SiO膜作为光控晶闸管减反射膜的研究 被引量：1

1

作者 赵善麒 高鼎三 潘福泉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期67-70,60,共5页

为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层 SiO 减反射膜。本文在理论上指出了 SiO 膜作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对 SiO 膜的减反射效果进行了验证,结果表明:SiO 膜的存在可使透射率由无膜时的0... 为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层 SiO 减反射膜。本文在理论上指出了 SiO 膜作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对 SiO 膜的减反射效果进行了验证,结果表明:SiO 膜的存在可使透射率由无膜时的0.68提高到0.94～1,光触发功率比无膜时减小了20～40％。 展开更多

关键词 光控晶闸管 光触发灵敏度 减反射膜 反射率 透射率 氧化硅

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光触发晶闸管光开启特性的研究 被引量：1

2

作者 陈涛 余岳辉 翁保国 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1990年第3期89-92,共4页

本文对大功率直接光触发晶闸管的开通特性进行了测试分析。实验表明,随着光脉冲宽度的增加,临界光脉冲幅值有所降低;在脉宽不变时,延迟时间t_d随光脉冲幅值的增加近似成双曲函数下降,在光脉冲宽度和幅值都不变时,上升时间t_r随阳极电流... 本文对大功率直接光触发晶闸管的开通特性进行了测试分析。实验表明,随着光脉冲宽度的增加,临界光脉冲幅值有所降低;在脉宽不变时,延迟时间t_d随光脉冲幅值的增加近似成双曲函数下降,在光脉冲宽度和幅值都不变时,上升时间t_r随阳极电流I_A增加而增加,t_d基本不变。t_r和t_d都随阳极电压V_A的增加而减小。 展开更多

关键词 光触发 晶闸管 开启特性 延迟时间

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中心锥形槽状光敏门极的200A，1200V光控双向晶闸管的研制

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作者 赵善麒 高鼎三 王正元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期488-495,共8页

本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为２００Ａ，耐压为１２００Ｖ；的光控双向晶... 本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为２００Ａ，耐压为１２００Ｖ；的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１３ｍｗ，通态峰值压降小于１．５Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ． 展开更多

关键词 双向可控硅 光控可控硅 光敏门极

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受光区具有薄n层结构的光控晶闸管的研究

4

作者 赵善麒 高鼎三 潘福泉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第3期47-50,共4页

本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏... 本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏度的500A,2000V直接光触发晶闸管。 展开更多

关键词 光控管可控硅 触发灵敏度 受光区

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6.5 kV SiC光控晶闸管的研制

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作者 杨燎 陈宏 +2 位作者 郑昌伟 白云 杨成樾 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第11期861-865,共5页

基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真... 基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 光控晶闸管(LTT) 脉冲开关 击穿电压 电流变化率(di/dt)

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基于晶闸管的中压固态开关触发技术 被引量：3

6

作者 范彩云 何青连 +1 位作者 马俊民 李生林 《自动化应用》 2011年第11期25-27,共3页

介绍晶闸管触发技术在固态开关中的应用,指出电控晶闸管的不足之处,提出光控晶闸管在固态开关中的应用优势。

关键词 电控晶闸管 光控晶闸管 TE板 固态切换开关(SSTS) 单纯型固态开关

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一种高灵敏度的光控晶闸管

7

作者 赵善麒 潘福泉 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1989年第3期49-52,67,共5页

关键词 光控晶闸管 高灵敏度

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硅片叠块的缺陷种类与机理分析及改进措施

8

作者 许澄嘉 张丽珍 《上海半导体》 1993年第3期26-29,共4页

关键词 硅堆 制造 硅片叠块 缺陷 改进

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大功率光触发晶闸管光能量传输系统的研究

9

作者 翁阳 高金凯 黄钟德 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1989年第4期81-90,共10页

本文从提高光能量传输系统效率出发,提出了光学元件选取原则;就国内外现有适于作光传输系统的光学元件的性能作了比较;从理论上推出计算光传输系统耦合效率更为精确的方法,并立足于元件的国产化,用选取的国产光学元件制作了一实际的光... 本文从提高光能量传输系统效率出发,提出了光学元件选取原则;就国内外现有适于作光传输系统的光学元件的性能作了比较;从理论上推出计算光传输系统耦合效率更为精确的方法,并立足于元件的国产化,用选取的国产光学元件制作了一实际的光能量传输系统。 展开更多

