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双极晶体管的低剂量率电离辐射效应 被引量：20
1
作者 张华林 陆妩 +5 位作者 任迪远 郭旗 余学锋 何承发 艾尔肯 崔帅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1675-1679,共5页
通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量... 通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量率下过量基极电流明显增大 .而辐照后 npn管比 pnp管具有更大的有效表面复合面积 ,致使前者比后者有更大的表面复合电流 ,从而导致了在各种剂量率辐照下 ,npn管比 pnp管对电离辐射都更为敏感 . 展开更多
关键词 低剂量率 电离辐射 双极晶体管 空间电荷
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不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响 被引量：8
2
作者 张华林 陆妩 +1 位作者 任迪远 崔帅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期606-608,共3页
　对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关... 　对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关机理进行了探讨。 展开更多
关键词 双极晶体管 偏置 剂量率 电离辐照
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不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应 被引量：3
3
作者 张华林 任迪远 +1 位作者 陆妩 崔帅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期29-34,共6页
研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效... 研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。 展开更多
关键词 剂量率效应 NPN管 NMOS管 增益 阈电压
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双极晶体管的高温变剂量率辐照效应 被引量：4
4
作者 王先明 刘楚湘 艾尔肯.斯迪克 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1139-1141,1145,共4页
研究了双极晶体管的变剂量率电离辐射损伤,发现从高到低的变剂量率辐照更有利于低剂量率辐射损伤增强效应的加速评估。
关键词 双极晶体管 高温变剂量率辐照 剂量率效应 ELDRS
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基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
5
作者 周骏 成建兵 +3 位作者 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第5期714-717,共4页
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT... 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。 展开更多
关键词 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 负微分电阻效应
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分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究 被引量：1
6
作者 卢励吾 周洁 +1 位作者 梁基本 孔梅影 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期817-823,共7页
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high elec-tron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10^(15)-10^(17)cm^(-3)和俘获截面(10^... 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high elec-tron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10^(15)-10^(17)cm^(-3)和俘获截面(10^(-16)cm^2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧含量有关。实验结果还表明,DLTS技术有可能成为器件优化设计的一种工具。 展开更多
关键词 晶体管 能级 电子迁移率 外延生长
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新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究
7
作者 王占国 陈维德 《中国科学基金》 CSCD 1998年第4期261-264,共4页
随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:... 随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 展开更多
关键词 分子束外延 表面钝化 界面物理 外延材料 晶体管
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