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基于晶闸管退化轨迹构建与残差补偿的寿命预测模型
1
作者 陈权 闻卓 +2 位作者 陈忠 郑常宝 黄宇 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期280-288,共9页
晶闸管式换流阀在长期运行后性能逐渐退化,为高压直流输电系统带来较大的安全隐患。为精准预测晶闸管剩余寿命,提出了一种多特征融合、全局优化映射和残差补偿的递进式策略。首先,根据热循环负载加速老化试验获取晶闸管多个退化特征数据... 晶闸管式换流阀在长期运行后性能逐渐退化,为高压直流输电系统带来较大的安全隐患。为精准预测晶闸管剩余寿命,提出了一种多特征融合、全局优化映射和残差补偿的递进式策略。首先,根据热循环负载加速老化试验获取晶闸管多个退化特征数据集,并使用双向长短期记忆(BiLSTM)网络嵌入自编码器(AE)的优化模型进行多退化特征数据融合,构建晶闸管综合健康指数(CHI);然后,输入融合数据,以反向传播(BP)神经网络为核心,利用粒子群优化(PSO)算法对BP神经网络的初始权重与阈值进行全局寻优;最后,再采用极限梯度提升(XGBoost)树残差补偿模块进一步减小晶闸管寿命预测模型的预测偏差。实验结果显示,本文模型相比于传统BP神经网络模型,决定系数(R^(2))提高了7.63%,均方根误差(RMSE)和平均绝对误差(MAE)分别降低了89.7%、90.3%,平均绝对百分比误差(MAPE)从161.07%降至13.83%。 展开更多
关键词 晶闸管 多特征融合 双向长短期记忆(BiLSTM)网络 综合健康指数(CHI) 寿命预测
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稳态温度加速应力下高压晶闸管特征参数退化规律及失效机理分析
2
作者 朱应峰 王安东 +5 位作者 吕学宾 陈飞 李晨昊 丁俊齐 曹志伟 李明 《高压电器》 北大核心 2026年第2期194-206,共13页
晶闸管是换流阀的核心元件,近年来因晶闸管老化导致的设备安全事故逐年上升,晶闸管的安全运行关系着换流阀乃至整个直流输电系统的安全运行。为研究高压晶闸管在稳态温度应力下的退化特性,文中首先设计了温度加速应力退化实验方案,基于... 晶闸管是换流阀的核心元件,近年来因晶闸管老化导致的设备安全事故逐年上升,晶闸管的安全运行关系着换流阀乃至整个直流输电系统的安全运行。为研究高压晶闸管在稳态温度应力下的退化特性,文中首先设计了温度加速应力退化实验方案,基于该平台分别在结温为T_(stg)和1.1T_(stg)条件下开展了1000 h的稳态温度加速应力退化实验,并以100 h为时间间隔周期测量了晶闸管试品的各项器件特征参数。特征参数测试数据表明:温度应力使得晶闸管的反向恢复电荷和触发电流发生不同程度的降低,通态电压有所增大,而漏电流的变化是较为突发性的,没有明显的先兆。通过对失效器件特性分析,获得温度应力下晶闸管的主要失效模式为耐压降低,并发现芯片存在表面铝膜的迁移现象。 展开更多
关键词 晶闸管 加速应力 特性退化 失效模式
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晶闸管模块温度分布研究
3
作者 周卫丰 刘博嘉 +2 位作者 徐海涛 刘德宇 施洋洋 《河南科技》 2026年第1期9-13,共5页
【目的】研究分布式调相机中晶闸管模块组成、工作机制、发热原理,挖掘大电流工况下晶闸管模块表面温度,为合理设计散热结构、散热风道提供有效的参照依据。【方法】基于某一仿真模块软件构建简化仿真模型,从晶闸管器件材料赋值、器件... 【目的】研究分布式调相机中晶闸管模块组成、工作机制、发热原理,挖掘大电流工况下晶闸管模块表面温度,为合理设计散热结构、散热风道提供有效的参照依据。【方法】基于某一仿真模块软件构建简化仿真模型,从晶闸管器件材料赋值、器件损耗计算等方面,得到晶闸管模块的热应力特性与温度分布;借助静止变频器试验平台开展大电流功率循环试验,通过布置测温光纤和测温试纸等方式,获取晶闸管模块运行时表面温度数据,采用可视化差值方法评估仿真及实测数据趋势的一致性。【结果】研究发现,晶闸管模块仿真与实测数据从下至上温度逐渐升高,仿真最大温升40 K,实测最大温升29.2 K,提升了产品运行可靠性,但是在散热器及散热风道方向仍有优化的空间。【结论】该研究为晶闸管模块散热及温度分布提供了验证思路,为后续散热器结构及风道优化提供了方向,以推动产品更加可靠运行。 展开更多
