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硅/硅直接键合的界面应力
被引量：
6
1
作者
陈新安
黄庆安
+1 位作者
李伟华
刘肃
《微纳电子技术》
CAS
2004年第10期29-33,43,共6页
硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引...
硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力和由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。
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关键词
硅直接键合
应力
弹性变形
高温退火
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职称材料
InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术
被引量：
1
2
作者
龚燕妮
杨文运
+2 位作者
杨绍培
范明国
褚祝军
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019年第6期511-514,共4页
采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响。初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺。利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10mV的暗电...
采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响。初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺。利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10^-8A。
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关键词
InP/InGaAs探测器
ICPCVD
氮化硅
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职称材料
用二极管产生有限带宽白噪声
被引量：
2
3
作者
韩冰
李晓峰
《实验科学与技术》
2003年第1期59-60,63,共3页
本文介绍了一种用齐纳二极管产生实时有限带宽白噪声的电路实现、设计方法及实验测试结果,并简单讨论了该噪声发生器的适用性及扩展性。
关键词
白噪声
实时性
齐纳二极管
散粒噪声
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职称材料
液晶屏与单片机接口显示技术
被引量：
2
4
作者
罗安
《自动化仪表》
CAS
北大核心
1995年第10期28-31,共4页
一、引言 DMF5001-NY是集控制器、驱动器和显示器于一体的图形式液晶显示屏,它不仅可直接显示ASCⅡ字符,还可显示汉字及各种图形,因此,将它与单片机连接可以构成功能强、结构简单、人-机对话丰富的各种智能仪表和控制系统。对其进行深...
一、引言 DMF5001-NY是集控制器、驱动器和显示器于一体的图形式液晶显示屏,它不仅可直接显示ASCⅡ字符,还可显示汉字及各种图形,因此,将它与单片机连接可以构成功能强、结构简单、人-机对话丰富的各种智能仪表和控制系统。对其进行深入的研究和开发,有着非常广泛的应用前景。
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关键词
液晶屏
显示器件
单片机
接口显示技术
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职称材料
Au/TiO_(2)复合纳米结构增强热电子光电探测器宽谱响应性能
5
作者
郭思彤
邱开放
+5 位作者
王文艳
李国辉
翟爱平
潘登
冀婷
崔艳霞
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023年第3期340-350,共11页
宽谱响应光电探测器在图像传感和光通信等领域应用前景广阔。金属微纳结构通过激发表面等离激元共振效应可高效产生热载流子,将它们与宽带隙半导体构成异质结构,便可利用热载流子开发出低成本宽谱响应光电探测器。研究设计了一种基于Au/...
宽谱响应光电探测器在图像传感和光通信等领域应用前景广阔。金属微纳结构通过激发表面等离激元共振效应可高效产生热载流子,将它们与宽带隙半导体构成异质结构,便可利用热载流子开发出低成本宽谱响应光电探测器。研究设计了一种基于Au/TiO_(2)复合纳米结构的热电子光电探测器。其中TiO_(2)层经退火后形成尺度约为百纳米的凹凸结构,Au纳米颗粒层与用作电极的保形Au膜共同组成了激发表面等离激元共振的纳米结构。由于Au/TiO_(2)复合纳米结构的协同作用,该器件在400~900 nm范围内具有宽谱光吸收性能,器件的平均光吸收效率为33.84%。在此基础上,该器件能够探测TiO_(2)本征吸收波段以外的入射光子。例如,在600 nm波长处,器件的响应率为9.67μA/W,线性动态范围为60 dB,器件的上升/下降响应速度分别为1.6 ms和1.5 ms。此外,利用有限元法进行了仿真计算,通过电场分布图验证了Au/TiO_(2)复合纳米结构中所激发的丰富表面等离激元共振效应是其实现宽谱高效探测的原因所在。
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关键词
光电探测器
表面等离激元
金属纳米结构
热电子
宽谱
原文传递
题名
硅/硅直接键合的界面应力
被引量：
6
1
作者
陈新安
黄庆安
李伟华
刘肃
机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
兰州大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第10期29-33,43,共6页
基金
国家863计划项目(2003AA404010)
国家杰出青年科学基金项目(50325519)资助
文摘
硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力和由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。
