期刊文献+
共找到1,303篇文章
< 1 2 66 >
每页显示 20 50 100
真空低温条件下LED照明系统的设计与实现研究
1
作者 李培印 李强 +2 位作者 李天水 杜春林 郭子寅 《照明工程学报》 2025年第5期34-39,共6页
LED灯具以其节能、环保和长寿命等优点广泛应用于各个领域。然而,在空间环境模拟器的真空热试验中,LED灯具在真空(<1×10^(-3) Pa)和低温(-196℃)条件下出现了无法点亮的问题。研究发现,启动时LED灯具的结点温度仅为100 K左右,... LED灯具以其节能、环保和长寿命等优点广泛应用于各个领域。然而,在空间环境模拟器的真空热试验中,LED灯具在真空(<1×10^(-3) Pa)和低温(-196℃)条件下出现了无法点亮的问题。研究发现,启动时LED灯具的结点温度仅为100 K左右,导致正向电压显著增大,从而阻碍了灯具的启动。针对该问题,本文对LED灯具进行热设计并改进照明系统启动电路,成功实现在真空低温环境下的点亮。该LED照明系统已在我国某型号真空热试验中得到应用,有效拓展了LED光源的使用范围,为空间环境模拟器提供了可靠的照明技术支持。 展开更多
关键词 LED灯 热试验 空间环境 真空低温
在线阅读 下载PDF
4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应
2
作者 叶思恩 黄丹阳 +2 位作者 付祥和 赵小龙 贺永宁 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第5期29-35,共7页
当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压... 当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压的减小而下降,当光电晶体管偏置在3 V下,响应度下降到2.25 A/W。电子束辐照还会影响紫外探测器的开关响应,使响应的总时间变长。结合光电晶体管工作时的电路模型,电子束辐照后引起光产生电流减小、晶体管增益下降和串联电阻增大是引起光电探测器紫外响应性能退化的主要原因。 展开更多
关键词 4H-SiC探测器 双极型晶体管 电子束辐照 响应电流 紫外探测
在线阅读 下载PDF
表面粗糙度对WS_(2)/Pt肖特基结光响应性能的影响
3
作者 殷泽宇 牟海川 +1 位作者 王瑞斌 刘杰 《华东理工大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期428-436,共9页
对通过化学气相沉积法生长、Pt纳米颗粒(Pt Nanoparticles,Pt NPs)修饰的多层WS_(2)的表面粗糙度进行了0~4 min不同时长的紫外臭氧处理。当处理时长为2 min时,WS_(2)的表面粗糙度(Sa)达到最大值,约为14 nm,这种现象主要归因于紫外臭氧对... 对通过化学气相沉积法生长、Pt纳米颗粒(Pt Nanoparticles,Pt NPs)修饰的多层WS_(2)的表面粗糙度进行了0~4 min不同时长的紫外臭氧处理。当处理时长为2 min时,WS_(2)的表面粗糙度(Sa)达到最大值,约为14 nm,这种现象主要归因于紫外臭氧对WS_(2)表面的氧化形成了非晶态的WO_(x)。随着处理时长延长,多层WS_(2)下层的新鲜WS_(2)暴露,氧化效应得到缓解。实验表明,经2 min紫外臭氧处理后的WS_(2)/Pt肖特基结在400~900 nm范围内展现出优异的光响应性能,特别是在近红外波段750nm处,其响应度高达18A/W,相比未处理的WS_(2)/Pt肖特基结的响应度提高了约60%,这主要归因于紫外臭氧处理使得WS_(2)/Pt肖特基结中WS_(2)表面粗糙化,粗糙度的增加增强了光激发而产生的电子-空穴对的分离,同时还增加了从Pt到WS_(2)的热电子注入。 展开更多
关键词 WS_(2) PT纳米粒子 热电子 紫外臭氧 光响应
在线阅读 下载PDF
适用于APD阵列的TDC电路研究进展
4
作者 余越 王静 喻松林 《激光与红外》 北大核心 2025年第4期491-500,共10页
基于APD阵列的探测系统非常适合超高灵敏度、超高速探测,在主被动成像、激光雷达、医学检测、波前探测、光纤通信等领域应用广泛,时间数字转换器(Timeto Digital Converter,TDC)是其中的核心电路,完成对光子飞行时间(Time of Flight,ToF... 基于APD阵列的探测系统非常适合超高灵敏度、超高速探测,在主被动成像、激光雷达、医学检测、波前探测、光纤通信等领域应用广泛,时间数字转换器(Timeto Digital Converter,TDC)是其中的核心电路,完成对光子飞行时间(Time of Flight,ToF)的高精度量化,对TDC电路的研究具有非常重要的军事和民用价值。本文首先介绍了TDC电路的原理与最简单的直接计数型结构,然后按三种典型结构分别综述了国内外适用于APD阵列的TDC电路的发展历程和最新成果,其中主要介绍了相位插值型TDC,最后比较了三种典型结构的特点,并总结了未来研究趋势。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 时间数字转换器 光子飞行时间 距离探测
