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InAs/GaSb超晶格红外探测器台面的ICP刻蚀研究 被引量：1
1
作者 郭杰 郝瑞亭 +1 位作者 赵前润 满石清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期122-124,128,共4页
采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻... 采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb；Cl2比例在20％~40％时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。 展开更多
关键词 超晶格 ICP 刻蚀 刻蚀速率 表面形貌
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CMP工艺对Co/Cu去除速率及速率选择比的影响研究 被引量：5
2
作者 季军 何平 +3 位作者 潘国峰 王辰伟 张文倩 杜义琛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期699-704,共6页
化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3%体积百分比的FA/O型螯合剂、3%体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5% SiO_2。首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率... 化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3%体积百分比的FA/O型螯合剂、3%体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5% SiO_2。首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率及选择比的作用机理。然后采用4因素、3水平的正交试验方法对抛光工艺进行优化实验,得到了较佳的工艺参数。在抛光压力为13.79kPa、抛光头/抛光盘转速为87/93r/min、抛光液流速为300mL/min的条件下,Co/Cu的去除速率选择比为3.26,Co和Cu的粗糙度分别为2.01、1.64nm。 展开更多
关键词 钴 铜 化学机械抛光工艺 正交试验 去除速率 速率选择比
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不同抛光参数对蓝宝石衬底CMP质量的影响 被引量：5
3
作者 赵欣 牛新环 +2 位作者 王建超 殷达 腰彩红 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期274-279,共6页
蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)质量直接影响器件的成品率和可靠性。抛光液和抛光工艺参数是影响CMP质量的决定性因素。为了得到更优的抛光液利用率以及更好的抛光效果,系统研究了自主研制的抛光液pH值、抛光压力、转速和流量等抛光参数对... 蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)质量直接影响器件的成品率和可靠性。抛光液和抛光工艺参数是影响CMP质量的决定性因素。为了得到更优的抛光液利用率以及更好的抛光效果,系统研究了自主研制的抛光液pH值、抛光压力、转速和流量等抛光参数对c面蓝宝石衬底化学机械抛光去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明,去除速率随pH值、抛光压力、转速和流量的升高先增加后减小;表面粗糙度随pH值、抛光压力、转速的升高先减小后增加,随流量升高而慢慢降低。通过实验进行优化,当pH值为10.5、抛光压力为27.6kPa、抛光头转速为40r/min、抛光盘转速为45r/min、流量为160mL/min时,去除速率能稳定在2.69μm/h,表面粗糙度为0.184nm。此规律对指导工业生产具有重要的意义。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 化学机械抛光 去除速率 表面粗糙度
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KIO_4抛光液中盐酸胍对铜钌CMP的影响 被引量：3
4
作者 杜义琛 王辰伟 +4 位作者 周建伟 张文倩 季军 何彦刚 罗超 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期280-284,共5页
使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验结... 使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验结果表明,随着GH浓度的升高,Ru和Cu的抛光速率逐步降低,并且达到良好的速率选择比。 展开更多
关键词 高碘酸钾 盐酸胍 CMP 电化学 抛光液
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集成铁芯变流器及其磁路设计研究
5
作者 曹欣欣 《中国纺织大学学报》 CSCD 1990年第1期43-49,共7页
集成铁芯变流器是将变流器的变压器和电感器恰当地组合在一个铁芯上.它能显著减小铁芯的体积和重量而不影响变流器所需的电特性.本文讨论两种集成铁芯型式的变流器,研究集成铁芯的分析、计算及其设计.给出变流器采用集成铁芯时所减小的... 集成铁芯变流器是将变流器的变压器和电感器恰当地组合在一个铁芯上.它能显著减小铁芯的体积和重量而不影响变流器所需的电特性.本文讨论两种集成铁芯型式的变流器,研究集成铁芯的分析、计算及其设计.给出变流器采用集成铁芯时所减小的体积和重量的计算方法. 展开更多
关键词 集成铁芯 变流器 磁路 设计
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2CQ2、2CQ3型硅半桥式整流器的设计与制造
6
作者 李顺秀 吕雪松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第5期37-40,共4页
2CQ<sub>2</sub>、2CQ3型硅半桥式整流器是国产品,日本东芝公司的型号是S2VC<sup>+</sup>、S2VC<sup>.</sup>该产品具有正向压降低、反向漏电小、性能稳定可靠、体积小、重量轻、封装形式独特等优... 2CQ<sub>2</sub>、2CQ3型硅半桥式整流器是国产品,日本东芝公司的型号是S2VC<sup>+</sup>、S2VC<sup>.</sup>该产品具有正向压降低、反向漏电小、性能稳定可靠、体积小、重量轻、封装形式独特等优点,被广泛用于电视机、收录机等.为使产品国产化。 展开更多
关键词 硅 半桥式 整流器 设计 制造
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可控整流电路的功率因数分析
7
作者 胡鹰 《四川轻化工学院学报》 2000年第1期38-46,共9页
导出了几种应用最多的整流电路在各个不同的工作状态下的功率因数的公式和相应的曲线，并进行了比较和分析，得出了十分有益的结论；使整流电路的功率因数的分析趋于完善。
关键词 功率因数 整流电路 可控整流电路
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