期刊文献+
共找到255篇文章
< 1 2 13 >
每页显示 20 50 100
用PSPICE仿真GTO的瞬态特性 被引量:6
1
作者 马莉 何湘宁 +1 位作者 周景海 钱照明 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第4期90-93,共4页
介绍了用仿真软件PSPICE建立GTO组合模型的方法.该模型仅用两个晶体管来模拟GTO的动态特性。本文重点介绍了对门极关断特性的仿真。比较了仿真和实验结果,分析了参数的灵敏度。
关键词 可关断晶闸管 仿真模型 瞬态特性 晶闸管
在线阅读 下载PDF
关断过程中 GTO 正向阻断结失效机理的研究 被引量:4
2
作者 张立 刘利贤 +5 位作者 陈志敏 郑同江 季凌云 张昌利 白杰 高占成 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 1997年第4期259-263,277,共6页
本文重点研究了可关断晶闸管(GTO)正向阻断结的三种失效机理。在GTO关断过程中,阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏,从而使GTO关断失效。从器件内部载流子的输运规律出... 本文重点研究了可关断晶闸管(GTO)正向阻断结的三种失效机理。在GTO关断过程中,阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏,从而使GTO关断失效。从器件内部载流子的输运规律出发,作者阐述了这三个极限参数引起GTO失效的机理,建立了三种不同的失效模式;首次研究了GTO关断过程中下降时间内瞬时峰值功耗和尖峰电压相对位置的关系。 展开更多
关键词 正向阻断结 失效机理 晶闸管
在线阅读 下载PDF
电压质量调节器中晶闸管的强制关断技术 被引量:3
3
作者 冯兴田 韦统振 齐智平 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期35-39,共5页
常规电压质量调节器VQC(Voltage Quality Conditioner)的串联补偿部分使用变压器串联到配电网中,但是变压器存在磁饱和问题,易产生破坏性的冲击电流。提出利用双向晶闸管构成开关设备取代变压器结构来解决该问题,并分析了其结构特点及... 常规电压质量调节器VQC(Voltage Quality Conditioner)的串联补偿部分使用变压器串联到配电网中,但是变压器存在磁饱和问题,易产生破坏性的冲击电流。提出利用双向晶闸管构成开关设备取代变压器结构来解决该问题,并分析了其结构特点及应用。针对晶闸管自然关断带来的滞后补偿问题,提出VQC中晶闸管的强制关断技术原理和控制策略。根据VQC中负载的特性、负载的大小以及逆变器的输出电压幅值和方向对晶闸管关断的影响研究,确立了强制关断原则,分析了晶闸管关断时间与逆变器输出电压、负载特性、负载大小之间的对应变化关系。仿真与实验分析验证了所提出强制关断策略的有效性与可行性。 展开更多
关键词 强制关断 电压质量调节器 晶闸管 自然关断 动态电压恢复器 电压控制
在线阅读 下载PDF
一种实效可关断晶闸管过流保护方法 被引量:5
4
作者 张纯江 邬伟扬 刘彦民 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1995年第3期1-4,共4页
在分析其它电流保护方法的基础上.提出一种实效电流保护新方法即采用对可关断晶闸管阳极电流值及其上升率同时监测分级保护的方法,并对严重故障有预报作用。实验证明,该方法精确、有效而且可靠。
关键词 电流保护 可关断晶闸管 晶闸管
在线阅读 下载PDF
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展 被引量:3
5
作者 王彩琳 高勇 张新 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期945-948,957,共5页
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管... 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。 展开更多
关键词 硅直接键合 电力电子器件 集成门极换流晶闸管 集成门极双晶体管 MOS控制可关断晶闸管
在线阅读 下载PDF
沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究 被引量:2
6
作者 王颖 程超 胡海帆 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期342-346,共5页
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击... 为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%. 展开更多
关键词 沟槽栅MOSFET 导通电阻 击穿电压 器件仿真
在线阅读 下载PDF
门极换向晶闸管阳极透过率的优化设计 被引量:1
7
作者 王颖 朱长纯 +1 位作者 吴春瑜 刘兴辉 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期167-169,185,共4页
采用数值模拟方法研究了缓冲层和透明阳极的结构参数对阳极透过率的影响.结果表明:透明阳极在较小的电流密度情况下具有较低的透过率,随着电流密度的增大透过率显著提高,即透明阳极的透过率依赖于阳极的电流密度;降低透明发射极或提高... 采用数值模拟方法研究了缓冲层和透明阳极的结构参数对阳极透过率的影响.结果表明:透明阳极在较小的电流密度情况下具有较低的透过率,随着电流密度的增大透过率显著提高,即透明阳极的透过率依赖于阳极的电流密度;降低透明发射极或提高缓冲层掺杂水平,透过率也会提高;减小阳极的结深,透过率也会提高.因此,可以通过恰当地选择缓冲层和透明阳极的结构参数来调整阳极透过率,使之达到期望值,进而提高器件的关断性能. 展开更多
关键词 门板换向晶闸管 缓冲层 透明阳极 透过率
在线阅读 下载PDF
IGCT——GTO技术的最新进展 被引量:11
8
作者 刘国友 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期9-9,共1页
