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X波段高功率InP/InGaAs单行载流子光电二极管
1
作者 杨大宝 刘波 +3 位作者 周幸叶 许婧 邢东 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1001-1005,共5页
为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速... 为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速电子通过异质结界面,从而起到缓解异质结电子积聚的作用,增大了芯片的3 dB带宽;在吸收层和收集层间增加一层n型掺杂InP崖层,以增强异质结界面的电场,有效缓解了芯片空间电荷效应。为提高器件的高功率输出性能,将芯片阳极结直径增大到40μm,以增加芯片的散热面积;将背入射式芯片以倒装焊方式安装到300μm厚的金刚石基片上,以提高其散热性能。经测试,在1.55μm波长的激光照射下,该CC-MUCT-PD芯片的响应度在-6 V偏压下达到0.7 A/W,在10 GHz处脉冲输出功率为313 mW。 展开更多
关键词 高输出功率 电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD) 高斯掺杂 背入射 金刚石基底
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吸收电荷倍增分离型雪崩光电探测器的穿通现象研究
2
作者 李冲 马子怡 +6 位作者 杨帅 刘玥雯 王稼轩 刘云飞 董昱森 李紫倩 刘殿波 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第3期327-334,共8页
本文研究了吸收电荷倍增分离型雪崩光电探测器(Separate Absorption,Charge and Multiplication Avalanche Photodetector,SACM APD)的穿通特性。基于器件的光谱响应、电容特性以及不同工作温度下的I-V特性,结合SILVACO仿真平台计算得... 本文研究了吸收电荷倍增分离型雪崩光电探测器(Separate Absorption,Charge and Multiplication Avalanche Photodetector,SACM APD)的穿通特性。基于器件的光谱响应、电容特性以及不同工作温度下的I-V特性,结合SILVACO仿真平台计算得到了器件内部电场和能带分布,分析了SACM型APD穿通前后的器件性能并建立了相应的数学模型。通过优化硅基SACM型APD器件的结构参数和工艺参数,当场控层离子注入能量为580 keV时,仿真得到,优化结构器件的穿通阈值电压为-30 V,电容降低至穿通前的1/3。基于互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)工艺制备了硅SACM型APD器件。测试得到器件的穿通阈值电压为-30 V,穿通时光电流升高至原来的2.18倍(808 nm),响应峰值波长由穿通前的590 nm红移至穿通后的820 nm,峰值响应度由0.171 A/W@590 nm升高至0.377 A/W@820 nm,电容降低为穿通前的1/3(1 MHz)。 展开更多
关键词 穿通 吸收电荷倍增分离 硅基雪崩探测器 电容
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AlGaN基远紫外LED研究进展
3
作者 顾哲恺 郭亚楠 +2 位作者 李晋闽 王军喜 闫建昌 《照明工程学报》 2025年第5期1-9,共9页
发光波段短于250 nm的AlGaN基远紫外LED在安全消杀、无创光疗、环境监测等领域有着巨大的应用潜力,近年来逐渐成为紫外LED领域的新热点。本文介绍了国内外在AlGaN基远紫外LED发光效率提升方面的新进展,并从外延材料生长、n/p型掺杂效率... 发光波段短于250 nm的AlGaN基远紫外LED在安全消杀、无创光疗、环境监测等领域有着巨大的应用潜力,近年来逐渐成为紫外LED领域的新热点。本文介绍了国内外在AlGaN基远紫外LED发光效率提升方面的新进展,并从外延材料生长、n/p型掺杂效率、量子结构设计、光提取效率和可靠性等角度综合分析了研发挑战和技术解决方案。 展开更多
关键词 远紫外LED 外延 掺杂 载流子限制 光提取 可靠性
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基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
4
作者 唐鑫 柳志成 +1 位作者 江弘胜 李国强 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期443-448,共6页
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀... 针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀的NiO薄层,形成了异质结核壳结构。得益于GaN纳米柱阵列异质结的结构优势,如高吸光特性和高载流子迁移率,制备的紫外光电探测器在没有任何电源的情况下,在365 nm波长紫外光照射下展现出高响应度(350 mA/W)、短响应(上升/下降)时间(36 ms/42 ms)、高电流开关比(2.1×10^(5))和高紫外-可见光抑制比(2.9×10^(4)),性能优于目前报道的薄膜型异质结紫外光电探测器,在下一代紫外光探测中显示出巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 NiO/GaN 紫外光电探测器 纳米柱阵列异质结 分子束外延(MBE) 高温热氧化法 自供电光探测
