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多孔GaN/Ga_(2)O_(3)异质结双波段紫外光探测器的制备及性能研究 被引量：1
1
作者 梁悦 王烁 +1 位作者 郭佳宝 修慧欣 《有色金属材料与工程》 2025年第1期75-82,共8页
以NaNO_(3)溶液作为刻蚀溶液、使用紫外辅助电化学方法刻蚀的多孔GaN作为衬底,使用射频磁控溅射法在GaN衬底上沉积Ga_(2)O_(3)并退火处理,制备了含多孔GaN/β-Ga_(2)O_(3)异质结的高响应度紫外光探测器。该探测器能够实现对短波紫外光... 以NaNO_(3)溶液作为刻蚀溶液、使用紫外辅助电化学方法刻蚀的多孔GaN作为衬底,使用射频磁控溅射法在GaN衬底上沉积Ga_(2)O_(3)并退火处理,制备了含多孔GaN/β-Ga_(2)O_(3)异质结的高响应度紫外光探测器。该探测器能够实现对短波紫外光和长波紫外光的灵敏探测,双波段探测性能可通过调节电压实现。在2 V偏压下254 nm波长光照射时,有70 mA/W的光响应度和3.95×10^(12)Jones的比探测率,并显示出高的光暗电流比(约10^(3));在25V偏压下365nm波长光照射时,有260 mA/W的光响应度。该多孔GaN/β-Ga_(2)O_(3)异质结探测器表现出优异的光电性能,在弱光探测以及双波段检测方向将具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 GAN 电化学刻蚀 Ga_(2)O_(3) 紫外光探测器 双波段
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利用热敏电阻精确测量DFB激光器动态结温度 被引量：8
2
作者 李金义 杜振辉 +1 位作者 齐汝宾 徐可欣 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2088-2093,共6页
半导体激光器结温度的测量对于其温度控制和特性研究非常重要。基于对激光器的结构和热电等效模型的研究,建立半导体激光器组件中激光器芯片和热敏电阻的数学模型,利用热敏电阻实时监测激光器在热动态过程中的结温度。以气体吸收谱线的... 半导体激光器结温度的测量对于其温度控制和特性研究非常重要。基于对激光器的结构和热电等效模型的研究,建立半导体激光器组件中激光器芯片和热敏电阻的数学模型,利用热敏电阻实时监测激光器在热动态过程中的结温度。以气体吸收谱线的波长验证了模型的正确性,实现激光器结温度预测不确定度约为0.01 K。还利用此方法测量了电流调谐过程中动态结温度,在一个锯齿电流扫描周期内结温度变化量为0.044 K。基于热敏电阻预测激光器结温度无需附加额外测量装置,其精度不受环境温度和TEC电流的影响,适合于原位、在线激光系统,也可应用于激光器组件热学性能的研究。 展开更多
关键词 结温度 可调谐二极管激光吸收光谱 动态测量
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由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态 被引量：3
3
作者 郭维廉 张世林 +5 位作者 郑云光 李树荣 候晶莹 高强 李丰 刘式墉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期18-20,47,共4页
对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为负载器件 ,以光电双基区晶体管 (PDUBAT)型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强 -输入光强光学双稳态特性曲线 ,并对实验结果进... 对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为负载器件 ,以光电双基区晶体管 (PDUBAT)型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强 -输入光强光学双稳态特性曲线 ,并对实验结果进行了分析讨论。 展开更多
关键词 有机/聚合物发光器件 硅光电负阻器件 光学双稳态 OLED PDUBAT
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稀土Pr_6O_(11)掺杂水平对ZnO-Pr_6O_(11)-Co_3O_4-TiO_2压敏电阻材料的微观结构和电学性能的影响 被引量：2
4
作者 符秀丽 冯海 彭志坚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期72-75,共4页
通过传统陶瓷工艺,在1350℃下烧结得到了不同稀土Pr6O11掺杂水平的ZnO-Pr6O11-Co3O4-TiO2压敏电阻材料,研究了Pr6O11掺杂水平对压敏电阻材料微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着Pr6O11掺杂水平的变化,样品相组成没有发生变化,样品... 通过传统陶瓷工艺,在1350℃下烧结得到了不同稀土Pr6O11掺杂水平的ZnO-Pr6O11-Co3O4-TiO2压敏电阻材料,研究了Pr6O11掺杂水平对压敏电阻材料微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着Pr6O11掺杂水平的变化,样品相组成没有发生变化,样品由ZnO、Pr6O11、Zn2TiO4和PrTiO34种相组成;Pr6O11掺杂既能促进样品烧结致密,还可抑制ZnO晶粒的生长;在Pr6O11掺杂量不超过2.0mol%时,Pr6O11掺杂水平提高可提高样品压敏电压,在Pr6O11掺杂量不超过1.5mol%时,Pr6O11掺杂水平提高可提高样品非线性系数,降低漏电流。 展开更多
关键词 ZNO 压敏电阻 Pr6O11 掺杂 电学性能
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一种有效的双矢量测试BIST实现方案 被引量：2
