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快速一步液相沉积法制备的高性能单晶CsPbBr_(3)光电探测器
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作者 苏志城 云文磊 +2 位作者 黄子林 陈琴棋 郭喜涛 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期30-36,共7页
金属卤化物钙钛矿具有优异的光电特性,然而,通过溶液技术制备钙钛矿光电探测器仍存在工艺繁琐且耗时的问题。通过快速一步液相沉积法,在叉指金电极上直接合成大尺寸的CsPbBr3微米片,并构建了基于单晶钙钛矿的光电探测器。所合成的CsPbBr... 金属卤化物钙钛矿具有优异的光电特性,然而,通过溶液技术制备钙钛矿光电探测器仍存在工艺繁琐且耗时的问题。通过快速一步液相沉积法,在叉指金电极上直接合成大尺寸的CsPbBr3微米片,并构建了基于单晶钙钛矿的光电探测器。所合成的CsPbBr3微米片具有光滑的表面、优异的结晶性以及极低的缺陷密度(4.58×10^(11)cm^(-3))。得益于这些优势,该CsPbBr_(3)微米片光电探测器在447 nm波长光照下综合性能优异,显示出1.72 A/W的高响应度、8.2×10^(11)Jones的大比探测率和超快的响应速度(上升/下降时间为95.7μs/73.6μs)。本研究为高质量CsPbBr3的制备及其高性能光电器件的集成提供了简单、快速的途径。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)钙钛矿 单晶 一步液相沉积 叉指金电极 光电探测器
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真空低温条件下LED照明系统的设计与实现研究
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作者 李培印 李强 +2 位作者 李天水 杜春林 郭子寅 《照明工程学报》 2025年第5期34-39,共6页
LED灯具以其节能、环保和长寿命等优点广泛应用于各个领域。然而,在空间环境模拟器的真空热试验中,LED灯具在真空(<1×10^(-3) Pa)和低温(-196℃)条件下出现了无法点亮的问题。研究发现,启动时LED灯具的结点温度仅为100 K左右,... LED灯具以其节能、环保和长寿命等优点广泛应用于各个领域。然而,在空间环境模拟器的真空热试验中,LED灯具在真空(<1×10^(-3) Pa)和低温(-196℃)条件下出现了无法点亮的问题。研究发现,启动时LED灯具的结点温度仅为100 K左右,导致正向电压显著增大,从而阻碍了灯具的启动。针对该问题,本文对LED灯具进行热设计并改进照明系统启动电路,成功实现在真空低温环境下的点亮。该LED照明系统已在我国某型号真空热试验中得到应用,有效拓展了LED光源的使用范围,为空间环境模拟器提供了可靠的照明技术支持。 展开更多
关键词 LED灯 热试验 空间环境 真空低温
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4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应
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作者 叶思恩 黄丹阳 +2 位作者 付祥和 赵小龙 贺永宁 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第5期29-35,共7页
当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压... 当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压的减小而下降,当光电晶体管偏置在3 V下,响应度下降到2.25 A/W。电子束辐照还会影响紫外探测器的开关响应,使响应的总时间变长。结合光电晶体管工作时的电路模型,电子束辐照后引起光产生电流减小、晶体管增益下降和串联电阻增大是引起光电探测器紫外响应性能退化的主要原因。 展开更多
关键词 4H-SiC探测器 双极型晶体管 电子束辐照 响应电流 紫外探测
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Sap500型单光子雪崩光电二极管低时间抖动探测电路的优化
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作者 赵菡 王煜蓉 +1 位作者 李召辉 吴光 《量子光学学报》 北大核心 2025年第4期84-89,共6页
单光子雪崩光电二极管(Single-photon avalanche photodiode,SPAD)具有高探测效率、高时间分辨率、尺寸小、易集成等优点,在激光测距、三维成像等方向有重要的应用。光子飞行时间是这些应用的核心物理量之一,而SPAD时间抖动是决定光子... 单光子雪崩光电二极管(Single-photon avalanche photodiode,SPAD)具有高探测效率、高时间分辨率、尺寸小、易集成等优点,在激光测距、三维成像等方向有重要的应用。光子飞行时间是这些应用的核心物理量之一,而SPAD时间抖动是决定光子飞行时间测量精度的主要因素。为研制低时间抖动探测电路,本文搭建全波形数字化单光子雪崩脉冲采集分析装置,定量分析雪崩脉冲的幅度涨落与脉冲沿速率对时间抖动的影响,建立了时间抖动的耦合模型,为探测电路优化提供量化参数。基于这些量化分析,本文在模拟信号输出端采用微分电路抑制雪崩脉冲的幅度涨落,进一步降低了时间抖动,实验结果符合时间抖动耦合模型的预期。最终,本文中设计了平衡电路抑制尖峰噪声,将Sap500型SPAD探测模块的时间抖动从典型的500 ps降至128 ps。该探测电路可以显著降低SPAD的时间抖动,进而大幅提升单光子激光测距和成像的精度。 展开更多