关键词 调相机 晶闸管 热仿真 大电流试验
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大功率IGCT 变流器阳极电抗器优化设计方法
4
作者 李洪涛 张瀚锐 +1 位作者 李子衿 李晓光 《电力电子技术》 2025年第3期116-120,共5页
集成门极换流晶闸管(IGCT)在实际使用场景中需要在电压直流母线与器件之间串联阳极电抗器以限制器件开关过程中的电流变化率。本文首先对IGCT开关暂态换流过程进行分析,研究阳极电抗器在此过程中的充放电机理。在此基础上,通过建立IGCT... 集成门极换流晶闸管(IGCT)在实际使用场景中需要在电压直流母线与器件之间串联阳极电抗器以限制器件开关过程中的电流变化率。本文首先对IGCT开关暂态换流过程进行分析,研究阳极电抗器在此过程中的充放电机理。在此基础上,通过建立IGCT开通和关断损耗、二极管关断损耗以及箝位电路损耗的数学模型,对阳极电抗器的参数与各部分损耗之间的关系进行分析,提出一种兼顾电流变化率抑制与电路损耗优化的阳极电抗器设计方法。实验验证了理论分析的正确性和所提方法的可行性。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管 阳极电抗器 损耗 设计
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三相晶闸管移相触发器IP核的开发 被引量：11
5
作者 杨媛 安涛 +1 位作者 高勇 余宁梅 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期70-72,共3页
利用EDA工具中的硬件描述语言 (HDL) ,遵照IP核的设计标准完成了数字化三相晶闸管触发电路IP(IntellectualProperty)核的设计。经CPLD仿真测试验证了设计正确 ,工作稳定。该移相触发器可用于三相可控整流、逆变系统的晶闸管触发 ;可精确... 利用EDA工具中的硬件描述语言 (HDL) ,遵照IP核的设计标准完成了数字化三相晶闸管触发电路IP(IntellectualProperty)核的设计。经CPLD仿真测试验证了设计正确 ,工作稳定。该移相触发器可用于三相可控整流、逆变系统的晶闸管触发 ;可精确到 0 .2 5°的移相精度 ;可分别实现 50Hz/ 展开更多
关键词 晶闸管 IP核 复杂可编程器件 移相触发器
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光控多门极晶闸管的多种工作模式
6
作者 王凌云 刘宏伟 +8 位作者 袁建强 谢卫平 栾崇彪 李洪涛 张建德 谌怡 何泱 刘小俐 高彬 《物理学报》 北大核心 2025年第5期255-266,共12页
为了提升半导体开关的峰值功率与导通速度,针对光控多门极晶闸管结构开展了系列实验研究,重点探讨了不同光注入参数对开关特性的影响.研究发现,在不同激光峰值功率条件下,开关芯片展现出不同的导通特性.通过建立开关模型,并对注入光参... 为了提升半导体开关的峰值功率与导通速度,针对光控多门极晶闸管结构开展了系列实验研究,重点探讨了不同光注入参数对开关特性的影响.研究发现,在不同激光峰值功率条件下,开关芯片展现出不同的导通特性.通过建立开关模型,并对注入光参数及电路参数进行对比分析,本工作提出了光控多门极晶闸管的3种工作模式设想:光致线性模式(A模式)、场致非线性模式(C模式)和混合放大模式(B模式).为验证这些工作模式,我们进行了针对性的验证测试,结果证实了该光控多门极晶闸管具有不同导通特性的工作模式.开关多工作模式的发现与验证,大幅度提升了功率半导体开关器件的导通速度(di/dt)水平和峰值功率.在23 mm直径芯片上,A模式获得了4 kV,8 kA,440 kA/μs的窄脉冲;C模式获得了8.5 kV,6.0 kA,55 kA/μs的宽脉冲;在38 mm直径芯片上,B模式获得了4.6 kV,8.5 kA,129 kA/μs的宽脉冲.这些成果为超高峰值功率半导体开关组件的研发奠定了坚实的理论与实验基础. 展开更多