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基于MoTe_2/MoWSe_4范德华异质结的近红外偏振光电探测器
5
作者 彭松 奚水清 +2 位作者 刘秋佐 严雪峰 骆鹏 《半导体光电》 北大核心 2025年第5期861-866,共6页
针对传统MoTe_(2)探测器对入射光偏振不敏感的问题,提出一种基于MoTe_(2)/MoWSe_(4)范德华异质结的新型近红外偏振光电探测器。通过结合MoTe_(2)的宽光谱红外响应特性和MoWSe_4的面内各向异性,该器件实现了532~1 550 nm宽波段范围内的... 针对传统MoTe_(2)探测器对入射光偏振不敏感的问题,提出一种基于MoTe_(2)/MoWSe_(4)范德华异质结的新型近红外偏振光电探测器。通过结合MoTe_(2)的宽光谱红外响应特性和MoWSe_4的面内各向异性,该器件实现了532~1 550 nm宽波段范围内的高性能偏振探测。实验结果表明,其偏振消光比达到1.5,并具备自驱动探测能力。此外,在532 nm激光照射下,该器件响应度高达19 A/W,探测率达6.9×10^(9) Jones,展现出优异的光电探测性能。该研究不仅为红外偏振探测提供了全新的材料平台,也为发展下一代紧凑型红外偏振成像系统奠定了重要的理论与实验基础,在环境遥感、食品安全、生物医学成像等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 MoTe_2 MoWSe_4 异质结 偏振
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溴基钙钛矿半透明太阳能电池的研究进展
6
作者 朱穆言 颜平远 +4 位作者 王成强 向晨红 武子涵 李衡 盛传祥 《光电子技术》 2025年第1期33-44,共12页
概述了溴基钙钛矿材料的基本性质,调研了近些年对FAPbBr3和CsPbBr3两种纯溴基钙钛矿的研究进展,详细梳理了部分离子掺杂对溴基钙钛矿及其器件性能的影响机制,分析了影响钙钛矿半透明太阳能电池效率和透明度的因素,列举了钙钛矿半透明太... 概述了溴基钙钛矿材料的基本性质,调研了近些年对FAPbBr3和CsPbBr3两种纯溴基钙钛矿的研究进展,详细梳理了部分离子掺杂对溴基钙钛矿及其器件性能的影响机制,分析了影响钙钛矿半透明太阳能电池效率和透明度的因素,列举了钙钛矿半透明太阳能电池的优化方案,包括改良顶部电极材料、设计微观结构、构造叠层电池等。还介绍了一些大规模制备半透明钙钛矿薄膜的策略,并讨论了溴基钙钛矿应用于半透明太阳能电池领域的优势和前景。研究表明:溴基钙钛矿半透明太阳能电池因为其天然的可见光透过率和结构稳定性,有望成为钙钛矿太阳能电池研究和产业化的热门题材。 展开更多
关键词 溴基钙钛矿 半透明太阳能电池 掺杂
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基于手性有机小分子材料的圆偏振光电突触二极管器件
7
作者 黄伟龙 陈惠鹏 《功能材料与器件学报》 2025年第2期113-120,共8页
随着数字化进程的持续推进,光信号处理的复杂度急剧攀升。在单一器件上实现对光信号的多功能、可切换处理,已成为一项重要的研究目标。基于此,我们成功研发出一种基于手性有机小分子材料的光电二极管器件。该器件能够在负电压或零电压... 随着数字化进程的持续推进,光信号处理的复杂度急剧攀升。在单一器件上实现对光信号的多功能、可切换处理,已成为一项重要的研究目标。基于此,我们成功研发出一种基于手性有机小分子材料的光电二极管器件。该器件能够在负电压或零电压条件下高精度地区分不同旋向的圆偏振光,表现出优异的圆偏振光探测性能。当切换至正偏压状态时,器件在界面层出现电荷累积现象,使得界面电导率发生变化,从而产生突触效应。该器件的双模式切换特性突破了传统光电器件的功能单一性限制,其创新设计结合了手性材料的光电协同调控与突触仿生机制,为光通信、智能感知与神经形态计算等领域提供了多功能集成化的解决方案,展现出推动新一代光电技术发展的潜力。 展开更多
关键词 手性有机小分子 光电二极管 圆偏振光 光电突触 光通信
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用于InGaAs单光子探测器的微透镜阵列及表征 被引量：1
8
作者 张晨阳 莫德锋 +4 位作者 徐红艳 马英杰 顾溢 李雪 苏文献 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1667-1675,共9页
微透镜与探测器芯片的集成应用可以提高探测器的光能利用效率,从而提高探测器的灵敏度。针对两种InP基InGaAs单光子红外探测器,分别设计了材料为磷化镓和硅的两种方形孔径微透镜阵列。介绍了微透镜阵列结构参数的设计流程并分析了每个... 微透镜与探测器芯片的集成应用可以提高探测器的光能利用效率,从而提高探测器的灵敏度。针对两种InP基InGaAs单光子红外探测器,分别设计了材料为磷化镓和硅的两种方形孔径微透镜阵列。介绍了微透镜阵列结构参数的设计流程并分析了每个步骤的设计要点,利用光线追迹软件对设计的微透镜阵列结构参数进行仿真校核,确定了两种微透镜阵列符合设计要求。使用台阶仪和共聚焦显微镜对制作完成的两种微透镜阵列进行了形貌检测,计算得出两种微透镜阵列的曲率偏差分别为1.38%和3.44%。实验测试了1.064μm波长下两种微透镜阵列在空气中的焦距,与模拟结果对比,得到焦距偏差为5.69%和2.76%。通过分析微透镜的制作工艺,两种偏差符合应用需求。 展开更多