在线阅读 下载PDF
X波段高功率InP/InGaAs单行载流子光电二极管
5
作者 杨大宝 刘波 +3 位作者 周幸叶 许婧 邢东 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1001-1005,共5页
为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速... 为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速电子通过异质结界面,从而起到缓解异质结电子积聚的作用,增大了芯片的3 dB带宽;在吸收层和收集层间增加一层n型掺杂InP崖层,以增强异质结界面的电场,有效缓解了芯片空间电荷效应。为提高器件的高功率输出性能,将芯片阳极结直径增大到40μm,以增加芯片的散热面积;将背入射式芯片以倒装焊方式安装到300μm厚的金刚石基片上,以提高其散热性能。经测试,在1.55μm波长的激光照射下,该CC-MUCT-PD芯片的响应度在-6 V偏压下达到0.7 A/W,在10 GHz处脉冲输出功率为313 mW。 展开更多
关键词 高输出功率 电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD) 高斯掺杂 背入射 金刚石基底
原文传递
吸收电荷倍增分离型雪崩光电探测器的穿通现象研究
6
作者 李冲 马子怡 +6 位作者 杨帅 刘玥雯 王稼轩 刘云飞 董昱森 李紫倩 刘殿波 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第3期327-334,共8页
本文研究了吸收电荷倍增分离型雪崩光电探测器(Separate Absorption,Charge and Multiplication Avalanche Photodetector,SACM APD)的穿通特性。基于器件的光谱响应、电容特性以及不同工作温度下的I-V特性,结合SILVACO仿真平台计算得... 本文研究了吸收电荷倍增分离型雪崩光电探测器(Separate Absorption,Charge and Multiplication Avalanche Photodetector,SACM APD)的穿通特性。基于器件的光谱响应、电容特性以及不同工作温度下的I-V特性,结合SILVACO仿真平台计算得到了器件内部电场和能带分布,分析了SACM型APD穿通前后的器件性能并建立了相应的数学模型。通过优化硅基SACM型APD器件的结构参数和工艺参数,当场控层离子注入能量为580 keV时,仿真得到,优化结构器件的穿通阈值电压为-30 V,电容降低至穿通前的1/3。基于互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)工艺制备了硅SACM型APD器件。测试得到器件的穿通阈值电压为-30 V,穿通时光电流升高至原来的2.18倍(808 nm),响应峰值波长由穿通前的590 nm红移至穿通后的820 nm,峰值响应度由0.171 A/W@590 nm升高至0.377 A/W@820 nm,电容降低为穿通前的1/3(1 MHz)。 展开更多
关键词 穿通 吸收电荷倍增分离 硅基雪崩探测器 电容
在线阅读 下载PDF
AlGaN基远紫外LED研究进展
7
作者 顾哲恺 郭亚楠 +2 位作者 李晋闽 王军喜 闫建昌 《照明工程学报》 2025年第5期1-9,共9页
发光波段短于250 nm的AlGaN基远紫外LED在安全消杀、无创光疗、环境监测等领域有着巨大的应用潜力,近年来逐渐成为紫外LED领域的新热点。本文介绍了国内外在AlGaN基远紫外LED发光效率提升方面的新进展,并从外延材料生长、n/p型掺杂效率... 发光波段短于250 nm的AlGaN基远紫外LED在安全消杀、无创光疗、环境监测等领域有着巨大的应用潜力,近年来逐渐成为紫外LED领域的新热点。本文介绍了国内外在AlGaN基远紫外LED发光效率提升方面的新进展,并从外延材料生长、n/p型掺杂效率、量子结构设计、光提取效率和可靠性等角度综合分析了研发挑战和技术解决方案。 展开更多
关键词 远紫外LED 外延 掺杂 载流子限制 光提取 可靠性
在线阅读 下载PDF
有机聚合物掺杂离子液体忆阻器用于低电压人工光电突触 被引量:1
8
作者 李雯 曾诺兰 +4 位作者 周嘉 邢晓琳 周刘然 石伟 仪明东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1547-1559,共13页
