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高反压硅整流管台面成型工艺的研究
被引量：
1
1
作者
孙瑛
王国兴
孙东茹
《山东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1991年第4期45-49,39,共6页
本文对大功率高反压硅整流管台面成型工艺中的斜角形成,台面腐蚀,表面清洁处理和表面钝化的关键技术,以及反向伏安特性进行了分析讨论。
关键词
硅
整流管
台面成型
伏安特性
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职称材料
题名
高反压硅整流管台面成型工艺的研究
被引量：
1
1
作者
孙瑛
王国兴
孙东茹
机构
山东师大科研处
山东大学中心医院
济南钟表厂
出处
《山东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1991年第4期45-49,39,共6页
文摘
本文对大功率高反压硅整流管台面成型工艺中的斜角形成,台面腐蚀,表面清洁处理和表面钝化的关键技术,以及反向伏安特性进行了分析讨论。
关键词
硅
整流管
台面成型
伏安特性
Keywords
mesa forming
volt-ampere characteristics
silicon rectifier tube
分类号
TN350.52 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高反压硅整流管台面成型工艺的研究
孙瑛
王国兴
孙东茹
《山东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1991
1
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