建的混沌激光器系统结构复杂、稳定性差。基于光反馈原理的光子集成混沌激光器、体积小,但工艺复杂,且无法避免... 半导体混沌激光器已被应用在随机数生成、安全通信、混沌探测等领域。实现混沌激光器最常用方法是光反馈,但采用离散器件搭建的混沌激光器系统结构复杂、稳定性差。基于光反馈原理的光子集成混沌激光器、体积小,但工艺复杂,且无法避免光反馈引入的弱周期性。基于微腔内模式相互作用产生的自发混沌半导体微腔激光器,无需外部扰动,具有体积小、工艺简单、混沌带宽大、混沌态工作条件宽和无反馈弱周期性等优点,有望在具体应用中进一步发挥作用。针对近年来基于微腔的混沌激光器研究情况,本文进行了分类介绍,包括自发混沌微腔激光器、光反馈混沌微腔激光器和集成互注入激光器,总结了自发混沌微腔激光器的当前应用,对自发混沌微腔激光器的未来发展做了展望。 展开更多
关键词 微腔 混沌 半导体激光器 非线性 物理随机数 混沌探测
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内置温控多模耦合半导体激光器研究 被引量:3
8
作者 程义涛 王英顺 +2 位作者 吴浩仑 武艳青 晏青 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期62-69,共8页
随着半导体激光光源在通信、探测等领域应用的不断扩展,常规多模半导体光纤耦合模块功率温度特性不能满足使用需求,因此有必要研制高稳定性多模耦合半导体激光器。研制了一种内置温控的多模耦合半导体激光器。针对器件的封装耦合进行了... 随着半导体激光光源在通信、探测等领域应用的不断扩展,常规多模半导体光纤耦合模块功率温度特性不能满足使用需求,因此有必要研制高稳定性多模耦合半导体激光器。研制了一种内置温控的多模耦合半导体激光器。针对器件的封装耦合进行了光纤耦合设计和散热设计,并对制作的器件的光电参数进行了测试,重点测试了宽温范围内的输出功率与功率变化率。测试结果表明:光纤芯径为105μm、数值孔径(NA)为0.22时,室温下光纤输出功率大于3.1 W,耦合效率达到94%以上;在温度范围-45~70℃内,典型温度点下输出功率变化率低于1%。该内置温控多模耦合半导体激光器的研制为半导体激光器在泵浦领域的进一步应用提供了技术参考。 展开更多
关键词 耦合 封装 半导体激光器 多模 内置温控 蝶形封装
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增厚DBR型894 nm窄线宽VCSEL
9
作者 范屹梁 孙玉润 +3 位作者 付秋雪 于淑珍 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期449-454,共6页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSE... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 芯片级原子钟(CSAC) 有效腔长 分布式布拉格反射镜(DBR) 线宽
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增益分布对GaN基蓝光微盘激光器模式分布和发光功率的影响
10
作者 许湘钰 刘召强 +3 位作者 贾童 楚春双 张勇辉 张紫辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期136-143,共8页
通过FDTD仿真模拟计算,文中系统地研究了电流阻挡作用对GaN基蓝光激光器增益分布和光学性能的影响,发现回音壁激光模式主要在靠近微盘边缘1.5个波长范围谐振,因此,如果电流阻挡层面积太小,无法最大化减小激光器电流阈值;如果面积太大,... 通过FDTD仿真模拟计算,文中系统地研究了电流阻挡作用对GaN基蓝光激光器增益分布和光学性能的影响,发现回音壁激光模式主要在靠近微盘边缘1.5个波长范围谐振,因此,如果电流阻挡层面积太小,无法最大化减小激光器电流阈值;如果面积太大,回音壁激光模式与无增益区存在耦合效应,从而减少激光功率。另外,随着无增益区域向微盘边缘发生偏移,各个激光模式输出的峰值功率均下降,其中二阶模式峰值功率比一阶模式下降得更加显著,这主要是由于二阶模式分布范围更接近微盘中心区域。同时,进一步发现如果在微盘激光器的仿真模型中引入侧壁缺陷,则将导致边缘无法形成增益区,相比于二阶模式而言,一阶模式的发光功率随侧壁缺陷区域增加而下降的幅度更为显著,这主要是由于一阶模式分布范围更接近微盘边缘。 展开更多
关键词 激光器 微盘 增益 FDTD
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24 GHz频段高性能压控振荡器的设计 被引量:2
11
作者 张和平 陈磊 《电子设计工程》 2024年第6期191-195,共5页