5
作者 张金林 陈朝阳 +1 位作者 沈绪榜 张晨 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2004年第4期116-120,共5页
文章提出了一种简单有效的双矢量测试BIST实现方案,其硬件主要由反馈网络可编程且种子可重置的LF鄄SR和映射逻辑两部分构成。给出了一种全新的LFSR最优种子及其反馈多项式组合求取算法,该算法具有计算简单且容易实现的特点。最后,使用这... 文章提出了一种简单有效的双矢量测试BIST实现方案,其硬件主要由反馈网络可编程且种子可重置的LF鄄SR和映射逻辑两部分构成。给出了一种全新的LFSR最优种子及其反馈多项式组合求取算法,该算法具有计算简单且容易实现的特点。最后,使用这种BIST方案实现了SoC中互联总线间串扰故障的激励检测,证明了该方案在计算量和硬件开销方面的优越性。 展开更多
关键词 SOC测试 内建自测试(BIST) 双矢量测试 MAF 模型
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光敏电阻的特性及应用研究 被引量：23
6
作者 杨东 轩克辉 董雪峰 《山东轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 2013年第2期49-52,共4页
介绍了光敏电阻的基本原理,通过搭建实验电路,对光敏电阻的主要参数进行测量和分析。通过对光敏电阻性能的检测,结合变换电路分析光敏电阻在电路应用中电压或电流应满足的条件,为光敏电阻的电路应用提供参考。
关键词 光敏电阻 参数 测量 应用
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光敏电阻延时特性的验证及光强对其影响的探究 被引量：7
7
作者 谢音 赵泽龙 +5 位作者 李伟 于白茹 梁小冲 李紫源 郝彦军 朱俊 《物理实验》 2014年第8期5-8,13,共5页
验证了光敏电阻的延时特性,并研究了光强对光敏电阻响应时间的影响.实验表明,光敏电阻存在延时特性,光强改变前的光照强度以及光强改变量都会影响光敏电阻的响应时间.光强初始值越大,响应时间越短;光强改变量越大,响应时间越短.
关键词 光敏电阻 延时特性 响应时间 光照强度
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由OLED和复合光探测器构成的新型光耦合器 被引量：1
8
作者 郭维廉 张世林 +5 位作者 郑云光 李树荣 侯晶莹 高强 李平 刘式墉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期306-307,311,共3页
对以Al/Alq3 /TPD/ITO/玻璃结构的有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为发光器件 ,以光电二极管和双极晶体管构成的复合光探测器为光接收器件组成的光耦合器进行了实验研究。通过改变OLED上的偏压 ,获得光耦合器输出特性相应的变化。对实验... 对以Al/Alq3 /TPD/ITO/玻璃结构的有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为发光器件 ,以光电二极管和双极晶体管构成的复合光探测器为光接收器件组成的光耦合器进行了实验研究。通过改变OLED上的偏压 ,获得光耦合器输出特性相应的变化。对实验结果进行了分析讨论。 展开更多
关键词 有机/聚合物发光器件 复合光探测器 光隔离器
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红外火灾报警装置 被引量：2
9
作者 施德恒 陈学江 沈阳 《红外技术》 CSCD 1995年第6期35-36,38,共3页
报道了利用红外光敏探测技术研制的远距离、大空间红外火灾报警装置。介绍了该装置的原理、结构、试验结果及性能，讨论了其中的关键问题及其解决的技术方案。
关键词 火灾 报警装置 红外窗口 光敏探测技术
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制备气敏膜的新方法及膜的光学特性 被引量：1
10
作者 越泽廷 姚纲照 周佐平 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期36-40,共5页
根据气敏光学特性的要求，用可控气压喷涂和高温处理的新方法，制成ＳｎＯ２膜。膜面平整均匀，晶粒结构细密，缺陷较少，其光学特性比其它方法制成的薄膜好，使用的设备及工艺简单。
关键词 气敏 喷涂 热处理 薄膜 光学特性
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扫描探测系统的信号检测问题 被引量：2
11
作者 杨宜禾 岳敏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期37-38,32,共3页
扫描探测系统属于对比度检测系统。它将相邻两瞬时所检测到的信号差值作为有效信号值,系统噪声则是探测器噪声。背景与目标一样是作为检测对象考虑的,而不应作为噪声源考虑。在有像差存在的情况下,目标像点会扩展。对理想点目标而言,当... 扫描探测系统属于对比度检测系统。它将相邻两瞬时所检测到的信号差值作为有效信号值,系统噪声则是探测器噪声。背景与目标一样是作为检测对象考虑的,而不应作为噪声源考虑。在有像差存在的情况下,目标像点会扩展。对理想点目标而言,当实际弥散像点面积超过探测器单元面积时,仍应按点目标计算入射能量而不应混同于扩展源。 展开更多
关键词 扫描探测系统 信号检测 红外探测
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光敏电阻特性的研究 被引量：16
12
作者 舒秦 王瑞平 孙向红 《西安科技学院学报》 2000年第4期377-379,共3页
通过对用光电转换测量仪所测出的光敏电阻特性的一些数据、图像的研究 ,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性和光谱特性。