关键词 单光子探测 单光子雪崩光电二极管 时间抖动 全波形分析
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表面粗糙度对WS_(2)/Pt肖特基结光响应性能的影响
5
作者 殷泽宇 牟海川 +1 位作者 王瑞斌 刘杰 《华东理工大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期428-436,共9页
对通过化学气相沉积法生长、Pt纳米颗粒(Pt Nanoparticles,Pt NPs)修饰的多层WS_(2)的表面粗糙度进行了0~4 min不同时长的紫外臭氧处理。当处理时长为2 min时,WS_(2)的表面粗糙度(Sa)达到最大值,约为14 nm,这种现象主要归因于紫外臭氧对... 对通过化学气相沉积法生长、Pt纳米颗粒(Pt Nanoparticles,Pt NPs)修饰的多层WS_(2)的表面粗糙度进行了0~4 min不同时长的紫外臭氧处理。当处理时长为2 min时,WS_(2)的表面粗糙度(Sa)达到最大值,约为14 nm,这种现象主要归因于紫外臭氧对WS_(2)表面的氧化形成了非晶态的WO_(x)。随着处理时长延长,多层WS_(2)下层的新鲜WS_(2)暴露,氧化效应得到缓解。实验表明,经2 min紫外臭氧处理后的WS_(2)/Pt肖特基结在400~900 nm范围内展现出优异的光响应性能,特别是在近红外波段750nm处,其响应度高达18A/W,相比未处理的WS_(2)/Pt肖特基结的响应度提高了约60%,这主要归因于紫外臭氧处理使得WS_(2)/Pt肖特基结中WS_(2)表面粗糙化,粗糙度的增加增强了光激发而产生的电子-空穴对的分离,同时还增加了从Pt到WS_(2)的热电子注入。 展开更多
关键词 WS_(2) PT纳米粒子 热电子 紫外臭氧 光响应
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适用于APD阵列的TDC电路研究进展
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作者 余越 王静 喻松林 《激光与红外》 北大核心 2025年第4期491-500,共10页
基于APD阵列的探测系统非常适合超高灵敏度、超高速探测,在主被动成像、激光雷达、医学检测、波前探测、光纤通信等领域应用广泛,时间数字转换器(Timeto Digital Converter,TDC)是其中的核心电路,完成对光子飞行时间(Time of Flight,ToF... 基于APD阵列的探测系统非常适合超高灵敏度、超高速探测,在主被动成像、激光雷达、医学检测、波前探测、光纤通信等领域应用广泛,时间数字转换器(Timeto Digital Converter,TDC)是其中的核心电路,完成对光子飞行时间(Time of Flight,ToF)的高精度量化,对TDC电路的研究具有非常重要的军事和民用价值。本文首先介绍了TDC电路的原理与最简单的直接计数型结构,然后按三种典型结构分别综述了国内外适用于APD阵列的TDC电路的发展历程和最新成果,其中主要介绍了相位插值型TDC,最后比较了三种典型结构的特点,并总结了未来研究趋势。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 时间数字转换器 光子飞行时间 距离探测
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PSD在激光位移检测系统中的应用研究 被引量:25
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作者 段洁 孙向阳 +2 位作者 蔡敬海 周娜 肖作江 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期549-552,共4页
PSD(Position Sensitive Detector)是一种新型位置敏感探测器件,具有响应时间短、位置分辨率高、光谱响应范围大等优点。首先介绍了PSD器件的工作机理,阐述了基于光三角原理的激光位移检测系统的工作原理,给出PSD应用于激光位移检测系... PSD(Position Sensitive Detector)是一种新型位置敏感探测器件,具有响应时间短、位置分辨率高、光谱响应范围大等优点。首先介绍了PSD器件的工作机理,阐述了基于光三角原理的激光位移检测系统的工作原理,给出PSD应用于激光位移检测系统的总体结构框图,并且针对PSD的电流信号与被测位移量之间的非线性关系,提出了有效的非线性修正电路。最后通过对影响系统测量精度的因素进行详细分析,从中看出PSD可应用于高精度的激光位移检测系统中,并且具有高速度、高精度、非接触和在线检测等优点。 展开更多
关键词 光学三角原理 PSD 非接触测量
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基于CPLD工作模式可调的线阵CCD驱动电路设计 被引量:18
