新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术 被引量：25

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作者 杨大江 姚振华 +2 位作者 朱长纯 白继彬 张昌利 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1999年第5期55-57,共3页

阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍ ｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ） 的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ 技术的基础上，采用硬驱动技术，集成其... 阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍ ｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ） 的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ 技术的基础上，采用硬驱动技术，集成其门极驱动电路和反并联二极管，省去了吸收电路，兼具ＧＴＯ 导通损耗低和ＩＧＢＴ 关断均匀的特点。由于其开关频率高，易于串联，故适合在中电压大功率领域使用。 展开更多

关键词 功率器件 晶闸管 电力电子器件 设计

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晶闸管的关断过程及关断时间公式的修正 被引量：5

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作者 赵善麒 高鼎三 +1 位作者 潘福泉 韩杰 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期45-50,共6页

本文进一步闸明了晶闸管关断的物理过程,根据莫尔理论和电荷控制模型推导出一个包含晶闸管两个共基极直流电流放大系数的新的关断时间表达式。该公式充分体现了器件的导通过程与关断过程之间的联系,并用实验对公式进行了验证。

关键词 晶闸管 关断过程 关断时间

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负斜角晶闸管正向耐压体特性设计 被引量：8

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作者 王正鸣 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第1期62-66,共5页

通过对负斜角造型晶闸管结构特性及正向阻断状态的细致分析，提出了一维体内多结电流增益及雪崩倍增共同作用，终端区仅考虑单结雪崩倍增作用的不同击穿模式。经数值计算表明，在长基区宽度优化控制时，负角终端击穿模式所决定的击穿电... 通过对负斜角造型晶闸管结构特性及正向阻断状态的细致分析，提出了一维体内多结电流增益及雪崩倍增共同作用，终端区仅考虑单结雪崩倍增作用的不同击穿模式。经数值计算表明，在长基区宽度优化控制时，负角终端击穿模式所决定的击穿电压可高于体内击穿模式所决定的击穿电压，正反向击穿皆起始于体内，从而脱离了表面所强加的限制，取消了正反向耐压的不对称性，去掉了多余的长基区。在这样的理论设计下制造出性能参数可控且高度协调，并可与国际标准接轨的晶闸管． 展开更多

关键词 晶闸管 耐压体 设计

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贵州高校图书馆微信公众平台服务现状及建议 被引量：4

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作者 周杨 郑加佳 《贵图学苑》 2016年第1期30-32,共3页

本文从开通时间、推送情况、服务内容等方面对贵州省高校图书馆微信公众平台服务现状进行调查和分析,发现存在使用率低、推广差、服务方式及内容单一等问题,针对这些问题从转变观念、订立制度、强化推广、丰富服务内容、加强个性化服务... 本文从开通时间、推送情况、服务内容等方面对贵州省高校图书馆微信公众平台服务现状进行调查和分析,发现存在使用率低、推广差、服务方式及内容单一等问题,针对这些问题从转变观念、订立制度、强化推广、丰富服务内容、加强个性化服务等方面提出了改进建议。 展开更多

关键词 贵州省 高校图书馆 微信 服务

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单片机晶闸管触发电路及程序设计方法 被引量：2

5

作者 王旭光 《自动化与仪表》 1993年第2期41-44,共4页

阐述了用8031单片机构成晶闸管触发电路的结构及特点,提出了一种为六只晶闸管提供触发脉冲的方法及用8031单片机实现此方法的具体步骤。图3幅。

关键词 单片机 晶闸管 触发电路 程序设计

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确定晶闸管门极-阴极几何尺寸的一种新方法

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作者 徐静平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期32-35,共4页

本文主要讨论晶闸管设计中门极-阴极几何图形尺寸的确定。为此建立了椭圆、梯形及三角形等效电流模型,并对相应公式进行了推导。理论计算和实验结果表明,椭圆模型最为合理。它使门极导通阈值电流的计算值和实测值十分接近,并能获得高的d... 本文主要讨论晶闸管设计中门极-阴极几何图形尺寸的确定。为此建立了椭圆、梯形及三角形等效电流模型,并对相应公式进行了推导。理论计算和实验结果表明,椭圆模型最为合理。它使门极导通阈值电流的计算值和实测值十分接近,并能获得高的dV/dt容量。计算方法简单可行。 展开更多

关键词 晶闸管 门极-阴极 几何尺寸 设计

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发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造

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作者 何德湛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期33-37,共5页

介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计、制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信、引信（引爆）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。

