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砷化镓表面自旋极化光电子发射
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作者 周清 赵守珍 +2 位作者 李育民 方兰 张黎明 《电子科学学刊》 EI CSCD 1990年第2期219-224,共6页
本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8μA/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁... 本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8μA/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%—60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。 展开更多
关键词 砷化镓 自旋极化 光电反射 偏振光
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