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作者 谭露雯 李景镇 +1 位作者 陆小微 杨帆 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页
针对传统驱动电路一旦做出修改,则需对硬件或程序进行改变的缺点,以型号为TCD1707D的线阵CCD为例,介绍了一种工作模式可调的驱动方法.该方法是利用复杂可编程逻辑器件和控制外端结合,通过分别设置内外触发来实现的.在外触发模式下,利用... 针对传统驱动电路一旦做出修改,则需对硬件或程序进行改变的缺点,以型号为TCD1707D的线阵CCD为例,介绍了一种工作模式可调的驱动方法.该方法是利用复杂可编程逻辑器件和控制外端结合,通过分别设置内外触发来实现的.在外触发模式下,利用外触发脉冲,可由用户控制CCD的曝光和信号输出时间;内触发时,可以调节CCD的积分时间和驱动频率.为提高信号输出质量,针对EMC问题给出了线阵CCD的外围驱动电路.实验结果表明,该方法调试方便、电路结构简单、集成度较高、输出信号可靠稳定、受干扰小,可配合多种用户需要,对高速精确测量及线阵推扫模式具有一定参考价值. 展开更多
关键词 光电技术 线阵CCD驱动 复杂可编程逻辑器件 工作模式 电磁兼容
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PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断 被引量:8
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作者 马丽芹 程湘爱 +2 位作者 许晓军 李文煜 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期37-39,共3页
 对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进...  对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。 展开更多
关键词 PV型HgCdTe光电探测器 诊断 混沌 功率谱 LYAPUNOV指数 激光辐照 半导体光电探测器
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高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件 被引量:6
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作者 王巍 鲍孝圆 +3 位作者 陈丽 徐媛媛 陈婷 王冠宇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期150-155,共6页
基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p+n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、... 基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p+n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、频率响应等特性进行了分析.仿真结果表明:所设计的单光子雪崩二极管器件结构直径为10μm,扩散n阱保护环宽度为1μm时,雪崩击穿电压为13.2 V,3 dB带宽可达1.6 GHz;过偏压为1 V、2 V时最大探测效率分别高达52%和55%;在波长500~800 nm之间器件响应度较好,波长为680 nm时单位响应度峰值高达0.45 A/W. 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 标准0.35μm CMOS工艺 保护环 深n阱 响应度 3DB带宽 光子探测效率
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高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件 被引量:6
11
作者 王巍 陈婷 +5 位作者 李俊峰 何雍春 王冠宇 唐政维 袁军 王广 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1-7,共7页
基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与... 基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与衬底形成的PN结可有效隔离衬底,降低衬底噪声;采用P阱保护环结构以预防过早边缘击穿现象.通过理论分析确定器件的基本结构参数及工艺参数,并对器件性能进行优化设计.实验结果表明,单光子雪崩二极管的窗口直径为10μm,器件的反向击穿电压为18.4V左右.用光强为0.001 W/cm^2的光照射,650nm处达到0.495A/W的响应度峰值;在2V的过偏压下,650~950nm波段范围内光子探测效率均高于30%,随着反向偏压的适当增大,探测效率有所提升. 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 标准0.18μm CMOS工艺 深N阱 保护环 击穿特性 响应度 光子探测效率
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一种自适应精确调节CCD曝光时间的方法 被引量:8
12
