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高压超快GaAs光电导开关的研制 被引量：9
1
作者 梁振宪 施卫 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期104-106,共3页
本文首次报导了采用全固态绝缘、微带线低电感输出的Si-GaAs高压超快光电导开关的研制结果该器件的耐压强度为35kV／cm，典型的电流脉冲上升时间为200ps。
关键词 光电导开关 Lock-on效应 脉冲功率技术 砷化镓
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高压超快 GaAs 光电导开关的耐压设计与绝缘保护 被引量：10
2
作者 施卫 梁振宪 +1 位作者 冯军 徐传骧 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期12-13,16,共3页
通过对Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ电极结构的最佳化设计，采用Ｓｉ３Ｎ４硅凝胶钝化／保护技术，首次研制出一种全固态的ＧａＡｓ横向高压光电导开关。器件具有理想的暗态伏安特性，绝缘强度达３５ｋＶ／ｃｍ。
关键词 光导开关 开关 砷化镓 绝缘保护 耐压设计
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