基于忆阻器的神经形态计算有望克服冯诺依曼瓶颈,有助于实现节能数据处理。有机聚合物因其优异的半导体和光电特性以及溶液加工优势,是低成本忆阻器和突触应用的理想候选者。然而,聚合物忆阻器的高操作电压和阻态随机切换问题限制了其... 基于忆阻器的神经形态计算有望克服冯诺依曼瓶颈,有助于实现节能数据处理。有机聚合物因其优异的半导体和光电特性以及溶液加工优势,是低成本忆阻器和突触应用的理想候选者。然而,聚合物忆阻器的高操作电压和阻态随机切换问题限制了其在神经形态芯片中的应用,增加了外围电路系统的复杂性。本研究利用掺杂离子液体[EMIM][PF_(6)]的有机聚合物MEH-PPV为活性层构建了垂直结构忆阻器,通过电输入调制各种短期和长期突触可塑性行为,显著降低了工作电压并增加了可调谐导电态范围。该忆阻器在mV级电压下实现光调控生物突触的关键特征和类脑学习与记忆特性,集成光信号传感、存储和处理功能。在此基础上,将该有机突触阵列应用于人类视觉神经系统的图案识别与记忆任务。研究结果为下一代低功耗高性能有机神经形态设备的设计提供了重要指导。 展开更多
关键词 忆阻器 有机聚合物 离子液体 光电突触 图像识别
在线阅读 下载PDF
基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
9
作者 唐鑫 柳志成 +1 位作者 江弘胜 李国强 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期443-448,共6页
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀... 针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀的NiO薄层,形成了异质结核壳结构。得益于GaN纳米柱阵列异质结的结构优势,如高吸光特性和高载流子迁移率,制备的紫外光电探测器在没有任何电源的情况下,在365 nm波长紫外光照射下展现出高响应度(350 mA/W)、短响应(上升/下降)时间(36 ms/42 ms)、高电流开关比(2.1×10^(5))和高紫外-可见光抑制比(2.9×10^(4)),性能优于目前报道的薄膜型异质结紫外光电探测器,在下一代紫外光探测中显示出巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 NiO/GaN 紫外光电探测器 纳米柱阵列异质结 分子束外延(MBE) 高温热氧化法 自供电光探测
原文传递
厚度调控的二维α-In_(2)Se_(3)可调谐宽谱偏振光电探测器
10
作者 舒胜 李京波 +1 位作者 高伟 杨孟孟 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第5期41-50,共10页
目前针对α-In_(2)Se_(3)的厚度与光电性能之间关系的关注较少,且大部分研究是围绕机械剥离的α-In_(2)Se_(3)纳米片,不利于未来产业应用。因此,提出一种可以可控生长α-In_(2)Se_(3)的改良型物理气相沉积法,系统地研究了三种厚度α-In_... 目前针对α-In_(2)Se_(3)的厚度与光电性能之间关系的关注较少,且大部分研究是围绕机械剥离的α-In_(2)Se_(3)纳米片,不利于未来产业应用。因此,提出一种可以可控生长α-In_(2)Se_(3)的改良型物理气相沉积法,系统地研究了三种厚度α-In_(2)Se_(3)纳米片在可见光到近红外波段的宽谱响应性能。结果表明,α-In_(2)Se_(3)纳米片厚度可以显著调节光电性能,光响应度和比探测率随厚度增大而增大。此外,发现厚度32.8 nm的α-In_(2)Se_(3)纳米片在635 nm处的光电流各向异性比(二向色比)为4,具有良好的偏振敏感探测功能。综上所述,物理气相沉积法制备的二维α-In_(2)Se_(3)具有可见—红外宽谱响应和较好的偏振探测能力,是二维多功能光电器件的理想候选材料。 展开更多
关键词 α-In_(2)Se_(3) 物理气相沉积 厚度调控 光电探测器 偏振探测
在线阅读 下载PDF
基于MoTe_2/MoWSe_4范德华异质结的近红外偏振光电探测器
11
作者 彭松 奚水清 +2 位作者 刘秋佐 严雪峰 骆鹏 《半导体光电》 北大核心 2025年第5期861-866,共6页
针对传统MoTe_(2)探测器对入射光偏振不敏感的问题,提出一种基于MoTe_(2)/MoWSe_(4)范德华异质结的新型近红外偏振光电探测器。通过结合MoTe_(2)的宽光谱红外响应特性和MoWSe_4的面内各向异性,该器件实现了532~1 550 nm宽波段范围内的... 针对传统MoTe_(2)探测器对入射光偏振不敏感的问题,提出一种基于MoTe_(2)/MoWSe_(4)范德华异质结的新型近红外偏振光电探测器。通过结合MoTe_(2)的宽光谱红外响应特性和MoWSe_4的面内各向异性,该器件实现了532~1 550 nm宽波段范围内的高性能偏振探测。实验结果表明,其偏振消光比达到1.5,并具备自驱动探测能力。此外,在532 nm激光照射下,该器件响应度高达19 A/W,探测率达6.9×10^(9) Jones,展现出优异的光电探测性能。该研究不仅为红外偏振探测提供了全新的材料平台,也为发展下一代紧凑型红外偏振成像系统奠定了重要的理论与实验基础,在环境遥感、食品安全、生物医学成像等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 MoTe_2 MoWSe_4 异质结 偏振