作者 赵晓琳 马秀荣 +2 位作者 彭雪峰 朱均超 郑玉凤 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期870-873,共4页
在设计微光CCD ICX659ALA的驱动电路和驱动时序的基础上,提出了一种自适应精确调节曝光时间的方法。它以CCD读出时钟周期为单位调节曝光时间,提高了系统的响应速度和对外界的适应能力。选用FPGA器件作为硬件设计平台,采用Verilog语言对... 在设计微光CCD ICX659ALA的驱动电路和驱动时序的基础上,提出了一种自适应精确调节曝光时间的方法。它以CCD读出时钟周期为单位调节曝光时间,提高了系统的响应速度和对外界的适应能力。选用FPGA器件作为硬件设计平台,采用Verilog语言对驱动时序进行描述。在QuartusII下的仿真结果和示波器观测结果表明设计的时序能够实现曝光时间的自适应精确调节。 展开更多
关键词 CCD 驱动时序 FPGA 微光 曝光时间
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InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 被引量:6
13
作者 张国栋 徐淑丽 +2 位作者 赵鸿燕 朱炳金 李小宏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期948-951,共4页
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损... 利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23μm×23μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ。 展开更多
关键词 INSB 感应耦合等离子 反应刻蚀 台面形貌 I-V曲线
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低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响 被引量:4
14
作者 亢勇 李雪 +4 位作者 肖继荣 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第1期15-18,共4页
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0... 利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。 展开更多
关键词 GAN 金属-半导体-金属 伏安特性 退火 肖特基势垒
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硅光电倍增探测器温度特性分析与实验 被引量:12
15
作者 戴泽 全林 +2 位作者 程晓磊 张艳 王鲲鹏 《飞行器测控学报》 CSCD 2015年第3期298-302,共5页
SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光电倍增探测器)是近年来逐渐兴起的一种用于光探测领域的光电探测器件。与传统的PMT(Photo-multiplier tube,光电倍增管)相比,它有着尺寸小、工作电压低、几乎不受磁场影响等优点,但其缺点是对环境温... SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光电倍增探测器)是近年来逐渐兴起的一种用于光探测领域的光电探测器件。与传统的PMT(Photo-multiplier tube,光电倍增管)相比,它有着尺寸小、工作电压低、几乎不受磁场影响等优点,但其缺点是对环境温度变化较敏感。为了掌握SiPM性能指标随环境温度的变化规律,搭建了SiPM温度特性实验系统,通过改变环境温度来实时测量记录SiPM的雪崩临界电压和增益,从而定量得出SiPM的温度特性,并通过理论计算对实验数据进行分析。结果表明,当环境温度降低时,SiPM的雪崩临界电压随之线性下降,增益随之线性增大。 展开更多
关键词 光电探测 硅光电倍增探测器(SiPM) 雪崩临界电压 增益 温度特性
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内调制光敏管非线性及温度特性的补偿系统 被引量:4
16
作者 黄启俊 李学文 +2 位作者 钟永春 戴锋 何民才 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期372-375,共4页
介绍了一种在内调制光电探测器的基础上采用单片机系统对其输出信号进行收集并处理 ,构成二次仪表的实现方法。该方法大大改善了内调制光敏管探测器的非线性及温度特性 ,且避免了常规硬件补偿的弊端。
关键词 内调制光电探测器 单片机 温度特性 比色法 补偿系统
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强光照射下的InGaAs二极管内部光生载流子分析(英文) 被引量:7
17
作者 胡伟 豆贤安 孙晓泉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期138-142,共5页
