超声波线焊的两维非接触有限元分析

1

作者 丁勇 郑荣跃 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2005年第11期1350-1353,共4页

在超声波线焊中,虽然金线和焊接平台间的接触界面较大,但实验显示,焊接部位只发生在接触截面的周边,这是一种特别的焊接界面形态和超声波线焊的机理。本文采用弹塑性、大变形的非线性有限元方法,模拟了超声波线焊的过程,分析了接触界面... 在超声波线焊中,虽然金线和焊接平台间的接触界面较大,但实验显示,焊接部位只发生在接触截面的周边,这是一种特别的焊接界面形态和超声波线焊的机理。本文采用弹塑性、大变形的非线性有限元方法,模拟了超声波线焊的过程,分析了接触界面的接触压强分布,发现不均匀的接触压强分布是导致这种焊点形态的主要原因。这种不均匀的焊点形态也将影响对压碶按压力作用的理解,过高的压碶按压力并不一定有助于超声波线焊。 展开更多

关键词 超声波线焊 弹塑性分析 非线性有限元 接触压强

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高压超快 GaAs 光电导开关的耐压设计与绝缘保护 被引量：10

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作者 施卫 梁振宪 +1 位作者 冯军 徐传骧 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期12-13,16,共3页

通过对Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ电极结构的最佳化设计，采用Ｓｉ３Ｎ４硅凝胶钝化／保护技术，首次研制出一种全固态的ＧａＡｓ横向高压光电导开关。器件具有理想的暗态伏安特性，绝缘强度达３５ｋＶ／ｃｍ。

关键词 光导开关 开关 砷化镓 绝缘保护 耐压设计

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方酸菁功能材料修饰纳米晶TiO_2薄膜电极的光电转换性能研究 被引量：9

3

作者 赵为 张宝文 +2 位作者 曹怡 萧绪瑞 杨蓉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期304-306,共3页

考察了三种方酸菁染料修饰纳米晶ＴｉＯ２薄膜电极表面应用于光电化学太阳能电池进行光电转换的情况，发现它们的光电化学性能参数按照Ｓｑ３＞Ｓｑ２＞Ｓｑ１的顺序，随着染料在纳米晶ＴｉＯ２上吸附力的增强而提高。其中，Ｓｑ３的光... 考察了三种方酸菁染料修饰纳米晶ＴｉＯ２薄膜电极表面应用于光电化学太阳能电池进行光电转换的情况，发现它们的光电化学性能参数按照Ｓｑ３＞Ｓｑ２＞Ｓｑ１的顺序，随着染料在纳米晶ＴｉＯ２上吸附力的增强而提高。其中，Ｓｑ３的光电转换效率为２．１７％，它在６５０ｎｍ处的最高单色光光电流效率ＩＰＣＥ值达到６．２％，表明方酸菁是一类优良的光电转换功能材料。 展开更多

关键词 方酸菁 太阳能电池 纳米晶 薄膜电极 光电转换

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聚合方法对聚苯胺导电性能的影响 被引量：9

4

作者 封伟 韦玮 吴洪才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期320-322,共3页

采用溶液聚合与乳液聚合两种方法分别合成了导电高分子材料聚苯胺（ＰＡｎ），并对其性能进行了比较研究。实验结果表明：不同的聚合方法影响聚合物的产率、溶解度、分子量、导电性、环境稳定性以及微观结构等性能。

关键词 聚苯胺 乳液聚合 溶液聚合 导电聚合物 导电性能

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光电导聚苯胺/染料共聚材料性能的研究 被引量：9

5

作者 封伟 韦玮 吴洪才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期317-319,共3页

以直接耐墨染料、均苯四酸酐及聚苯胺为原料，通过缩聚反应获得了感光染料／聚苯胺嵌段共聚的光电导聚苯胺分子结构。该聚合物具有优良的溶解性能和成膜能力，电导率达到１０－１Ｓ／ｃｍ。元素分析该聚合物的Ｎ∶Ｓ摩尔比理论值与实测... 以直接耐墨染料、均苯四酸酐及聚苯胺为原料，通过缩聚反应获得了感光染料／聚苯胺嵌段共聚的光电导聚苯胺分子结构。该聚合物具有优良的溶解性能和成膜能力，电导率达到１０－１Ｓ／ｃｍ。元素分析该聚合物的Ｎ∶Ｓ摩尔比理论值与实测值相吻合，红外谱图证实了所合成产物的结构，紫外吸收分析表明用直接耐墨Ｇ与聚苯胺段共聚后在可见光区、近红外区具有较强的吸收，大幅度提高了其光电导性能。热失重研究表明聚苯胺用直接耐墨Ｇ嵌段共聚后热稳定性较聚苯胺提高１００℃左右，电子透射电镜显示该分子呈无定型结构。 展开更多