关键词 大功率 光激可控硅 能量 传输

全文增补中

测量硅堆用高压波形种类及计量方法的初探

10

作者 陈磊 《电子工艺简讯》 1994年第3期7-10,共4页

关键词 硅堆 测量 高压波形 波形

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富士塑料封装高压硅堆

11

作者 许澄嘉 张丽珍 《电子工程师》 1992年第2期39-45,共7页

关键词 电子设备 塑料封装 硅堆 高压硅堆

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光晶闸管的原理及应用

12

作者 王贻友 李风叶 《电气时代》 1990年第4期10-11,共2页

光晶闸管是最近出现的一种新型光控开关器件。因为它具有独特的性能,所以在工业、科研以及国防等领域中获得广泛地应用。一、工作原理光晶闸管和普通晶闸管相似,所不同的只是用光触发代替了电触发。光晶闸管的内部结构见图1。由图可见,... 光晶闸管是最近出现的一种新型光控开关器件。因为它具有独特的性能,所以在工业、科研以及国防等领域中获得广泛地应用。一、工作原理光晶闸管和普通晶闸管相似,所不同的只是用光触发代替了电触发。光晶闸管的内部结构见图1。由图可见,它与普通晶闸管基本相同,也是由P_1-N_1-P_2-N_2四层半导体组成的,其中由N_1。 展开更多

关键词 光晶闸管 原理 应用 可控硅

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第七讲 光控晶闸管和光电耦合器

13

作者 刘永强 陈华山 《电世界》 1994年第7期32-35,共4页

光控晶闸管的原理及特点光控晶闸管是一种较新型的光电器件,靠光信号触发导通。它和普通晶闸管有相似的内部结构和伏安特性,所不同的是用光触发代替了电触发。光控晶闸管有时又称为光开关管。图7-1(a)

关键词 光控晶闸管 光电耦合器 晶闸管

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光控可控硅的应用

14

作者 吕德忠 《自动化博览》 1992年第1期18-19,共2页

关键词 可控硅 光控可控硅 应用

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直接光触发晶闸管(LTT)在SVC的应用 被引量：7

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作者 成旭鹏 焦东亮 《电力建设》 2007年第9期83-85,共3页

与普通的电触发晶闸管ETT对比,直接光触发晶闸管LTT具有直接光触发和内置BOD保护两大优点,使得LTT阀塔的可靠性大大提高、维护量明显降低、成本显著节省。随着LTT应用量的不断扩大和成本的进一步降低,LTT技术在高压直流输配电换流阀和... 与普通的电触发晶闸管ETT对比,直接光触发晶闸管LTT具有直接光触发和内置BOD保护两大优点,使得LTT阀塔的可靠性大大提高、维护量明显降低、成本显著节省。随着LTT应用量的不断扩大和成本的进一步降低,LTT技术在高压直流输配电换流阀和静态无功功率补偿装置(SVC)等方面的应用前景广阔。 展开更多

关键词 直接光触发晶闸管LTT 电触发晶闸管ETT BOD保护 SVC

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MOC系列光耦可控硅主要参数

16

作者 廖永鹏 《家电维修（大众版）》 2015年第2期J0056-J0056,共1页

在空调电控板中，常采用MOC系列的光控可控硅对大功率交流器件进行功率控制。该系列光控可控硅分为随机相位型与零交叉型两大类，均采用6脚封装形式，其引脚功能如图1所示，主要参数见表1。

关键词 光控可控硅 光耦 功率控制 随机相位 封装形式 引脚功能 大功率 零交叉

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光控可控硅及其应用

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作者 宋吉江 牛轶霞 孙政顺 《家用电器》 2000年第2期39-40,共2页

光控可控硅又称光激可控硅或光控硅晶闸管。其优点是:通过主电路与控制电路的光耦合,可以抑制噪音干扰。主电路和控制电路相互隔离,容易满足对高压绝缘的要求。使用光控可控硅元件,不需要控制极触发脉冲变压器,可减小装置的体积与重量,... 光控可控硅又称光激可控硅或光控硅晶闸管。其优点是:通过主电路与控制电路的光耦合,可以抑制噪音干扰。主电路和控制电路相互隔离,容易满足对高压绝缘的要求。使用光控可控硅元件,不需要控制极触发脉冲变压器,可减小装置的体积与重量,提高可靠性。单个光控可控硅元件输出电流可达安培级,其大小不随光强变化而变化。由于上述特点,光控可控硅作为自动控制元件已广泛用于光继电器、自控、隔离、输入开关、光计数器、红外探测器、光报警器、光触发脉冲发生器、液位控制器等方面。七十年代末,出现了大功率光控可控硅元件。 展开更多

关键词 光控可控硅 控制电路 光控硅晶闸管

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