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行波半导体光放大器中饱和参量表达式的修正
1
作者
夏光琼
吴正茂
陈建国
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期200-202,共3页
根据行波半导体光放大器中载流子复合的实际过程。
关键词
半导体器件
行波
半导体光放大器
饱和参量
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职称材料
PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究
2
作者
陈维友
刘式墉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第7期593-600,共8页
本文以PINIP结构各区载流子速率方程为基础,综合考虑了各区的多种物理过程,在适当的近似条件下,给出一个完整的PINIP多色光电探测器电路模型.该模型的模型参数直接与各区的几何及电学参数相联系,对于器件的优化设计尤其...
本文以PINIP结构各区载流子速率方程为基础,综合考虑了各区的多种物理过程,在适当的近似条件下,给出一个完整的PINIP多色光电探测器电路模型.该模型的模型参数直接与各区的几何及电学参数相联系,对于器件的优化设计尤其方便.该模型可在开发OEIC电路模拟软件中采用,亦可加到现有电路模拟软件中.它可用于直流、交流、瞬态分析.
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关键词
PINIP结构
氢化非晶硅
半导体电器件
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职称材料
1.3μm波长超辐射发光二极管组件
被引量:
2
3
作者
朱志文
蔡开清
+5 位作者
杨璠
计敏
易向阳
唐祖荣
陈其道
罗江财
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期57-62,共6页
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管(SLD)。采用SLD作为光源,光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。SLD是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和...
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管(SLD)。采用SLD作为光源,光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。SLD是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验,确定了器件的结构,在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用14针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括SLD、光监视用PIN光探测器、热敏电阻和半导体致冷器,可通过外电路对组件实现温控、光控,以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于300μW,最大超过700μW,光谱宽度大于30nm。
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关键词
发光二极管
传感器
光纤陀螺
半导体器件
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职称材料
弱光位敏探测器
被引量:
1
4
作者
刘茂银
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期25-26,共2页
提出一种新型弱光位敏探测器。总结了该器件理论分析设计,给出了实验结果,并与传统光电倍增管比较了优缺点。
关键词
传感器
光电探测器
弱光位敏探测器
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职称材料
超短激光脉冲触发GaAs体光导开关的三维瞬态分析
5
作者
马俊
郭开周
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期20-25,共6页
本文采用时域有限差分法(TDFD),超吸收边界条件,利用半导体物理学的有关成果,归纳出适合体光导开关的三维载流子复合动力学数学模型,完成了对半导体(GaAs)体光导开关的三维全波分析。计算了光导开关内部场和载流子的瞬...
本文采用时域有限差分法(TDFD),超吸收边界条件,利用半导体物理学的有关成果,归纳出适合体光导开关的三维载流子复合动力学数学模型,完成了对半导体(GaAs)体光导开关的三维全波分析。计算了光导开关内部场和载流子的瞬态分布。本文提出的最佳设计方案,可使对激光能量的要求成倍数的降低;本文还讨论了静态场量对数值计算的影响。
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关键词
GaAs体光导开关
瞬态场
三维全波分析
最佳设计
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职称材料
题名
行波半导体光放大器中饱和参量表达式的修正
1
作者
夏光琼
吴正茂
陈建国
机构
西南师范大学
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期200-202,共3页
基金
重庆市科委资助
文摘
根据行波半导体光放大器中载流子复合的实际过程。
关键词
半导体器件
行波
半导体光放大器
饱和参量
Keywords
Semiconductor Devices,Travelling Wave Semiconductor Optical Amplifier,Saturation Parameter
分类号
TN360.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究
2
作者
陈维友
刘式墉
机构
吉林大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第7期593-600,共8页
文摘
本文以PINIP结构各区载流子速率方程为基础,综合考虑了各区的多种物理过程,在适当的近似条件下,给出一个完整的PINIP多色光电探测器电路模型.该模型的模型参数直接与各区的几何及电学参数相联系,对于器件的优化设计尤其方便.该模型可在开发OEIC电路模拟软件中采用,亦可加到现有电路模拟软件中.它可用于直流、交流、瞬态分析.
关键词
PINIP结构
氢化非晶硅
半导体电器件
分类号
TN360.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
1.3μm波长超辐射发光二极管组件
被引量:
2
3
作者
朱志文
蔡开清
杨璠
计敏
易向阳
唐祖荣
陈其道
罗江财
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期57-62,共6页
基金
电科院基金
文摘
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管(SLD)。采用SLD作为光源,光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。SLD是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验,确定了器件的结构,在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用14针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括SLD、光监视用PIN光探测器、热敏电阻和半导体致冷器,可通过外电路对组件实现温控、光控,以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于300μW,最大超过700μW,光谱宽度大于30nm。
关键词
发光二极管
传感器
光纤陀螺
半导体器件
Keywords
LEDs,Sensors,Fibre Optic Gyros,Semiconductor Devices
分类号
TN360.3 [电子电信—物理电子学]
TN253.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
弱光位敏探测器
被引量:
1
4
作者
刘茂银
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期25-26,共2页
基金
863基金
文摘
提出一种新型弱光位敏探测器。总结了该器件理论分析设计,给出了实验结果,并与传统光电倍增管比较了优缺点。
关键词
传感器
光电探测器
弱光位敏探测器
Keywords
Sensors.Semiconductor Materials,Photodetectors
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN360.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
超短激光脉冲触发GaAs体光导开关的三维瞬态分析
5
作者
马俊
郭开周
机构
西安瞬态光学技术国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期20-25,共6页
基金
国家自然科学基金
西安瞬态光学技术国家重点实验室联合资助
文摘
本文采用时域有限差分法(TDFD),超吸收边界条件,利用半导体物理学的有关成果,归纳出适合体光导开关的三维载流子复合动力学数学模型,完成了对半导体(GaAs)体光导开关的三维全波分析。计算了光导开关内部场和载流子的瞬态分布。本文提出的最佳设计方案,可使对激光能量的要求成倍数的降低;本文还讨论了静态场量对数值计算的影响。
关键词
GaAs体光导开关
瞬态场
三维全波分析
最佳设计
Keywords
Bulk PCSS,Recombination kinetics of carriers,Transient EM field ,Three dimensional fullwave analysis,Optimum design,Static field effect
分类号
TN360.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
行波半导体光放大器中饱和参量表达式的修正
夏光琼
吴正茂
陈建国
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究
陈维友
刘式墉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
1.3μm波长超辐射发光二极管组件
朱志文
蔡开清
杨璠
计敏
易向阳
唐祖荣
陈其道
罗江财
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
弱光位敏探测器
刘茂银
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
超短激光脉冲触发GaAs体光导开关的三维瞬态分析
马俊
郭开周
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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