关键词 感光染料 聚苯胺 嵌段聚合 光电材料 导电聚合物

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硅光电器件两种辐照效应的比较 被引量：4

6

作者 陈炳若 李世清 +1 位作者 鄢和平 高繁荣 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期21-26,共6页

比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验，有助于了... 比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。 展开更多

关键词 光电器件 光电流谱 辐照效应 硅 半导体

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集成大面积光电探测器接收芯片的优化设计(英文) 被引量：3

7

作者 范程程 程翔 +4 位作者 颜黄苹 史晓凤 郑明 徐攀 陈朝 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期76-81,共6页

通过仿真优化探测器的结构参数和性能,设计了基于0.25μm标准BCD(Biplor,CMOS and DMOS)工艺的大面积多叉指状PIN光电探测器.选择已优化的大面积光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器单片集成,采用0.25μm BCD工艺实现了一个用于65... 通过仿真优化探测器的结构参数和性能,设计了基于0.25μm标准BCD(Biplor,CMOS and DMOS)工艺的大面积多叉指状PIN光电探测器.选择已优化的大面积光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器单片集成,采用0.25μm BCD工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.结果表明:多叉指状PIN光电探测器对650nm入射光的响应度提高至0.260A/W,其结电容降低至4.39pF.对于650nm的入射光,在速率250 Mb/s、误码率小于10-9的条件下,光接收芯片的灵敏度为-23.3dBm,并得到清晰的眼图.该光电探测器可用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中. 展开更多

关键词 塑料光纤通信 光接收芯片 多叉指PIN 光电探测器 BCD工艺

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硅光电探测器光谱响应度测量标准装置 被引量：12

8

作者 张建民 林延东 +1 位作者 邵晶 樊其明 《计量学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期194-198,206,共6页

本文介绍了硅光电探测器光谱响应度测量的原理和装置，描述了相对和绝对光谱响应度标定方法，详细分析了引起标定误差的因素和误差合成，简要分析了国际比对结果。本装置的波长范围为３００～１０００ｎｍ，相对光谱响应的不确定度（１... 本文介绍了硅光电探测器光谱响应度测量的原理和装置，描述了相对和绝对光谱响应度标定方法，详细分析了引起标定误差的因素和误差合成，简要分析了国际比对结果。本装置的波长范围为３００～１０００ｎｍ，相对光谱响应的不确定度（１σ）为０２１％～０８６％，绝对光谱响应的不确定度（１σ）为０２５％～０８７％。 展开更多

关键词 光电探测器 相对光谱响应度 绝对光谱响应度

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探测光功率对半导体全光波长变换器性能的影响分析 被引量：6

9

作者 郑学彦 管克俭 叶培大 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第3期254-258,共5页

根据半导体光放大器的高频滤波效应，利用动态载流子恢复时间的概念，分析了基于半导体光放大器交叉增益调制的全光波长变换器中变换信号的波形、啁啾与探测光功率的关系．理论计算表明，在保持变换信号消光比相同的情况下，在大的探测... 根据半导体光放大器的高频滤波效应，利用动态载流子恢复时间的概念，分析了基于半导体光放大器交叉增益调制的全光波长变换器中变换信号的波形、啁啾与探测光功率的关系．理论计算表明，在保持变换信号消光比相同的情况下，在大的探测光功率下，变换信号的波形将变好，并且啁啾对变换信号码间干扰的影响会减小，理论很好地解释了文献中的实验结果． 展开更多

关键词 半导体光放大器 全光波长变换器 探测光功率

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高压超快GaAs光电导开关的研制 被引量：9

10

作者 梁振宪 施卫 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期104-106,共3页

本文首次报导了采用全固态绝缘、微带线低电感输出的Si-GaAs高压超快光电导开关的研制结果该器件的耐压强度为35kV／cm，典型的电流脉冲上升时间为200ps。

关键词 光电导开关 Lock-on效应 脉冲功率技术 砷化镓

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光电耦合器的封装胶特性分析 被引量：3

11

作者 田浦延 陈蒲生 +1 位作者 布良基 冯文修 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期54-57,共4页

讨论了用于不同光传输结构光耦的各种内外封装胶的特性 ,对几种不同的封装胶进行了光谱测试实验 ,并通过实验数据对胶进行成分分析和特性分析 。

关键词 特性分析 隔离电压 二氧化硅 氧化钛 电流传输比 光电耦合器 封装胶 成分分析

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基于饱和滤波效应的半导体光放大器高速调制特性分析 被引量：6

12

作者 郑学彦 管克俭 叶培大 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期110-116,共7页

本文分析了半导体光放大器的高频滤波效应，给出了具有高速响应的半导体光放大器各参量的优化设计方法，提出了动态载流子恢复时间的概念。

关键词 半导体光放大器 饱和滤波效应 调制特性 SOA

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1.3μm波长超辐射发光二极管组件 被引量：2

13

作者 朱志文 蔡开清 +5 位作者 杨璠 计敏 易向阳 唐祖荣 陈其道 罗江财 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期57-62,共6页