关键词 激光脉冲 闸流管 高速pnpn闸流管 设计 制造工艺

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晶闸管交流RC定时相位控制的仿真设计方法

8

作者 孙汉忠 《现代电子技术》 2000年第12期70-72,共3页

晶闸管移相触发脉冲产生电路的RC定时元件直接接于线电压 ,电路结构简单应用广泛。讨论了设计原则 ,给出了用workbench的仿真设计方法 。

关键词 脉冲产生电路 交流RC定时相位控制

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电子辐照减小平板型晶闸管的关断时间

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作者 张国生 莫长涛 李钢 《黑龙江电子技术》 1996年第1期36-38,共3页

本文报告了用电子辐照方法在硅中引入缺陷,减小少子寿命,减小关断时间的实验结果。

关键词 电子辐照 晶闸管 关断时间

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GTO吸收电路参数的优化设计

10

作者 高琴妹 胡慎敏 《常熟高专学报》 1994年第1期79-86,共8页

关键词 GTO 吸收电路 优化设计 晶闸管 过电压

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KP型晶闸管的计算与选择

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作者 张万奎 《电工技术》 1991年第8期38-39,共2页

本文讨论了不同形式的整流电路,不同性质负载时,晶闸管额定电压和额定电流的计算方法。并据此正确选择晶闸管元件。

关键词 晶闸管 计算 选择

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微机控制多功能晶闸管逆变弧焊电源研究 被引量：2

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作者 陈士民 白志范 张义 《电焊机》 1991年第5期15-18,共4页

本文介绍了微机控制多功能晶闸管逆变弧焊电源的主要功能硬件及软件程序设计,微机主芯片采用了单片机 MCS—51,焊机能输出四种静特性,实现一机多用。

关键词 晶闸管 微机 逆变弧焊 电源 控制

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交流过零触发PWM调功器的算法设计 被引量：3

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作者 黄晓林 梁玉红 《汽车科技》 1998年第6期26-30,共5页

介绍采用过零触发光电耦合器MOC3061和双向晶闸管KS-200/800及单片机系统组成的调功温控闭环系统中的交流过零PWM调功触发信号的形成算法.

关键词 过零触发 PWM 调功器 算法 电阻炉 晶闸管

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100A/1200V静电感应晶闸管参数设计的探讨

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作者 薛传明 李思渊 +1 位作者 刘瑞喜 黄仕琴 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期51-53,共3页

讨论了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，以及电参数的工艺调节。设计了１００Ａ／１２００Ｖ的器件并给出了研制结果。

关键词 晶闸管 静电感应晶闸管 电参数 参数设计

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脉冲激光沉积技术生长铜材碳基保护膜

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作者 陆益敏 马丽芳 +3 位作者 王海 奚琳 徐曼曼 杨春来 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期706-712,共7页

用脉冲激光沉积技术制备三种结构的金属铜材碳基保护膜,分析了失效样品剥离面的微结构。结果表明,在室温条件下生长的碳基复合膜,碳化硅层增强了界面间结合力、避免了类金刚石内应力积累导致的脱落。优化的碳基复合膜牢固地附着在金属... 用脉冲激光沉积技术制备三种结构的金属铜材碳基保护膜,分析了失效样品剥离面的微结构。结果表明,在室温条件下生长的碳基复合膜,碳化硅层增强了界面间结合力、避免了类金刚石内应力积累导致的脱落。优化的碳基复合膜牢固地附着在金属铜材上,通过了国军标《光学薄膜通用规范(GJB 2485-95)》中附着力和中度摩擦测试。碳基复合膜使金属铜基材样品表面的纳米硬度比铜基材提高了4倍,增强了铜基材的抗划伤能力。 展开更多

关键词 材料表面与界面 碳基复合膜 脉冲激光沉积 附着特性 失效面诊断

原文传递

砷化镓表面自旋极化光电子发射

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作者 周清 赵守珍 +2 位作者 李育民 方兰 张黎明 《电子科学学刊》 EI CSCD 1990年第2期219-224,共6页

本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8μA/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁... 本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8μA/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%—60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。 展开更多

关键词 砷化镓 自旋极化 光电反射 偏振光

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中俄跨国浮桥正式通车

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《中外公路》 北大核心 2008年第6期148-148,共1页

关键词 浮桥 黑龙江省 开通时间 执法人员 技术支持 海事局 俄罗斯 同江市

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辅助晶闸管对门极触发开通过程的影响及t_(gt)的计算

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作者 周立波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期39-41,共3页

本文对采用辅助晶闸管结构的晶闸管器件的门极触发开通过程进行了探讨,推论出了适用于此结构的t_(gt)计算公式。

关键词 辅助晶闸管 门极触发 开通时间

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实用的晶闸管CAD和CAM技术

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作者 王正鸣 赵旭东 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1990年第1期35-38,共4页

关键词 晶闸管 CAD CAM

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具有全相位数字移相功能的晶闸管触发脉冲源设计

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作者 宋允升 华洪兴 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1990年第1期32-34,共3页

关键词 晶闸管 数字移相 触发脉冲源

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