关键词 脉冲功率 光控开关 多模式 导通速度
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硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展 被引量：3
7
作者 王彩琳 高勇 张新 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期945-948,957,共5页
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管... 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。 展开更多
关键词 硅直接键合 电力电子器件 集成门极换流晶闸管 集成门极双晶体管 MOS控制可关断晶闸管
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由锁相器提供时钟信号的晶闸管触发方案 被引量：3
8
作者 刘铮 赵言涛 彭永进 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第1期125-126,共2页
为了保持晶闸管的触发脉冲与主回路电源电压间严格的相位关系,提出了一种采用锁相环作为时钟信号源的基于可编程逻辑器(Complex Programmable Logic Device,简称CPLD)的晶闸管触发脉冲发生方案,可消除因量化引起的三相触发脉冲的不对称... 为了保持晶闸管的触发脉冲与主回路电源电压间严格的相位关系,提出了一种采用锁相环作为时钟信号源的基于可编程逻辑器(Complex Programmable Logic Device,简称CPLD)的晶闸管触发脉冲发生方案,可消除因量化引起的三相触发脉冲的不对称性并简化CPLD的编程。实验结果证明该触发方案可靠实用。 展开更多
关键词 晶闸管 触发 锁相环
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考虑关断过程载流子耗散特性的晶闸管数字建模方法
9
作者 李国庆 赫羽朋 +2 位作者 王拓 辛业春 江守其 《高电压技术》 北大核心 2025年第1期210-221,共12页
晶闸管动态关断过程复杂且受多因素主导,直接影响换相失败的准确评估,而电磁暂态仿真中定关断时间的晶闸管模型无法精确反映晶闸管动态关断过程。为实现对晶闸管关断过程的精确建模,分析关断过程载流子耗散特性,提取电流过零点变化率、... 晶闸管动态关断过程复杂且受多因素主导,直接影响换相失败的准确评估,而电磁暂态仿真中定关断时间的晶闸管模型无法精确反映晶闸管动态关断过程。为实现对晶闸管关断过程的精确建模,分析关断过程载流子耗散特性,提取电流过零点变化率、正向电流和结温等关键影响因素,研究各因素对晶闸管关断特性影响机理;计及关断过程不同阶段载流子耗散特性差异,建立晶闸管非线性分段数学模型;在PSACD/EMTDC中构建了晶闸管动态关断仿真模型,并基于此模型建立换流器仿真模型。通过与PLECS晶闸管模型及综合测试台关断实验对比,验证了建立的晶闸管模型的准确性;同LCC物理动模平台实验结果对比验证了换流器模型的准确性;与传统换流器模型相比,所建立的模型能更准确地反映换相动态过程及换相失败特性。 展开更多
关键词 晶闸管 载流子耗散特性 动态关断特性 换流器仿真模型 换相失败
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门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究 被引量：1
10
作者 王彩琳 高勇 +1 位作者 马丽 刘静 《电子器件》 CAS 2008年第2期449-452,共4页
简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿。从而指出以往... 简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿。从而指出以往对GCT击穿机理的认识存在局限性。 展开更多