原文传递
基于WS_(2)/MoTe_(2)/MoS_(2)异质结的红外探测器
12
作者 李萌 严一鸣 +2 位作者 刘秋佐 钟国舜 鹿利单 《激光与红外》 北大核心 2025年第8期1248-1252,共5页
二维材料范德瓦尔斯异质结构凭借其无需晶格匹配约束的特性,在微型化多波段光电探测领域展现出独特优势。本研究创新设计并构筑了一种由WS_(2)/MoTe_(2)/MoS_(2)vdWs异质结构组成的新型红外探测器结构,该结构是由N型WS_(2)、P型MoTe_(2)... 二维材料范德瓦尔斯异质结构凭借其无需晶格匹配约束的特性,在微型化多波段光电探测领域展现出独特优势。本研究创新设计并构筑了一种由WS_(2)/MoTe_(2)/MoS_(2)vdWs异质结构组成的新型红外探测器结构,该结构是由N型WS_(2)、P型MoTe_(2)、N型MoS_(2)组成的NPN型异质结。光电特性表征显示,该异质结具有卓越的光电探测能力,在532 nm激光波长下具有94 A/W的高响应度,2.5×10^(11)Jones的高比探测率,2.2×10^(4)%的高外量子效率,2.3 ms/5.1 ms的快速上升和下降响应时间,并可在可见光至近红外光谱区间(截止波长延伸至1310 nm)实现宽谱光响应。这一研究成果为开发室温环境下工作的宽谱红外探测器提供了新思路与新方法。 展开更多
关键词 红外探测器 异质结 范德瓦尔斯 NPN型
在线阅读 下载PDF
基于Au纳米柱Cs_(2)Ag-BiBr_(6)光电探测器的研究
13
作者 孙堂友 陈均丽 +5 位作者 李海鸥 江玥 邓兴 陈赞辉 邹琦萍 诸葛业琴 《桂林电子科技大学学报》 2025年第2期166-174,共9页
无铅双钙钛矿材料Cs_(2)Ag-BiBr_(6)由于其良好的稳定性和优异的光电性能,在光电探测应用领域具有广泛应用。然而,由于Cs_(2)Ag-BiBr_(6)薄膜的载流子输运性能力差,限制了其在光电探测器的进一步应用。因此,通过低成本且简易的自组装PS... 无铅双钙钛矿材料Cs_(2)Ag-BiBr_(6)由于其良好的稳定性和优异的光电性能,在光电探测应用领域具有广泛应用。然而,由于Cs_(2)Ag-BiBr_(6)薄膜的载流子输运性能力差,限制了其在光电探测器的进一步应用。因此,通过低成本且简易的自组装PS纳米球制备周期性纳米柱结构,并在其表面沉积一层Au纳米柱以调控局域电场分布,利用低压辅助一步旋涂法旋涂Cs_(2)Ag-BiBr_(6)薄膜制备Cs_(2)Ag-BiBr_(6)光电探测器。实验结果表明,Au纳米柱增强了Cs_(2)Ag-BiBr_(6)薄膜的载流子分离效率,提高了Cs_(2)Ag-BiBr_(6)光电探测器的光电输出效率。相比于传统的Si/Au/Cs_(2)Ag-BiBr_(6)/Au平板结构器件,Au纳米柱结构的Cs_(2)Ag-BiBr_(6)光电探测器在365 nm和405 nm波长的入射光照射下表现出优异的响应性能,其响应时间分别为87 ms/88 ms和85 ms/85ms。此外,在5 V电压和405 nm激发光源条件下,该器件响应度、比探测率和外量子效率分别为0.03 A·W^(-1)、9.1×10^(9)Jones、8.5×10^(-11)%,分别提高了83%、28倍和108倍。研究结果表明.,基于Au纳米柱Cs_(2)Ag-BiBr_(6)光电探测器可为未来高性能钙钛矿光电探测器的研究提供一种新思路。 展开更多
关键词 Cs_(2)Ag-BiBr_(6)薄膜 光电探测器 Au纳米柱 自组装 PS纳米球刻蚀
在线阅读 下载PDF
溴基钙钛矿半透明太阳能电池的研究进展
14
作者 朱穆言 颜平远 +4 位作者 王成强 向晨红 武子涵 李衡 盛传祥 《光电子技术》 2025年第1期33-44,共12页
概述了溴基钙钛矿材料的基本性质,调研了近些年对FAPbBr3和CsPbBr3两种纯溴基钙钛矿的研究进展,详细梳理了部分离子掺杂对溴基钙钛矿及其器件性能的影响机制,分析了影响钙钛矿半透明太阳能电池效率和透明度的因素,列举了钙钛矿半透明太... 概述了溴基钙钛矿材料的基本性质,调研了近些年对FAPbBr3和CsPbBr3两种纯溴基钙钛矿的研究进展,详细梳理了部分离子掺杂对溴基钙钛矿及其器件性能的影响机制,分析了影响钙钛矿半透明太阳能电池效率和透明度的因素,列举了钙钛矿半透明太阳能电池的优化方案,包括改良顶部电极材料、设计微观结构、构造叠层电池等。还介绍了一些大规模制备半透明钙钛矿薄膜的策略,并讨论了溴基钙钛矿应用于半透明太阳能电池领域的优势和前景。研究表明:溴基钙钛矿半透明太阳能电池因为其天然的可见光透过率和结构稳定性,有望成为钙钛矿太阳能电池研究和产业化的热门题材。 展开更多
关键词 溴基钙钛矿 半透明太阳能电池 掺杂
原文传递
Reconfigurable organic ambipolar optoelectronic synaptic transistor for information security access 被引量:1
15