关键词 光电转换 光敏电阻 光照 光电效应 光照度 光谱特性
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光敏电阻器原理及检测方法 被引量：25
13
作者 王彦华 刘希璐 《装备制造技术》 2012年第12期101-102,113,共3页
由于不同材料的光敏电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不同。硫化铅的使用频率比硫化镉高得多,但多数光敏电阻的时延都比较大,所以,其不能用在要求快速响应的场合。根据电路的具体要求,选择暗阻、亮阻合适的光敏电阻,一般选择暗电... 由于不同材料的光敏电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不同。硫化铅的使用频率比硫化镉高得多,但多数光敏电阻的时延都比较大,所以,其不能用在要求快速响应的场合。根据电路的具体要求,选择暗阻、亮阻合适的光敏电阻,一般选择暗电阻大的光敏电阻器,并且暗阻和亮阻相差越大越好。 展开更多
关键词 光敏电阻 原理 参数 亮阻 暗阻
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光敏电阻的特性及应用 被引量：11
14
作者 宋吉江 牛轶霞 《微电子技术》 2000年第1期55-57,共3页
关键词 光敏电阻 光电导器件 应用
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我国红外探测器材料的研制概况 被引量：1
15
作者 宋炳文 《红外技术》 CSCD 1989年第1期12-18,共7页
在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,以资比较。
关键词 红外探测器 材料 锑化铟 碲镉汞
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光敏电阻特性的实验研究 被引量：3
16
作者 王玉清 任新成 《延安大学学报（自然科学版）》 2017年第3期85-89,共5页
简要介绍了光敏电阻的工作原理及基本特性,用实验方法研究了光敏电阻的伏安特性、光照特性、光谱特性,光照强度与光电流之间以及入射光波长与亮电阻之间的关系。实验结果表明,在光照强度较弱时,光敏电阻的电压与电流满足线性关系,在光... 简要介绍了光敏电阻的工作原理及基本特性,用实验方法研究了光敏电阻的伏安特性、光照特性、光谱特性,光照强度与光电流之间以及入射光波长与亮电阻之间的关系。实验结果表明,在光照强度较弱时,光敏电阻的电压与电流满足线性关系,在光照强度较强时,电压增大的同时,电流增大的更快;在一定工作电压下,当受到一定波长范围的光照时,对于同一波长的入射光,随着光照强度的增强,光电流在增大,亮电阻在减小;对于不同波长的入射光,在相同光照强度下,随着入射光波长的增大,光电流先增大,后减小,而亮电阻先减小,后增大。表明光敏电阻对光具有选择性。 展开更多
关键词 光敏电阻 伏安特性 光照特性 光谱特性 光照强度
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光电双向负阻晶体管的研制及特性分析
17
作者 郭维廉 张世林 +4 位作者 刘娜 李树荣 沙亚男 毛陆虹 郑云光 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期266-270,274,共6页
首次对双向负阻晶体管 (BNRT)进行了光敏化 ,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件———光电双向负阻晶体管 (PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程 ;测量分析了其I V特性与光强和栅极电压的关系 ;
关键词 双向“S”型负阻器件 光电双向负阻晶体管 光电开关
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非线性光耦合器及其响应保持功能
18
作者 郭维廉 张世林 +1 位作者 张培宁 周剑 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期167-169,181,共4页
将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起 ,其间实现电隔离 ,构成一种新型光耦合器。由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性 ,这种非线性光耦合器具有响应保持功能。文章以PDUBAT为例从实验方面证实了响应保持功能的存在 。
关键词 光耦合器 硅光电负阻器件 响应保持功能
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InAsPSb/InAs中红外光电探测器
19
作者 张永刚 周平 +1 位作者 单宏坤 潘慧珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第10期623-628,共6页
本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz^(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).
关键词 光电探测器 InAsPSb/InAs
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GaAs探测器与放大电路的单片集成
20
作者 杨沁清 高俊华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期395-398,共4页
本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。
关键词 GAAS 探测器 放大电路 单片集成
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