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制造平面高压晶体管的新技术
1
作者
张佐兰
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990年第2期41-45,共5页
关键词
平面型
高压晶体管
制造
在线阅读
下载PDF
职称材料
对淀积SiO2层后hFE值增大现象的探讨
2
作者
雍成文
《上海半导体》
1989年第2期52-53,共2页
关键词
平面晶体管
淀积SiO2层
hFE值
全文增补中
题名
制造平面高压晶体管的新技术
1
作者
张佐兰
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990年第2期41-45,共5页
关键词
平面型
高压晶体管
制造
分类号
TN324.205 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
对淀积SiO2层后hFE值增大现象的探讨
2
作者
雍成文
出处
《上海半导体》
1989年第2期52-53,共2页
关键词
平面晶体管
淀积SiO2层
hFE值
分类号
TN324.205 [电子电信—物理电子学]
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1
制造平面高压晶体管的新技术
张佐兰
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990
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职称材料
2
对淀积SiO2层后hFE值增大现象的探讨
雍成文
《上海半导体》
1989
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