作者 Xinqi Ma Wenbin Zhang +11 位作者 Qi Zheng Wenbiao Niu Zherui Zhao Kui Zhou Meng Zhang Shuangmei Xue Liangchao Guo Yan Yan Guanglong Ding Suting Han Vellaisamy A.L.Roy Ye Zhou 《Journal of Semiconductors》 2025年第2期133-142,共10页
In this data explosion era,ensuring the secure storage,access,and transmission of information is imperative,encom-passing all aspects ranging from safeguarding personal devices to formulating national information secu... In this data explosion era,ensuring the secure storage,access,and transmission of information is imperative,encom-passing all aspects ranging from safeguarding personal devices to formulating national information security strategies.Leverag-ing the potential offered by dual-type carriers for transportation and employing optical modulation techniques to develop high reconfigurable ambipolar optoelectronic transistors enables effective implementation of information destruction after read-ing,thereby guaranteeing data security.In this study,a reconfigurable ambipolar optoelectronic synaptic transistor based on poly(3-hexylthiophene)(P3HT)and poly[[N,N-bis(2-octyldodecyl)-napthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,5′-(2,2′-bithiophene)](N2200)blend film was fabricated through solution-processed method.The resulting transistor exhib-ited a relatively large ON/OFF ratio of 10^(3) in both n-and p-type regions,and tunable photoconductivity after light illumination,particularly with green light.The photo-generated carriers could be effectively trapped under the gate bias,indicating its poten-tial application in mimicking synaptic behaviors.Furthermore,the synaptic plasticity,including volatile/non-volatile and excita-tory/inhibitory characteristics,could be finely modulated by electrical and optical stimuli.These optoelectronic reconfigurable properties enable the realization of information light assisted burn after reading.This study not only offers valuable insights for the advancement of high-performance ambipolar organic optoelectronic synaptic transistors but also presents innovative ideas for the future information security access systems. 展开更多
关键词 RECONFIGURABLE AMBIPOLAR OPTOELECTRONIC synaptic transistor light assisted burn after reading
