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0.4～1.1μm波段的器件离子注入工艺研究
1
作者 王淑云 《红外与激光技术》 CSCD 1990年第4期24-28,共5页
本文介绍了短波PIN光电器件的工作原理、离子注入成结的重要性及注入参数选取的理论依据,最后,对所做器件的主要电学参数进行了较详细的讨论.
关键词 PIN 光电器件 离子注入
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生长温度对掺CCl4半绝缘InP电性能的影响
2
作者 青春 《电子材料快报》 1996年第7期16-16,共1页
关键词 掺杂 CCL4 INP 电性能 光电器件
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