设计了一种基于SMIC 40 nm射频CMOS工艺的低功耗、低噪声、宽调谐范围压控振荡器模块,可应用于24 GHz频段的多普勒或调频连续波雷达系统。分别从电路架构优化、电容电感等无源器件分析,介绍了提高电路性能的具体实现方式。采用了四位电... 设计了一种基于SMIC 40 nm射频CMOS工艺的低功耗、低噪声、宽调谐范围压控振荡器模块,可应用于24 GHz频段的多普勒或调频连续波雷达系统。分别从电路架构优化、电容电感等无源器件分析,介绍了提高电路性能的具体实现方式。采用了四位电容阵列,实现了6 GHz的宽调谐范围;通过可配置电容偏置电压的方法,使得相邻子带频率重叠范围达到41.8%。为了提高压控振荡器的噪声性能,采用了自行设计的高Q值八字电感,EMX仿真下Q值为27.12。通过Cadence仿真软件对电路进行仿真优化,实际芯片流片测试结果表明,该VCO实现了23.77~30.05 GHz的宽调谐范围,1.1 V电源下工作电流为2.2 mA,功耗为2.42 mW,相位噪声为-103.05 dBc/Hz@1 MHz和-123.27 dBc/Hz@10 MHz。 展开更多
关键词 集成电路 压控振荡器 低功耗 低噪声 调谐范围 雷达
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氧化型VCSELs的可靠性及失效分析
12
作者 张玉岐 赵佳 《光通信技术》 北大核心 2024年第1期60-65,共6页
为了研究氧化型垂直腔表面发射激光器(VCSELs)的可靠性寿命模型和失效模式,对含有AlGaAs/GaAs量子阱的氧化型VCSELs进行了不同应力条件的老化实验,使用外推函数求得VCSELs的失效寿命,进而求得了不同应力条件下的中值寿命,并结合VCSELs... 为了研究氧化型垂直腔表面发射激光器(VCSELs)的可靠性寿命模型和失效模式,对含有AlGaAs/GaAs量子阱的氧化型VCSELs进行了不同应力条件的老化实验,使用外推函数求得VCSELs的失效寿命,进而求得了不同应力条件下的中值寿命,并结合VCSELs的结温获得准确的寿命模型。最后,采用透射电子显微镜(TEM)分析了氧化型VCSELs的主要失效特征和原因。测试与试验结果表明:含有AlGaAs/GaAs量子阱的氧化型VCSELs的寿命模型参数激活能为0.55 eV,电流加速因子为2.01;氧化型VCSELs失效原因主要与具有内在应力的氧化层相关。 展开更多
关键词 氧化型垂直腔表面发射激光器 可靠性 寿命 激活能 失效模式 氧化层
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一款基于5G应用的宽带低功耗LNA设计 被引量:1
13
作者 李靖 陈磊 《电子设计工程》 2024年第13期158-162,共5页
针对目前5G毫米波通信以及雷达系统应用要求,设计了一款等效跨导增强的宽带低噪声放大器(LNA)。整体架构采用差分形式,有源部分由共栅管与共源管(Cascode)组成,输入端采用一种三线圈反向耦合变压器,实现了宽带输入匹配、单端到差动转换... 针对目前5G毫米波通信以及雷达系统应用要求,设计了一款等效跨导增强的宽带低噪声放大器(LNA)。整体架构采用差分形式,有源部分由共栅管与共源管(Cascode)组成,输入端采用一种三线圈反向耦合变压器,实现了宽带输入匹配、单端到差动转换、等效跨导增强和噪声抑制等功能。宽带电路由级间双峰Balun实现。整体电路采用SMIC 40 nm CMOS工艺进行设计,后仿真结果表明,在1.1 V电源电压下,LNA实现了9 GHz的带宽,15 dBm功率增益,NF为3 dB,IIP3大于-1.7 dBm,输入回波损耗S11小于-10 dB。 展开更多
关键词 5G毫米波通信 CMOS LNA 宽带 等效跨导增强
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高功率半导体激光器过渡热沉封装技术研究 被引量:1
14
作者 周小舒 黄庆 《科技资讯》 2024年第18期84-86,共3页
首先,通过有效改善激光器的热管理和稳定性能,包括热沉设计、封装材料选择、界面优化等,这些措施共同作用于激光器的热管理系统中,以确保激光器在高功率运行下仍能保持稳定和高效的性能。其次,通过热分析和模拟,优化过渡热沉与激光器芯... 首先,通过有效改善激光器的热管理和稳定性能,包括热沉设计、封装材料选择、界面优化等,这些措施共同作用于激光器的热管理系统中,以确保激光器在高功率运行下仍能保持稳定和高效的性能。其次,通过热分析和模拟,优化过渡热沉与激光器芯片之间的界面接触,降低接触热阻,提高热传导效率。最后,通过仿真计算和实验验证,评估技术的性能和优化效果。研究表明,这些技术对提高激光器的散热效果和长期稳定性具有重要意义,并推动激光器技术的发展。 展开更多
关键词 过渡热沉 高功率半导体激光器 焊料 材料热阻
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应用于5.8 GHz频段雷达的高性能VCO的设计
15
作者 张敬 陈磊 《电子设计工程》 2024年第17期117-121,126,共6页
为满足5.8 GHz频段的多普勒雷达系统应用需要,设计了一种基于HLMC 55 nm射频CMOS工艺的低功耗、低噪声、宽调谐范围压控振荡器(VCO)。该VCO采用了5位电容阵列,实现了4.9 GHz到7.3 GHz共2.4 GHz的宽调谐范围,且通过压控电容偏置方法,使... 为满足5.8 GHz频段的多普勒雷达系统应用需要,设计了一种基于HLMC 55 nm射频CMOS工艺的低功耗、低噪声、宽调谐范围压控振荡器(VCO)。该VCO采用了5位电容阵列,实现了4.9 GHz到7.3 GHz共2.4 GHz的宽调谐范围,且通过压控电容偏置方法,使得相邻子带频率重叠范围达到50%以上;为了提高VCO的噪声性能,使用了自行设计的8字电感,EM仿真下电感值为1.04 nH,品质因素Q值为16.8。后仿真结果表明,该VCO在1.2 V电源下工作电流1.5 mA,功耗1.8 mW。该VCO关注低频部分的相位噪声,优化相位噪声在100 Hz偏移处为-12 dBc/Hz,在1 MHz偏移处为-108.6 dBc/Hz,在10 MHz偏移处为-130.3 dBc/Hz。 展开更多