在线阅读 下载PDF
Recent progress in organic optoelectronic synaptic transistor arrays:fabrication strategies and innovative applications of system integration 被引量:1
16
作者 Pu Guo Junyao Zhang Jia Huang 《Journal of Semiconductors》 2025年第2期72-86,共15页
The rapid growth of artificial intelligence has accelerated data generation,which increasingly exposes the limitations faced by traditional computational architectures,particularly in terms of energy consumption and d... The rapid growth of artificial intelligence has accelerated data generation,which increasingly exposes the limitations faced by traditional computational architectures,particularly in terms of energy consumption and data latency.In contrast,data-centric computing that integrates processing and storage has the potential of reducing latency and energy usage.Organic optoelectronic synaptic transistors have emerged as one type of promising devices to implement the data-centric com-puting paradigm owing to their superiority of flexibility,low cost,and large-area fabrication.However,sophisticated functions including vector-matrix multiplication that a single device can achieve are limited.Thus,the fabrication and utilization of organic optoelectronic synaptic transistor arrays(OOSTAs)are imperative.Here,we summarize the recent advances in OOSTAs.Various strategies for manufacturing OOSTAs are introduced,including coating and casting,physical vapor deposition,printing,and photolithography.Furthermore,innovative applications of the OOSTA system integration are discussed,including neuromor-phic visual systems and neuromorphic computing systems.At last,challenges and future perspectives of utilizing OOSTAs in real-world applications are discussed. 展开更多
关键词 organic transistor arrays optoelectronic synaptic transistors neuromorphic systems system integration
在线阅读 下载PDF
基于手性有机小分子材料的圆偏振光电突触二极管器件
17
作者 黄伟龙 陈惠鹏 《功能材料与器件学报》 2025年第2期113-120,共8页
随着数字化进程的持续推进,光信号处理的复杂度急剧攀升。在单一器件上实现对光信号的多功能、可切换处理,已成为一项重要的研究目标。基于此,我们成功研发出一种基于手性有机小分子材料的光电二极管器件。该器件能够在负电压或零电压... 随着数字化进程的持续推进,光信号处理的复杂度急剧攀升。在单一器件上实现对光信号的多功能、可切换处理,已成为一项重要的研究目标。基于此,我们成功研发出一种基于手性有机小分子材料的光电二极管器件。该器件能够在负电压或零电压条件下高精度地区分不同旋向的圆偏振光,表现出优异的圆偏振光探测性能。当切换至正偏压状态时,器件在界面层出现电荷累积现象,使得界面电导率发生变化,从而产生突触效应。该器件的双模式切换特性突破了传统光电器件的功能单一性限制,其创新设计结合了手性材料的光电协同调控与突触仿生机制,为光通信、智能感知与神经形态计算等领域提供了多功能集成化的解决方案,展现出推动新一代光电技术发展的潜力。 展开更多