关键词 电力半导体器件 门极换流晶闸管 场阻止层 透明阳极 击穿
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RC-GCT中集成二极管特性的设计与优化 被引量：1
11
作者 王彩琳 高勇 《电子器件》 EI CAS 2006年第4期1015-1018,共4页
首先简要地分析了各种少子寿命控制技术的特点,指出了逆导型门极换流晶闸管(RC-GCT)中集成二极管的设计要求和考虑。在此基础上,采用结构参数优化和少子寿命控制相结合的方法,利用MEDICI软件对集成二极管的各项特性进行了模拟。最后,通... 首先简要地分析了各种少子寿命控制技术的特点,指出了逆导型门极换流晶闸管(RC-GCT)中集成二极管的设计要求和考虑。在此基础上,采用结构参数优化和少子寿命控制相结合的方法,利用MEDICI软件对集成二极管的各项特性进行了模拟。最后,通过模拟结果分析,确定了RC-GCT中集成二极管的特性设计参数和工艺实现方法。 展开更多
关键词 电力电子器件 门极换流晶闸管 二极管 少子寿命控制 质子辅照 电子辅照
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高功率密度车用塑封碳化硅功率模块的研制
12
作者 刘俊杰 黄怀晶 +1 位作者 郝凤斌 柏松 《电力电子技术》 2025年第12期137-142,共6页
功率模块是电力电子技术领域的核心元器件,在电能变换和电力驱动领域发挥重要作用,在电网输送和新能源汽车电力驱动方面具有广阔应用前景。本文采用先进封装工艺研制了全国产塑封碳化硅(SiC)功率模块,常温下,在通流600 A下导通电阻为2.0... 功率模块是电力电子技术领域的核心元器件,在电能变换和电力驱动领域发挥重要作用,在电网输送和新能源汽车电力驱动方面具有广阔应用前景。本文采用先进封装工艺研制了全国产塑封碳化硅(SiC)功率模块,常温下,在通流600 A下导通电阻为2.03 mΩ,开通损耗为25.5 mJ,关断损耗为43.4 mJ;高温175℃,在通流600 A下导通电阻为3.52 mΩ,开通损耗为22.4 mJ,关断损耗为45.5 mJ,展现卓越的高温特性;模块的功率回路寄生电感仅16 nH,有效降低了关断过程的电压过冲。得益于优异的模块参数,800 V母线电压下,模块轻松实现550 A出流能力,具有高功率密度、低导通电阻和低寄生电感的特点。 展开更多
关键词 功率模块 导通电阻 开通损耗 关断损耗 寄生电感
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一种改进的晶闸管触发电路 被引量：7
13
作者 曲继圣 《山东交通学院学报》 CAS 2005年第1期17-20,共4页
介绍了一种用单结管触发大功率晶闸管的三相桥式半控整流电路。该电路可用于大功率直流电机拖动系统中,具有同步简单、三相触发脉冲可集中调节、调压范围宽、运行稳定等优点,具有较高的实用价值。
关键词 晶闸管触发电路 大功率晶闸管 电机拖动系统 整流电路 三相桥式 集中调节 触发脉冲 调压范围 实用价值 单结管
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柔性聚合物基IGBT模块在低压调压电路中的界面特性研究
14
作者 杨博 巩帅奇 +2 位作者 谭磊 吴宇桐 王辰 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第12期1474-1480,共7页
为解决柔性聚合物基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在低压调压电路应用中的界面性能瓶颈,明确其界面电学、热学及粘接性能的关键影响机制,本研究系统探究了衬底厚度与电阻率、焊片成分及回流温度对模块界面特性的作用规律。结果表明:选... 为解决柔性聚合物基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在低压调压电路应用中的界面性能瓶颈,明确其界面电学、热学及粘接性能的关键影响机制,本研究系统探究了衬底厚度与电阻率、焊片成分及回流温度对模块界面特性的作用规律。结果表明:选用厚度300~350μm、电阻率1.2~1.6Ω·m的柔性聚合物衬底,可在优化界面电场分布、提升击穿电压的同时,避免导通压降过度升高;锡铅合金焊片的散热系数与界面粘接强度优于锡银合金,且可在200~220℃回流温度下实现高强度粘接,有效保护柔性衬底。本研究对提升低压调压电路的长期可靠性与运行效率具有工程指导价值。 展开更多