关键词
硅直接键合
应力
弹性变形
高温退火
Keywords
silicon direct bonding
stress
elastic deformation
annealing at high temperature
分类号
TN363 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术
被引量：
1
2
作者
龚燕妮
杨文运
杨绍培
范明国
褚祝军
机构
北方夜视技术股份有限公司
北方夜视科技集团有限公司
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019年第6期511-514,共4页
基金
云南省基础研究重大项目(2016FC002)
文摘
采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响。初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺。利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10^-8A。
关键词
InP/InGaAs探测器
ICPCVD
氮化硅
Keywords
InP/InGaAs detector
ICPCVD
silicon nitride
分类号
TN363 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
用二极管产生有限带宽白噪声
被引量：
2
3
作者
韩冰
李晓峰
机构
电子科技大学
出处
《实验科学与技术》
2003年第1期59-60,63,共3页
文摘
本文介绍了一种用齐纳二极管产生实时有限带宽白噪声的电路实现、设计方法及实验测试结果,并简单讨论了该噪声发生器的适用性及扩展性。
关键词
白噪声
实时性
齐纳二极管
散粒噪声
分类号
TN363.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
液晶屏与单片机接口显示技术
被引量：
2
4
作者
罗安
机构
中南工业大学
出处
《自动化仪表》
CAS
北大核心
1995年第10期28-31,共4页
文摘
一、引言 DMF5001-NY是集控制器、驱动器和显示器于一体的图形式液晶显示屏,它不仅可直接显示ASCⅡ字符,还可显示汉字及各种图形,因此,将它与单片机连接可以构成功能强、结构简单、人-机对话丰富的各种智能仪表和控制系统。对其进行深入的研究和开发,有着非常广泛的应用前景。
关键词
液晶屏
显示器件
单片机
接口显示技术
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
TN363.47 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Au/TiO_(2)复合纳米结构增强热电子光电探测器宽谱响应性能
5
作者
郭思彤
邱开放
王文艳
李国辉
翟爱平
潘登
冀婷
崔艳霞
机构
太原理工大学物理学院
太原理工大学光电工程学院
兴县经开区铝镁新材料研发有限公司
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023年第3期340-350,共11页
基金
国家自然科学基金(U21A20496,61922060,61905173,61775156,61805172,12104334,62174117)
山西省自然科学基金面上青年基金(20210302123154,20210302123169)
+2 种基金
山西省回国留学人员科研资助项目(2021-033)
山西浙大新材料研究院基础研究类项目(2021SX-FR008)
吕梁市高层次科技人才引进专项项目(Rc2020206,Rc2020207)。
文摘
宽谱响应光电探测器在图像传感和光通信等领域应用前景广阔。金属微纳结构通过激发表面等离激元共振效应可高效产生热载流子,将它们与宽带隙半导体构成异质结构,便可利用热载流子开发出低成本宽谱响应光电探测器。研究设计了一种基于Au/TiO_(2)复合纳米结构的热电子光电探测器。其中TiO_(2)层经退火后形成尺度约为百纳米的凹凸结构,Au纳米颗粒层与用作电极的保形Au膜共同组成了激发表面等离激元共振的纳米结构。由于Au/TiO_(2)复合纳米结构的协同作用,该器件在400~900 nm范围内具有宽谱光吸收性能,器件的平均光吸收效率为33.84%。在此基础上,该器件能够探测TiO_(2)本征吸收波段以外的入射光子。例如,在600 nm波长处,器件的响应率为9.67μA/W,线性动态范围为60 dB,器件的上升/下降响应速度分别为1.6 ms和1.5 ms。此外,利用有限元法进行了仿真计算,通过电场分布图验证了Au/TiO_(2)复合纳米结构中所激发的丰富表面等离激元共振效应是其实现宽谱高效探测的原因所在。
关键词
光电探测器
表面等离激元
金属纳米结构
热电子
宽谱
Keywords
photodetectors
surface plasmon resonance
metal nanostructure
hot-electrons
wide spectrum
分类号
TN363 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅/硅直接键合的界面应力
陈新安
黄庆安
李伟华
刘肃
《微纳电子技术》
CAS
2004
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术
龚燕妮
杨文运
杨绍培
范明国
褚祝军
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
用二极管产生有限带宽白噪声
韩冰
李晓峰
《实验科学与技术》
2003
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
液晶屏与单片机接口显示技术
罗安
《自动化仪表》
CAS
北大核心
1995
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
Au/TiO_(2)复合纳米结构增强热电子光电探测器宽谱响应性能
郭思彤
邱开放
王文艳
李国辉
翟爱平
潘登
冀婷
崔艳霞
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023
0
原文传递
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