光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和... 光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验，确定了器件的结构，在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用１４针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括ＳＬＤ、光监视用ＰＩＮ光探测器、热敏电阻和半导体致冷器，可通过外电路对组件实现温控、光控，以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于３００μＷ，最大超过７００μＷ，光谱宽度大于３０ｎｍ。 展开更多

关键词 发光二极管 传感器 光纤陀螺 半导体器件

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非晶硅光敏材料的高电阻率化研究 被引量：6

14

作者 杜新华 刘克源 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期588-591,共4页

本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料，通过微量掺Ｂ、Ｏ，控制ａＳｉ∶Ｈ薄膜中的ＳｉＨ２和ＳｉＨ基团的组成比，有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化，其暗电阻率ρｄ≥１０１３Ω·ｃｍ，在可见光至近红外光... 本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料，通过微量掺Ｂ、Ｏ，控制ａＳｉ∶Ｈ薄膜中的ＳｉＨ２和ＳｉＨ基团的组成比，有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化，其暗电阻率ρｄ≥１０１３Ω·ｃｍ，在可见光至近红外光范围内，具有很高的单色光电导增益，σｐｈ／σｄ≥１０３。分析了ａＳｉ∶Ｈ［Ｂ、Ｏ］材料ＩＲ谱的特征，说明了氧原子和硅氢基团对微结构的影响及其在支配非晶硅光电性能方面的重要作用。 展开更多

关键词 非晶硅 电阻率 光敏材料 高电阻变化

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SMA同轴封装高速光电探测器 被引量：3

15

作者 张永刚 程宗权 蒋惠英 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期68-72,共5页

采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件... 采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少了约０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。 展开更多

关键词 光电探测器 封装 光纤通信 SMA同轴管壳

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电压衬度像技术在IC失效分析中的应用 被引量：4

16

作者 陈琳 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期581-584,共4页

电压衬度像(PVC)技术是用于定位集成电路不可见缺陷的一种有效的失效分析方法,结合聚焦离子束(FIB)精准的微切割技术,可将PVC技术应用于长金属互连线的缺陷定位。主要介绍了PVC技术及其原理,概述了如何在SEM和FIB中应用其工作原理有效... 电压衬度像(PVC)技术是用于定位集成电路不可见缺陷的一种有效的失效分析方法,结合聚焦离子束(FIB)精准的微切割技术,可将PVC技术应用于长金属互连线的缺陷定位。主要介绍了PVC技术及其原理,概述了如何在SEM和FIB中应用其工作原理有效地定位IC缺陷位置,并就接触孔/通孔缺陷以及规则长金属导线的失效实例展开讨论和分析。 展开更多

关键词 电压衬度像 扫描电子显微镜 聚焦离子束 失效分析

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CaF_2∶Mn热释光材料的研究 被引量：1

17

作者 陈朝阳 巴维真 +2 位作者 吾勤之 何承发 安金霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期423-424,427,共3页

研究了ＣａＦ２∶Ｍｎ热释光材料的制备方法和发光曲线、剂量响应曲线、响应的时间衰退特性、剂量率响应、能量响应等剂量学特性。结果表明，ＣａＦ２∶Ｍｎ是一种理想的热释光材料。

关键词 CaF2:Mn 热释光 剂量 热释光材料

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不同工艺制备的氟化镁材料对真空镀膜的影响 被引量：2

18

作者 王武育 孙平 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期22-25,共4页

用三种不同工艺制得的氟化镁为镀膜材料，考察了不同材料的结构对镀膜工艺和薄膜光学性能折射率的影响，并就其影响的原因进行了宏观分析，为选择高质量的镀膜材料提供了理论依据。

关键词 真空镀膜 氟化镁 光学材料

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基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计 被引量：1

19

作者 邹心遥 姚若河 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期501-505,共5页

固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数β反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值。提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSVM在MOS电容与时间有关的击穿寿命分布评估中... 固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数β反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值。提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSVM在MOS电容与时间有关的击穿寿命分布评估中的应用实例,并与常规的最小二乘评估方法相比,得到的结果表明LSSVM的评估精度更高(均方误差更小)、鲁棒性更好,在小样本情况下能更精确地确定威布尔分布的形状参数。 展开更多

关键词 可靠性评估 威布尔参数估计 最小二乘支持向量机 最小二乘回归

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半导体量子点的发光性质研究 被引量：1

20

作者 官众 张道礼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期895-898,共4页

用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因。结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄。用InAs... 用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因。结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄。用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光。 展开更多

关键词 量子点 发光性质 光致发光谱测试

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