关键词 柔性聚合物 IGBT模块 低压调压电路 界面特性
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中频感应加热电源用大功率快速软恢复二极管的研制
15
作者 赖桂森 谢桂泉 +4 位作者 邵珠柯 刘亿铭 胡茜 梁旭辉 张磊 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期75-80,共6页
在大功率中频感应加热电源的逆变电路中,快速晶闸管需要反并联二极管,以释放负载中的无功电流,这要求该二极管具备快速且软的反向恢复能力。本文通过TCAD仿真优化设计了一种超低阳极注入效率的P型发射极效率自调整-场电荷抽取二极管(Sel... 在大功率中频感应加热电源的逆变电路中,快速晶闸管需要反并联二极管,以释放负载中的无功电流,这要求该二极管具备快速且软的反向恢复能力。本文通过TCAD仿真优化设计了一种超低阳极注入效率的P型发射极效率自调整-场电荷抽取二极管(Self-adjusting P emitter efficiency diode-field charge extraction, SPEEDFCE)器件结构,研制了4.5 kV/2.0 kA的快速软恢复二极管。结果表明,新型二极管具有良好的快速软恢复特性,尤其在25℃小电流反向恢复测试条件下,新结构的阴极P+区注入空穴,维持了拖尾电流,避免了电压震荡。 展开更多
关键词 快速软恢复二极管 动态雪崩 反向恢复
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电网用5500A/8000V逆阻型IGCT研制
16
作者 陈芳林 方佳仪 +4 位作者 陈勇民 曹强 邹平 孙永伟 操国宏 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期127-133,共7页
针对现有电网换相换流阀(LCC)技术中的换相失败问题,提出了基于逆阻型集成门极换流晶闸管(IGCT)主动关断能力的混合换相换流阀(HCC)技术,其中高容量的逆阻型IGCT至关重要。为提升器件的耐压、关断和通流能力,采用独立终端结构和有源区p... 针对现有电网换相换流阀(LCC)技术中的换相失败问题,提出了基于逆阻型集成门极换流晶闸管(IGCT)主动关断能力的混合换相换流阀(HCC)技术,其中高容量的逆阻型IGCT至关重要。为提升器件的耐压、关断和通流能力,采用独立终端结构和有源区p+基区掺杂,创新边缘门极结构,研制出了5500 A/8000 V逆阻型IGCT。该器件具备8000 V的额定电压和5500 A的额定电流关断能力,通态平均电流最高可达3290 A,已通过型式试验和混合换相换流阀运行验证。该器件将应用于高压直流(HVDC)输电换流阀,致力于解决换相失败问题,提升智能电网的稳定性和可靠性。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管(IGCT) 逆阻型 终端 结构设计 混合换相换流阀(HCC)
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一种新型的通用晶闸管触发装置的原理与应用
17
作者 黄辉 姜学东 邱瑞昌 《电子产品世界》 2006年第03X期75-77,共3页
本文介绍了一种自行研制的具有高可靠性、高精度、强触发等特点的通用晶闸管触发装置。该装置利用锁相环路闭环控制的原理,克服了传统KC、KJ及其延伸的TC78系列的诸多缺陷,开发了40P专用ASIC全硬件电路,解决了单片机触发器易受干扰的弊... 本文介绍了一种自行研制的具有高可靠性、高精度、强触发等特点的通用晶闸管触发装置。该装置利用锁相环路闭环控制的原理,克服了传统KC、KJ及其延伸的TC78系列的诸多缺陷,开发了40P专用ASIC全硬件电路,解决了单片机触发器易受干扰的弊端。实践证明可广泛应用于各种大功率相控直流电源、交流调压器、调温控制器、有源逆变器等工业自动化设备。 展开更多