以InGaAs p-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子-空穴的漂移速度,发... 以InGaAs p-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子-空穴的漂移速度,发现低偏置电压或强光辐照都会使耗尽区的电场强度下降,载流子的漂移和扩散速度降低到非饱和状态,使光生载流子的复合率下降,大量载流子聚集在耗尽区内,形成了空间电荷屏蔽效应,导致二极管呈非线性响应状态.在5V偏置电压条件下,增加皮秒激光的脉冲能量,光电二极管的光伏电压响应脉宽逐渐展宽,峰值电压呈非线性变化. 展开更多
关键词 光电二极管 非线性响应 强光辐照 空间电荷屏蔽 耗尽区
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X波段高功率InP/InGaAs单行载流子光电二极管
18
作者 杨大宝 刘波 +3 位作者 周幸叶 许婧 邢东 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1001-1005,共5页
为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速... 为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速电子通过异质结界面,从而起到缓解异质结电子积聚的作用,增大了芯片的3 dB带宽;在吸收层和收集层间增加一层n型掺杂InP崖层,以增强异质结界面的电场,有效缓解了芯片空间电荷效应。为提高器件的高功率输出性能,将芯片阳极结直径增大到40μm,以增加芯片的散热面积;将背入射式芯片以倒装焊方式安装到300μm厚的金刚石基片上,以提高其散热性能。经测试,在1.55μm波长的激光照射下,该CC-MUCT-PD芯片的响应度在-6 V偏压下达到0.7 A/W,在10 GHz处脉冲输出功率为313 mW。 展开更多
关键词 高输出功率 电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD) 高斯掺杂 背入射 金刚石基底
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激光对远程目标光电探测器的干扰技术分析 被引量:7
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作者 周建民 郭劲 付有余 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期326-328,共3页
 采用"猫眼效应"实现了激光对远程目标光电探测器发现与定位后,分析了远程目标光电探测器受激光干扰的可能性、激光干扰的机理及其影响因素,估算了远程目标光电探测器光敏面所接收的激光能量,并以CCD为例进行了激光对CCD的...  采用"猫眼效应"实现了激光对远程目标光电探测器发现与定位后,分析了远程目标光电探测器受激光干扰的可能性、激光干扰的机理及其影响因素,估算了远程目标光电探测器光敏面所接收的激光能量,并以CCD为例进行了激光对CCD的软损伤机制分析,指出软损伤主要是指对CCD的饱和或"饱和串音"。最后还分析了大气效应对激光干扰的影响。 展开更多
关键词 激光 干扰 光电探测器 猫眼效应 远程目标
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AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟 被引量:4
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作者 张春福 郝跃 +1 位作者 张金凤 龚欣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1610-1615,共6页
在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaNp-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaNp-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/i-Al0.33Ga0.67N/n-GaN倒置异质结结构p-i-n光电探测器(invertedhet... 在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaNp-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaNp-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/i-Al0.33Ga0.67N/n-GaN倒置异质结结构p-i-n光电探测器(invertedheterostructurephotodetectors,IHPs)UV/Solar选择比(280nm与320nm响应度之比)的影响.结果表明:优化p层是提高器件光谱响应的有效途径;为获得较高的UV/Solar选择比,光伏模式(零偏压)为太阳盲区p-GaN/i-Al0.33Ga0.67N/n-GaNIHPs的最佳工作模式;在光伏模式下考虑极化效应影响时,Ga面p-GaN/i-Al0.33Ga0.67N/n-GaNIHPs器件的UV/Solar选择比可达750,与Tarsa等人报道的三个量级的实验结果基本一致. 展开更多
关键词 PIN光电探测器 光谱响应 太阳盲区 UV/solar选择比 极化效应
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