关键词 微透镜阵列 光探测器 光能利用率 矩形孔径
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单光子雪崩二极管SPICE仿真模型的建立和应用 被引量：1
9
作者 匡华 鞠国豪 +1 位作者 徐星 程正喜 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第1期42-48,共7页
单光子雪崩二极管(SPAD)作为一种高效的光子探测器件被广泛应用于量子通信和三维成像等领域。在Cadence中建立了一个SPAD的Spice模型,通过Verilog-A语言,采用两个e指数函数的组合,以连续函数的方式描述了SPAD在盖革模式区等效电阻的动... 单光子雪崩二极管(SPAD)作为一种高效的光子探测器件被广泛应用于量子通信和三维成像等领域。在Cadence中建立了一个SPAD的Spice模型,通过Verilog-A语言,采用两个e指数函数的组合,以连续函数的方式描述了SPAD在盖革模式区等效电阻的动态变化。这两个e指数函数分别体现了高阻区和低阻区的等效电阻特性,解决了分段电阻模型仿真不收敛的问题。该Spice模型模拟了SPAD器件在“接收光子-雪崩产生脉冲-淬灭-复位”工作过程中的动态特性和SPAD从正偏到二次击穿的静态I-V特性。将其应用到4种不同淬灭电路的仿真中,验证了该模型的有效性和稳定性。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 SPICE模型 Cadence仿真 淬灭电路 门控模式
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高速大像素CMOS图像传感器中钳位光电二极管形状设计的研究进展
10
作者 张文轩 程正喜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期514-523,共10页
采用钳位光电二极管(PPD)的CMOS图像传感器,由于其优异的性能,已成为图像传感领域中占主导地位的技术。然而,更大尺寸PPD的应用在电荷传输速度和效率方面存在挑战,特别是在微光、高速探测的场景中,传统的像素设计难以满足必要的性能标... 采用钳位光电二极管(PPD)的CMOS图像传感器,由于其优异的性能,已成为图像传感领域中占主导地位的技术。然而,更大尺寸PPD的应用在电荷传输速度和效率方面存在挑战,特别是在微光、高速探测的场景中,传统的像素设计难以满足必要的性能标准。一种有效的方法是通过PPD的形状设计来提升大像素性能。首先全面概述了产生PPD横向电场的两种机制:边缘电场设计和钳位电压调制,并探讨了基于这两种设计策略的各种设计改进。然后总结了传输栅-浮空扩散(TG-FD)节点收集结构及像素整体布局优化的相关研究进展。此外,还研究了PPD的形状设计对暗电流的影响。通过全面分析PPD形状设计中采用的方法,为提升大像素设计提供了参考。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 大尺寸像素 横向电场 电荷转移 暗电流
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用于隧道路面检测的照明系统设计
11
作者 成姗姗 陈智利 +1 位作者 张媛 蒋成斌 《照明工程学报》 2024年第1期76-83,共8页
为保证隧道路面检测系统的高检测精度,本研究设计了一款适用于自动路面检测系统的双光源照明系统来实现被测路面的均匀照明。该系统通过9×7矩形LED阵列配以矩形复合抛物面聚光器对5 m×2.2 m的路面进行双光源倾斜照明,两光源... 为保证隧道路面检测系统的高检测精度,本研究设计了一款适用于自动路面检测系统的双光源照明系统来实现被测路面的均匀照明。该系统通过9×7矩形LED阵列配以矩形复合抛物面聚光器对5 m×2.2 m的路面进行双光源倾斜照明,两光源之间的距离为1.3 m,向车辆后方及车辆外侧分别倾斜13°和26°。经过不断优化,在1.8 m的照明高度下,该系统的光照均匀度达到84.24%,被测路面的平均光照度达到21 135 lx,光能利用率为58.5%。相较于目前隧道路面检测的照明系统,本文设计的系统稳定性较好、照度较高、照明范围较大,公差要求原则上满足现代加工水平,并且成本较低、寿命较长、结构紧凑、容易装调,可满足隧道路面检测的照明需求。 展开更多
关键词 照明系统设计 隧道路面检测 LED阵列 双光源照明 抛物面聚光器
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基于β-Ga_(2)O_(3)/NiO异质结日盲光电探测器性能研究
12
作者 关幼幼 陈海峰 +2 位作者 郭天翔 陆芹 刘祥泰 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期528-537,共10页