关键词 压控振荡器 低功耗 相位噪声 调谐范围 多普勒雷达
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基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源 被引量:11
16
作者 罗毅 徐建明 +3 位作者 黄缙 孙长征 熊兵 蔡鹏飞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期200-204,共5页
直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温... 直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温度特性,其特征温度达到了88 K。同时,该直接调制激光器的3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz。随后介绍面向40 Gb/s干线传输系统的高速DFB激光器/EA调制器集成光源。该集成光源采用同一外延层集成方案,并采用Al2O3高速微波热沉进行了管芯级封装,在3 V反向偏压下获得大于13 dB的静态消光比,3 dB小信号调制带宽超过40 GHz。 展开更多
关键词 直接调制 外调制 DFB激光器 EA调制器 同一外延层结构 单片集成
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GaN基发光二极管的可靠性研究进展 被引量:10
17
作者 艾伟伟 郭霞 +3 位作者 刘斌 宋颖娉 刘莹 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期161-165,共5页
高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证。本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面... 高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证。本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 退化机理 可靠性
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单节锂离子电池保护电路的改进 被引量:8
18
作者 邹雪城 李育超 +1 位作者 姜娟 郭振宗 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期54-57,共4页
提出了一种低成本的单节锂电池保护回路系统,采用0.6μm混合信号CMOS工艺和修调技术使芯片具有低功耗、高精度检测电压等特点.通过基准电路和取样电路设计的改进,使保护电路实现了多种保护功能,并且具有很高的检测电压精度.模拟结果表明... 提出了一种低成本的单节锂电池保护回路系统,采用0.6μm混合信号CMOS工艺和修调技术使芯片具有低功耗、高精度检测电压等特点.通过基准电路和取样电路设计的改进,使保护电路实现了多种保护功能,并且具有很高的检测电压精度.模拟结果表明,该电路在温度为25℃时过充电保护电压的检测精度达到了±25 mV,耗电流仅为3.5μA,满足高精度检测电压的要求. 展开更多
关键词 锂离子电池 高精度 修调技术 基准电路 采样电路
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激光二极管正向电特性的精确检测 被引量:6
19
作者 丛红侠 冯列峰 +4 位作者 王军 朱传云 王存达 谢雪松 吕长志 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期105-109,共5页
采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此... 采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此外还观察到,在较低的测试频率和较大的正向电压下,激光二极管的结电容具有负值. 展开更多
关键词 正向交流特性 激光二极管 激光阈值 阶跃 结电压饱和 负电容
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用于光通信系统的可调谐半导体激光器 被引量:9
20
作者 高劭宏 黄德修 +2 位作者 高彦锟 杨新民 刘德明 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-4,9,共5页
光通信的发展需要宽带可调谐的光源。文章概述了用于光通信系统中的可调谐半导体激光器的研究进展。
关键词 可调谐半导体激光器 光通信 分布反馈 分布布拉格反射器
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