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题名用于室温10.6μm光电探测器的材料ZnHgTe
被引量：1
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作者
陈林
李捍东
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机构
上海技术物理所
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出处
《红外与激光技术》
CSCD
1990年第1期61-63,共3页
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文摘
本文报导了室温下的10.6μm ZnHgTc光电探测器。采用淬火-退火工艺生长了掺铜及未掺杂的Zn_(0.115)Hg_(0.885)Te体晶.用X-射线晶格常数测量法测得了均匀性为±0.002mol.测量了本征和掺铜两种p型材料的吸收系数与波长、光电导寿命、霍尔浓度和迁移率的函数关系.已制成红外光电导体并给出其性能.器件的相对稳定性和硬度使得器件的制作要比HgCdTe更容易些.并且发现,在10.6μm处Hg_(0.885)Zn_(0.115)Te的品质因素ατ/n,比HgCdTe至少高出3倍.看来选择最恰当的组分、掺杂及几何形状的HgZnTe能达到10~8cmHz^(1/2)/W的探测率.
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关键词
光电探测器
材料
ZnHgTe
温室
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分类号
TN361.04
[电子电信—物理电子学]
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题名用熔铸-再结晶法生长HgZnTe
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作者
龚琰民
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出处
《红外与激光技术》
CSCD
1989年第1期50-54,共5页
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文摘
用改进的熔铸-再结晶(CR)技术,生长得到了 ZnTe 克分子分数为 x(0.05<x<0.15)的大晶粒(Hg,Zn)Te 晶锭。CR 过程的再结晶步骤是利用与安瓿轴垂直的高温度梯度(10～100K/cm)来实现。对原生材料和在 Hg 蒸气中低温退火过材料的均匀性以及结构、光学和光电特性进行了研究。研究表明:低温退火对材料特性的影响,基本上与对(Hg,Cd)Te 的影响类似。原生的 p 型层易转变成 n 型材料,最终的施主浓度在10^(15)cm^(-3)中等范围内,该值反映了不受控的掺杂水平。但是,p 型到 n 型的转变速率比有同样能隙的(Hg,Cd)Te 的要低。对用CR 法生长的(Hg,Zn)Te 在红外探测器方面的应用进行了论证。
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关键词
碲锌镉
晶体生长
再结晶
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分类号
TN361.04
[电子电信—物理电子学]
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题名不同晶面的HgCdTe晶片的损伤研究
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作者
王自筠
邹子英
张家坚
李言谨
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机构
上海市测试技术研究所
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出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
1995年第1X期16-20,共5页
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文摘
使用装有超微显微硬度测试仪的扫描电子显微镜，对不同取向的ＨｇＣｄＴｅ晶片施加负荷，负荷压力从２克～０．０５克。由于晶体具有各向异性，在相同压力下，不同取向的ＨｇＣｄＴｅ晶片中引起的损伤有明显差异，实验得到损伤区域的大小与晶面的关系是｛１１１｝＞｛１２１｝＞｛３５１｝。同时讨论了损伤层的结构。
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关键词
HgCdTe晶片
损伤
位错
晶体取向
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Keywords
HgCdTe wafer
damage defect
crystal orientation
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分类号
O772
[理学—晶体学]
TN361.04
[电子电信—物理电子学]
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