采用原子层沉积法(ALD)在氧化硅衬底上沉积厚度为60 nm的氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,制备基于β-Ga_(2)O_(3)/NiO异质结结构的日盲光电探测器,研究器件的电极间距(d)、薄膜退火温度和欧姆退火温度对其光电性能的影响。研究结果显示,随着d... 采用原子层沉积法(ALD)在氧化硅衬底上沉积厚度为60 nm的氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,制备基于β-Ga_(2)O_(3)/NiO异质结结构的日盲光电探测器,研究器件的电极间距(d)、薄膜退火温度和欧姆退火温度对其光电性能的影响。研究结果显示,随着d从30μm缩短至10μm时,器件的光电流(Iphoto)、暗电流(Idark)、光响应度(R)、外部量子效率(EQE)和比探测率(D^(*))增大,上升时间(τr)和下降时间(τd)缩短。随着薄膜退火温度从500℃升至900℃时,器件的Iphoto、Idark、R、 EQE和D^(*)增大,τr和τd缩短。随着欧姆退火温度从350℃升至550℃时,Iphoto、Idark、R和EQE增大,τr和τd缩短。研究表明器件的光电性能在d为10μm、薄膜退火温度为900℃且欧姆退火温度为550℃的条件下最优,在10 V偏压时对应的光暗电流比(PDCR)为1802.63,R为5.27×10^(2)A/W,EQE为257587.76%,D^(*)为5.45×10^(13)Jones。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 原子层沉积 NIO 异质结 光电探测器 退火温度
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与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计 被引量：11
13
作者 毛陆虹 陈弘达 +6 位作者 吴荣汉 唐君 梁琨 粘华 郭维廉 李树荣 吴霞宛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期193-197,共5页
用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm ... 用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm COMS工艺制做了该探测器 ,实际测试了该器件的频率响应和波长响应 ,探测器频率响应在 1GHz以上 ,峰值波长响应在 0 .6 9μm. 展开更多
关键词 光电探测器 器件模拟 CMOS工艺 兼容 设计
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硅雪崩光电二极管单光子探测器 被引量：33
14
作者 梁创 aphy.iphy.ac.cn +2 位作者 廖静 梁冰 吴令安 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第12期1142-1147,共6页
将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下 ,制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器 .设计并制作了雪崩抑制电路 ,获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间1 μs,有源抑制下 60～ 80 ns,输出脉冲宽度 1 5～ 2 0 ns.并详细检测... 将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下 ,制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器 .设计并制作了雪崩抑制电路 ,获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间1 μs,有源抑制下 60～ 80 ns,输出脉冲宽度 1 5～ 2 0 ns.并详细检测了探测器直到液氮温度下的特性 . 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 单光子探测器 APD
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一种基于伪失效寿命的LED可靠性快速评价方法 被引量：9
15
作者 郭伟玲 樊星 +2 位作者 崔德胜 吴国庆 俞鑫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期213-217,共5页
提出一种快速评价LED可靠性的有效方法。通过测试LED样品的伪失效寿命,结合Minitab软件进行数据分析,确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺度参数,比较不同样品的尺度参数来评价产品的可靠性。该方法... 提出一种快速评价LED可靠性的有效方法。通过测试LED样品的伪失效寿命,结合Minitab软件进行数据分析,确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺度参数,比较不同样品的尺度参数来评价产品的可靠性。该方法对LED的可靠性评价和寿命预测有一定的参考价值。 展开更多
关键词 发光二极管 定时截尾试验 伪失效寿命 威布尔分布
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图形化蓝宝石衬底工艺研究进展 被引量：10