IGCT是一种基于 GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件 ,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。本文将对 IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等... IGCT是一种基于 GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件 ,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。本文将对 IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等进行介绍。 展开更多
关键词 GTO 集成门极 半导体开关器件 IGCT 晶闸管
在线阅读 下载PDF
波状p基区IEC-GCT制造工艺研究 被引量:1
9
作者 张如亮 高勇 +1 位作者 王彩琳 苏翠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期454-459,共6页
波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IEC-GCT的RBSOA特性与门极开关均匀性。提出该器件的工艺制造方案,数值模拟结果表明建议方案可行,所得器件结构参数符合目标要求。模拟并分析了门极... 波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IEC-GCT的RBSOA特性与门极开关均匀性。提出该器件的工艺制造方案,数值模拟结果表明建议方案可行,所得器件结构参数符合目标要求。模拟并分析了门极挖槽工艺对波状基区形状的影响及铝杂质扩散对阳极结构的影响,挖槽工艺顺序和挖槽深度对阴极掩蔽效果有显著影响,而建议方案可避免A l杂质在阳极扩散导致的连通现象。 展开更多
关键词 电力半导体器件 门极换流晶闸管 波状p基区 制造工艺方案 门极挖槽
在线阅读 下载PDF
门极换向晶闸管的纵向结构研究 被引量:1
10
作者 王颖 朱长纯 +1 位作者 吴春瑜 白继彬 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期849-852,共4页
基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析,对其N基区的宽度进行了计算.结果表明,在同等耐压下,GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1/3.利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟,并对器件的纵向结... 基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析,对其N基区的宽度进行了计算.结果表明,在同等耐压下,GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1/3.利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟,并对器件的纵向结构参数进行了优化.采用湿法腐蚀工艺实现了门极和阴极的隔离结构,实验结果表明:当腐蚀的深度大于20μm后,由于腐蚀反应生成的副产物阻止了腐蚀液与硅表面充分接触,使得腐蚀反应速率下降,且横向腐蚀宽度与纵向腐蚀深度的比值约为0 8,此结论也为GCT的横向参数设计提供了重要的依据. 展开更多
关键词 隔离结构 工艺模拟 腐蚀
在线阅读 下载PDF
非对称型门极换流晶闸管的优化设计 被引量:1
11
作者 王颖 赵春晖 +1 位作者 曹菲 邵雷 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1044-1047,共4页
根据半导体器件的设计特点和设计原则,对600 A/3 000 V非对称型门极换流晶闸管进行了结构参数的优化设计,得到了材料参数与结构参数的关系.阴极采用条状同心环单元发射极排列结构,不仅可以提高单元承受应力的能力,而且可使单元均匀性得... 根据半导体器件的设计特点和设计原则,对600 A/3 000 V非对称型门极换流晶闸管进行了结构参数的优化设计,得到了材料参数与结构参数的关系.阴极采用条状同心环单元发射极排列结构,不仅可以提高单元承受应力的能力,而且可使单元均匀性得到改善.应用数值分析,使器件的透明阳极和缓冲层等关键结构的掺杂分布、区域宽度以及少子寿命得到优化,计算结果满足设计的要求. 展开更多
关键词 功率半导体器件 优化设计 门极换流晶闸管 缓冲层 透明阳极
在线阅读 下载PDF
等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响 被引量:3
12
作者 王颖 曹菲 吴春瑜 《电子器件》 CAS 2007年第4期1140-1143,共4页
进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了... 进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响。同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用。 展开更多
关键词 台面半导体器件 钝化 表面空间电荷层 表面耗尽区
在线阅读 下载PDF
门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究 被引量:1
13
作者 王彩琳 高勇 +1 位作者 马丽 刘静 《电子器件》 CAS 2008年第2期449-452,共4页
简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿。从而指出以往... 简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿。从而指出以往对GCT击穿机理的认识存在局限性。 展开更多
关键词 电力半导体器件 门极换流晶闸管 场阻止层 透明阳极 击穿
在线阅读 下载PDF
SiO膜作为光控晶闸管减反射膜的研究 被引量:1
14
