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题名特种高压硅堆的结构设计
被引量：1
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作者
项兴荣
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机构
天津中环半导体公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期52-54,共3页
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文摘
本文从特种高压硅堆的内部结构、外形整体结构的设计以及在检测应用中应注意的问题进行了阐述，并就应用领域方面提出了线索。
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关键词
高压硅堆
结构设计
硅堆
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分类号
TN342.03
[电子电信—物理电子学]
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题名可控硅零压开关功率调节器
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作者
姜平
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出处
《电子制作》
1999年第6期19-20,共2页
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文摘
本文介绍的电路有四个特点:(1)成本低,用通用数字IC代替专用可控硅零压开关IC;(2)低功耗,在220V时,电路自身功耗仅1W;(3)适应电压范围宽,在180V～240V范围内电路工作可靠;(4)功率调节范围宽,可从无输出调至全输出。电路如图1所示设计构思是设置一个占空比可调的振荡器作闸门信号(C),过零检测脉冲(B)在振荡器输出高电平时通过与非门驱动双向可控硅导通负载加电工作;
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关键词
可控硅
零压开关
功率调节器
IC
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分类号
TN342.03
[电子电信—物理电子学]
TP214
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名葛洲坝电厂静止式可控硅励磁系统结构改造介绍
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作者
严鄂
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机构
葛洲坝电厂
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出处
《水电站机电技术》
1990年第2期27-30,共4页
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文摘
一、葛洲坝电厂21台轴流式机组均采用静止式可控硅励磁系统,自二江电厂81年7月第一台机组投产后,事故频繁,历尽艰辛,进行了大规模技术改造和电子元器件优化,经过长期努力,目前已经完全稳定下来。
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关键词
可控硅
励磁系统
结构
静止式
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分类号
TN342.03
[电子电信—物理电子学]
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题名可控硅接口电路及程序结构
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作者
刘振林
穆剑玲
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出处
《电子制作》
1999年第10期31-32,共2页
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文摘
本文介绍了用8031控制可控硅的接口电路,控制可控硅的导通角的程序设计,采用过零触发时可控硅的程序设计,以及实用中的一些问题。晶闸管作为重要的控制器件,广泛应用于工业设备中,由于它无机械动作、无噪声,可直接控制强电运行,尤其是在采用过零触发时,使系统运行更平稳安全、无冲击。我们知道晶闸管的导通需要正向阳极电压和正向控制电压,控制电压可以是交流、直流或脉冲,其中脉冲信号控制时间短,控制损坏小,同时便于实现移相控制,便于输出调节,因此在实践实际中普遍采用。
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关键词
可控硅
接口电路
程序结构
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分类号
TN342.03
[电子电信—物理电子学]
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