关键词 锁相环晶闸管 触发系统 专用集成电路
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串联晶闸管反向恢复暂态过程的研究 被引量：49
18
作者 蓝元良 汤广福 +1 位作者 印永华 周孝信 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2006年第16期15-19,共5页
随着柔性交流输电和高压直流输电设备在电力系统中的应用越来越广泛,由晶闸管主要组成的高电压大电流电子开关越来越成为人们关注的对象。虽然有不少文献对晶闸管模型研究及其外围电路设计进行了介绍,但有关串联晶闸管反向恢复暂态过程... 随着柔性交流输电和高压直流输电设备在电力系统中的应用越来越广泛,由晶闸管主要组成的高电压大电流电子开关越来越成为人们关注的对象。虽然有不少文献对晶闸管模型研究及其外围电路设计进行了介绍,但有关串联晶闸管反向恢复暂态过程的研究还未见报道。文章在晶闸管反向恢复电流指数函数数学模型的基础之上,对串联的2个晶闸管的反向恢复暂态过程进行了暂态分析、数学推导以及仿真等研究。计算和仿真结果表明,暂态分析是正确的,在一定的精度范围内数学计算公式的假设也是合理的。 展开更多
关键词 晶闸管 晶闸管阀 反向恢复暂态过程 电力电子技术
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串联晶闸管的同步触发技术研究 被引量：15
19
作者 杨兰均 李晨辉 +3 位作者 黄东 安珊 马江波 王维 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期3274-3279,共6页
晶闸管虽然通流能力强,但是耐压普遍不高,为了实现晶闸管的串联使用,利用MOSFET的快导通和通流能力强的特性,搭建了一套能够实现光纤控制多只晶闸管同步导通的强触发平台。以4只2.5 kV耐压晶闸管串联为例,在实验平台上研究了触发电流峰... 晶闸管虽然通流能力强,但是耐压普遍不高,为了实现晶闸管的串联使用,利用MOSFET的快导通和通流能力强的特性,搭建了一套能够实现光纤控制多只晶闸管同步导通的强触发平台。以4只2.5 kV耐压晶闸管串联为例,在实验平台上研究了触发电流峰值和前沿对晶闸管导通特性的影响,提出了间接光触发系统的设计结构和晶闸管同步性实验的一般性方案。实验结果表明:在工作电压确定的情况下,晶闸管的触发时延与门极触发电流有关,触发电流的峰值越大,前沿越陡,导通越快,触发时延越小;触发时延是可控的,可以通过调整触发电流对串联的各晶闸管进行阶梯型串联实验,逐步调整时延参数并实现4只晶闸管串联的同步强触发导通(对于微秒级导通过程,触发的同步性控制在30 ns以内)。改进后的间接光触发系统和强触发技术,能有效地改善晶闸管的导通特性和同步性,对扩大晶闸管在脉冲功率中的应用具有重要意义。 展开更多
关键词 晶闸管 串联 强触发 同步导通 延时 光纤
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晶闸管集成触发电路实验装置
20
作者 李志平 《昆明冶金高等专科学校学报》 CAS 1996年第1期59-63,共5页
本文介绍了近年来广泛使用的K系列集成触发电路KJ009的工作原理,以及由KJ009组成的单相集成触发电路,三相集成触发电路.近年来,各类变流装置的晶闸管触发电路广泛采用集成触发电路来替代分立元件的触发电路.具有可靠性高,技术性能好,体... 本文介绍了近年来广泛使用的K系列集成触发电路KJ009的工作原理,以及由KJ009组成的单相集成触发电路,三相集成触发电路.近年来,各类变流装置的晶闸管触发电路广泛采用集成触发电路来替代分立元件的触发电路.具有可靠性高,技术性能好,体积小,功耗低等优点.本文中以目前使用最为广泛的KJ009及KJ0041为芯片组成的集成触发电路实验装置,将有助于学生学习和掌握这方面的知识. 展开更多
关键词 触发电路 晶闸管 变流装置 分立元件 体积小 功耗 可靠性 集成 列集 芯片组
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