作者 赵善麒 高鼎三 潘福泉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期67-70,60,共5页
为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层 SiO 减反射膜。本文在理论上指出了 SiO 膜作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对 SiO 膜的减反射效果进行了验证,结果表明:SiO 膜的存在可使透射率由无膜时的0... 为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层 SiO 减反射膜。本文在理论上指出了 SiO 膜作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对 SiO 膜的减反射效果进行了验证,结果表明:SiO 膜的存在可使透射率由无膜时的0.68提高到0.94~1,光触发功率比无膜时减小了20~40%。 展开更多
关键词 光控晶闸管 光触发灵敏度 减反射膜 反射率 透射率 氧化硅
在线阅读 下载PDF
IEC-GCT阳极结构参数的优化设计 被引量:1
15
作者 张如亮 高勇 +1 位作者 王彩琳 马丽 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2010年第4期388-392,共5页
在分析IEC-GCT器件结构与工作机理的基础上,利用器件分析工具Silvaco模拟了IEC阳极结构的参数变化对IEC-GCT器件通态特性和关断特性的影响。结果表明,阳极区和短路区掺杂浓度及阳极短路比对通态压降和关断时间有较大影响,覆盖在p阳极上... 在分析IEC-GCT器件结构与工作机理的基础上,利用器件分析工具Silvaco模拟了IEC阳极结构的参数变化对IEC-GCT器件通态特性和关断特性的影响。结果表明,阳极区和短路区掺杂浓度及阳极短路比对通态压降和关断时间有较大影响,覆盖在p阳极上的氧化层宽度对通态特性影响较小,并给出了优化设计后的结构参数。 展开更多
关键词 电力半导体器件 门极换流晶闸管 注入效率 阳极短路比
在线阅读 下载PDF
非对称型门极换流晶闸管模拟 被引量:1
16
作者 王颖 吴春瑜 +1 位作者 曹菲 刘云涛 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期661-665,共5页
建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型,对其进行了工艺模拟和器件模拟。模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的杂质总量,降... 建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型,对其进行了工艺模拟和器件模拟。模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的杂质总量,降低GCT的通态压降。n基区的寿命变化对器件的通态压降影响十分明显,辐照剂量的选取要折衷关断时间和通态压降的要求。 展开更多
关键词 缓冲层 透明阳极 通态压降 寿命控制
在线阅读 下载PDF
可关断晶闸管(GTO)触发驱动和保护电路的研究 被引量:1
17
作者 王克奇 曹军 杨肃 《东北林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期124-127,共4页
本文就目前出现的新型功率开关元件——门极可关断晶闸管(GTO)的驱动和保护问题进行了探讨。研究出一种实用的驱动和保护电路。它特别适用于用计算机控制采用GTO为功率开关的逆变系统。经过用逆变器的实验证实,该设计性能可靠,方法简单... 本文就目前出现的新型功率开关元件——门极可关断晶闸管(GTO)的驱动和保护问题进行了探讨。研究出一种实用的驱动和保护电路。它特别适用于用计算机控制采用GTO为功率开关的逆变系统。经过用逆变器的实验证实,该设计性能可靠,方法简单易行。 展开更多
关键词 逆变器 开关元件 保护电路
在线阅读 下载PDF
GTO逆变器缓冲电路CAD的研究 被引量:1
18
作者 高琴妹 胡慎敏 周兆敏 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第2期24-29,共6页
以电力电子器件GTO组件为例,对GTO及电路常用元器件模型、缓冲电路分布电感的计算、电路方程的形成和求解以及缓冲电路参数的优化设计进行了研究,并建立了相应的CAD软件包.
关键词 可关断晶闸管 阻尼电路 CAD
在线阅读 下载PDF
晶闸管交流调功器在电机绕组烘干炉中的应用 被引量:4
19
作者 张兰芬 汪玉凤 聂仁东 《自动化技术与应用》 2005年第9期78-79,共2页
论述了电机绕组烘干的温度控制对电机绝缘强度的影响,分析了晶闸管交流调功器的控温系统的结构并附有框图,详细的介绍了晶闸管交流调功器的在周期内通过输出周波数百分率的控温原理,同时对晶闸管交流调功器的自身特点也做了比较详尽的... 论述了电机绕组烘干的温度控制对电机绝缘强度的影响,分析了晶闸管交流调功器的控温系统的结构并附有框图,详细的介绍了晶闸管交流调功器的在周期内通过输出周波数百分率的控温原理,同时对晶闸管交流调功器的自身特点也做了比较详尽的总结。通过实际运行证明该装置控温精度高,瞬态浪涌电流小,节约电能。 展开更多
关键词 电机绕组 晶闸管交流调功器 周波控制器
在线阅读 下载PDF
可控硅物理特性综合实验仪的设计与制作 被引量:3
20
作者 周海涛 陈宝明 董有尔 《实验室科学》 2007年第1期153-155,共3页
在研究可控硅物理特性的基础上,设计制作了可控硅物理特性综合实验仪。该实验仪除了能测试单向可控硅之外,还可对双向可控硅、光控可控硅等的物理特性进行测试。该实验仪的成功研制,将有助于实验者对可控硅基本性能的掌握,并且丰富了实... 在研究可控硅物理特性的基础上,设计制作了可控硅物理特性综合实验仪。该实验仪除了能测试单向可控硅之外,还可对双向可控硅、光控可控硅等的物理特性进行测试。该实验仪的成功研制,将有助于实验者对可控硅基本性能的掌握,并且丰富了实验教学的内容。 展开更多
关键词 可控硅 最小维持电流 门板触发电压 门板触发电流
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 13 下一页 到第
使用帮助 返回顶部