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题名光电传感器在探测硅晶闸管扩展速度中的应用
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作者
王益成
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机构
陕西机械学院
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出处
《传感器技术》
CSCD
1990年第1期50-53,62,共5页
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文摘
本文论述了用红外法观测硅晶闸管瞬态导通扩展的观测原理,介绍了用光电传感器探测晶闸管扩展速度的几种方法,讨论了近红外视象管内的红外电视法观测晶闸管瞬态导通系统及其工作原理,并对晶闸管的扩展速度进行了观测,实现了利用光电传感器对电力半导体器件的无损检测。
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关键词
硅晶闸管
扩展速度
光电传感器
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分类号
TN340.407
[电子电信—物理电子学]
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题名可控硅电路的脉冲调试
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作者
邹勤力
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出处
《安装》
1991年第3期36-37,共2页
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关键词
可控硅
电路
脉冲
调试
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分类号
TN340.407
[电子电信—物理电子学]
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题名用万用表测试小功率晶闸管
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作者
苏成富
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机构
上海纺织机件制造二厂
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出处
《电工技术杂志》
1994年第6期34-35,共2页
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文摘
晶闸管是一种应用很广的半导体器件,小功率的晶闸管由于所需的触发电流较小,所以本文介绍用万用表测试小功率晶闸管的方法。 1.单向晶闸管的测试 单向晶闸管由P_1—N_1—P_2—N_2四层三端半导体构成,其内部构造、原理如图1所示。其中,A为阳极,K为阴极,G为触发极。 单向晶闸管的触发导通特性是:若在阳极A、阴极K之间加正向电压而触发极G开路,此时晶闸管阻断,若再在G、K之间亦加一定的正向电压(即从G极输入一定的触发电流),A、K之间就导通,一旦导通后,即使取消触发电流,A、K之间仍保持导通状态。直到通过A、K之间的电流小到某一较小的数值即小于擎住电流,或再加上反向电压时,晶闸管才恢复阻断状态。
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关键词
万用表
测试
晶闸管
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分类号
TN340.407
[电子电信—物理电子学]
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