关键词 手性有机小分子 光电二极管 圆偏振光 光电突触 光通信
在线阅读 下载PDF
110~200GHz频段InP单行载流子光电二极管 被引量:2
18
作者 杨大宝 邢东 +2 位作者 赵向阳 刘波 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期39-44,共6页
设计制备了一种基于InP材料低偏压工作的单行载流子光电二极管(UTC-PD),该器件的工作频率范围为110~200 GHz。为提升器件的带宽特性,UTC-PD芯片的吸收层采用p型高斯掺杂的InGaAs材料,芯片的InP衬底减薄至12μm。UTC-PD采用背照式的方式... 设计制备了一种基于InP材料低偏压工作的单行载流子光电二极管(UTC-PD),该器件的工作频率范围为110~200 GHz。为提升器件的带宽特性,UTC-PD芯片的吸收层采用p型高斯掺杂的InGaAs材料,芯片的InP衬底减薄至12μm。UTC-PD采用背照式的方式输入光信号。通过倒装焊的形式将芯片安装在厚度为50μm的AlN基片上的共面波导焊盘上进行测试。在-3 V偏压和155μm波长输入光条件下,制备器件的响应度超过02 A/W;在110 GHz处获得最高输出功率为-56 dBm,19783 GHz处的输出功率最低为-106 dBm。 展开更多
关键词 低偏压 单行载流子光电二极管(UTC-PD) 高斯掺杂 背照式 响应度
原文传递
电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管
19
作者 李聪 王哲 +8 位作者 杨旭 田娜 冯鹏 窦润江 于双铭 刘剑 吴南健 李传波 刘力源 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第10期1-8,共8页
本研究利用搭建的仿真设计平台开发了一款电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管(SPAD)器件,通过调控SPAD雪崩区电场,进一步提升了背照式器件的光子探测效率,降低了暗计数率。仿真结果表明,本研究设计的SPAD在水平和垂直电场的协同作用... 本研究利用搭建的仿真设计平台开发了一款电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管(SPAD)器件,通过调控SPAD雪崩区电场,进一步提升了背照式器件的光子探测效率,降低了暗计数率。仿真结果表明,本研究设计的SPAD在水平和垂直电场的协同作用下,有效提高了电子倍增效率,峰值探测效率达到50.1%,在过偏压为3 V时,暗计数率降低至764 Hz。本文对比分析了不同耗尽层厚度和P-Well半径对电场调控增强型背照式SPAD器件性能的影响,并确定了最优结构尺寸。研究结果为基于SPAD的高精度光电探测应用提供了新的技术途径,为SPAD器件在科学研究和工业应用中的进一步发展奠定了基础。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 背照式 光子探测效率 暗计数率 电场调控 器件仿真
在线阅读 下载PDF
532nm硅基单光子雪崩管制备及其电压调控效应
20
作者 李喆 郝昕 +1 位作者 王江 邓世杰 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期17-23,共7页
硅基单光子雪崩管具备体积小、功耗低、暗计数低、可见光波段量子效率高、探测灵敏度达单光子量级等优势,在交通、医疗和军事等领域有重要应用前景.然而,平面结构硅基单光子雪崩管的暗计数率和可见光-近红外波段单光子探测率仍需提升,... 硅基单光子雪崩管具备体积小、功耗低、暗计数低、可见光波段量子效率高、探测灵敏度达单光子量级等优势,在交通、医疗和军事等领域有重要应用前景.然而,平面结构硅基单光子雪崩管的暗计数率和可见光-近红外波段单光子探测率仍需提升,掺杂工艺对器件电学特性影响仍较模糊.本文设计并制备了一款可见光-近红外波段具备单光子级探测能力的硅基盖革模式雪崩二极管,雪崩电压为38.1 V,在过偏2.4 V处暗计数率为200 Hz,且532 nm单光子探测效率达到10.56%、850 nm单光子探测效率为6.49%,并通过工艺参数调节实现器件击穿电压调控,调制范围覆盖30~40 V.该器件具备良好的工程应用前景,其光电性能调制效果能进一步应用于硅基盖革管的商业化制造. 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 单光子探测 盖革模式 可见光 近红外
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 66 下一页 到第
使用帮助 返回顶部