16
作者 黄成强 夏洋 +6 位作者 陈波 李超波 万军 汪明刚 饶志鹏 李楠 张祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期497-503,581,共8页
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底... 图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用,与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比,PSS-LED的发光功率提高了30%左右。图形化蓝宝石衬底技术的发展经历了从早期的条纹状图形到目前应用较广的半球形和锥形图形,从湿法刻蚀到干法刻蚀,从微米级到纳米级图形的演变。由于能够显著提高LED亮度,纳米级图形化蓝宝石必将得到广泛的运用。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底 发光二极管 光刻 纳米压印 刻蚀
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AlGaInP高亮度发光二极管 被引量：7
17
作者 李玉璋 王国宏 +3 位作者 马骁宇 曹青 王树堂 陈良惠 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第2期110-114,共5页
分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取... 分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率，而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管，发光波长峰值在６０５ｎｍ，ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ，２０ｍＡ工作电流下，５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ，最大３０ｍｃｄ，平均工作电压１．９Ｖ，透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。 展开更多
关键词 发光二极管 低压 有机金属 气相外延 铝镓铟磷
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基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究 被引量：6
18
作者 胡居广 刁雄辉 +5 位作者 李学金 林晓东 李佑国 刘毅 龙井华 李启文 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期330-335,共6页
用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制... 用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms。 展开更多
关键词 紫外探测器 MgZnO薄膜 温度 脉冲激光沉积
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二维PSD的结构和性能分析 被引量：17
19
作者 唐九耀 黄梅珍 陈钰清 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期301-304,共4页
从二维PSD的结构和性能的比较出发，对枕型结构PSD的性能作了理论上的推导和分析，由此得到的结论和现有的实验结果相符。
关键词 二维PSD 横向光电效应 Gear定理 位置敏感探测器
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近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED 被引量：6
20
作者 宋国华 缪建文 +1 位作者 姜斌 郁幸超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期586-590,共5页
使用发射波长为395～400 nm的近紫外LED芯片来激发发射峰值波长分别在615,505和445 nm的红绿蓝三基色荧光粉,建立三基色荧光粉混光理论模型,制作不同色温下高显色指数白光发光二极管,研究其光电特性。实验结果表明,采用近紫外激发的三... 使用发射波长为395～400 nm的近紫外LED芯片来激发发射峰值波长分别在615,505和445 nm的红绿蓝三基色荧光粉,建立三基色荧光粉混光理论模型,制作不同色温下高显色指数白光发光二极管,研究其光电特性。实验结果表明,采用近紫外激发的三基色白光器件色温为3 000～9 000 K范围内,其显色指数均能保持在80～90之间;当色温大于5 000 K时,显色指数可以达到85;测试结果与理论计算吻合良好。最后,实验证明加入TiO2粉末可消除白光LED中残余近紫外线,三基色荧光粉白光LED色度参数受工作电流变化的影响较小。 展开更多
关键词 白光LED 近紫外芯片 荧光粉 显色指数 色温
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