超快速高压雪崩三极管器件研制 被引量：9

1

作者 刘忠山 杨勇 +2 位作者 马红梅 刘英坤 崔占东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第6期379-382,共4页

采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压... 采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。 展开更多

关键词 雪崩三极管 二次击穿 负阻 MARX电路 超宽带

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按比例缩小SiGe HBT能量传输模型 被引量：2

2

作者 李垚 刘嵘侃 +1 位作者 傅湘宁 徐婉静 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期595-600,共6页

针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基... 针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基区很薄的情况下,电子从基区向集电区渡越时,其温度逐渐升高,且大大高于晶格温度,且不同基区宽度基区电子温度变化率不同. 展开更多

关键词 硅锗 异质结双极晶体管 能量传输模型 电子温度

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低能量Ar^+背面轰击对晶体管电流放大系数和特征频率的影响 被引量：1

3

作者 曾绍鸿 黄美浅 李观启 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第12期131-135,共5页

在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上述参数的改善，是轰击后界面态密度减小和基... 在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上述参数的改善，是轰击后界面态密度减小和基区少数载流子寿命增长的结果，而且与轰击时间及束流密度有关。 展开更多

关键词 氩离子 轰击 晶体管 电流放大系数 高频晶体管

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高性能纵向pnp晶体管的研制 被引量：2

4

作者 王界平 王清平 龙弟光 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第1期6-10,14,共6页

pnp晶体管中由于空穴的迁移率较电子的迁移率低得多,再加上纵向pnp管有比npn管严重得多的基区宽度调变效应,一般情况下,难以使纵向pnp管的性能与npn管的性能相媲美。我们从理论上分析了提高纵向pnp管性能的途径,并设计了一套新的工艺流... pnp晶体管中由于空穴的迁移率较电子的迁移率低得多,再加上纵向pnp管有比npn管严重得多的基区宽度调变效应,一般情况下,难以使纵向pnp管的性能与npn管的性能相媲美。我们从理论上分析了提高纵向pnp管性能的途径,并设计了一套新的工艺流程。在p型外延材料上研制出了BV_(ceo)≥90V、V_(be)≤0.8V、f_T=900MHz、V_(ces)=0.2V、β=60～150、厄利电压大于150V的纵向pnp晶体管。在P型单晶材料上研制出了BV_(ceo)≥65V、f_T≥560MHz、β=60～150的纵向pnp晶体管。具有这种性能的纵向pnp管目前在国内外还很少见。 展开更多

关键词 高频晶体管 高压晶体管 肖特基势垒

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GaN HEMT电力电子器件技术研究进展 被引量：9

5

作者 鲍婕 周德金 +3 位作者 陈珍海 宁仁霞 吴伟东 黄伟 《电子与封装》 2021年第2期13-22,共10页

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景。GaN HEMT器件的特性优势与其工艺结构、材料特性密切相关。介绍了耗尽型、增强型GaN HEM... GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景。GaN HEMT器件的特性优势与其工艺结构、材料特性密切相关。介绍了耗尽型、增强型GaN HEMT的典型器件结构,并将国内外对结构设计以及材料优化等关键技术问题的研究现状进行了综述,并概括总结了GaN HEMT的技术发展趋势和最新参数指标。 展开更多

关键词 GaN HEMT P-GAN 增强型 MIS-HEMT

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SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟

6

作者 史辰 杨维明 +1 位作者 刘素娟 陈建新 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期506-509,513,共5页

针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型．着重分析了Si／SiGe异质结和... 针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型．着重分析了Si／SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制．与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5％,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法． 展开更多

关键词 锗硅 异质结 双端口网络

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射频微波晶体管的发展现状及分析

7

作者 南敬昌 黎淑兰 +1 位作者 刘元安 唐碧华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期887-891,共5页

对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点、性能和应用情况进行了分析和综述。对晶体管的发展历史进行了全面而细致的回顾,指明了今后射频微波晶体管的发展特点和发展趋势,得出了射频微波晶体管的选型原则。

关键词 射频微波 晶体管 高电子迁移率晶体管

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基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容 被引量：1

8

作者 吕懿 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 胡辉勇 舒斌 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期837-840,共4页

当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立... 当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型. 展开更多

关键词 SIGE HBT 势垒电容 微分电容 可动电荷

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微电子器件方波EMP注入敏感端对的实验研究 被引量：3

9

作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 原青云 武占成 《军械工程学院学报》 2004年第6期1-3,共3页

采用方波注入法,对国外某知名公司生产的两个批次的晶体管进行了实验,比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP敏感端对与人们一般研究的结论有所不同.

关键词 微电子器件 方波注入 敏感端对

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具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管

10

作者 江丽红 杨扬 +2 位作者 霍帅 曹正义 孔月婵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期36-39,44,共5页

采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触... 采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。 展开更多

关键词 碳纳米管 射频晶体管 石墨烯辅助导电层 T型栅

原文传递

晶体管混合π型参数与Y参数的关系

11

作者 孟凡新 孙玉梅 《电子科技》 2012年第4期51-53,共3页

晶体管高频小信号等效电路模型可用两种方法得到:一是把晶体管视为一个二端口网络,列出电流、电压方程式,拟定满足方程的网络模型,常采用Y参数模型;二是根据晶体管内部发生的物理过程来拟定的模型,即π型参数模型;同一个晶体管应用在不... 晶体管高频小信号等效电路模型可用两种方法得到:一是把晶体管视为一个二端口网络,列出电流、电压方程式,拟定满足方程的网络模型,常采用Y参数模型;二是根据晶体管内部发生的物理过程来拟定的模型,即π型参数模型;同一个晶体管应用在不同场合可用不同的等效电路表示,同一晶体管的各种等效电路之间又应该是互相等效的,各等效电路中的参数可互相转换。 展开更多

关键词 晶体管 Y参数 π参数

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改善高频大功率晶体管二次击穿提高f_T的特殊设计方法 被引量：2

12

作者 白宏光 葛虹宇 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第1期61-65,共5页

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边... 本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ． 展开更多

关键词 大功率晶体管 二次击穿 特征频率 高频晶体管

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增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展 被引量：6

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作者 穆昌根 党睿 +1 位作者 袁鹏 陈大正 《电子与封装》 2022年第10期66-75,共10页

考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前有许多方法可以实现增强型GaN HEMT器件,如使用p型栅技术、凹栅结构、共源共栅(Cascode)结构、氟离子... 考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前有许多方法可以实现增强型GaN HEMT器件,如使用p型栅技术、凹栅结构、共源共栅(Cascode)结构、氟离子处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等。分别对使用以上方法制备的增强型GaN HEMT器件进行了综述,并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结,探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向。 展开更多

关键词 GaN HEMT器件 凹栅结构 P-GAN 薄势垒

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高频大功率晶体管的失效分析

14

作者 欧叶芳 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第3期24-26,共3页

介绍了对某型号高频大功率晶体管进行的失效分析。分析结果表明器件在寿命试验中发生击穿失效的主要原因是芯片的散热结构存在工艺和设计方面的问题,这也是影响高频大功率工作寿命的主要问题。

关键词 高频大功率晶体管 失效分析 芯片粘接 散热

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高频晶体管S参量图示仪研究

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作者 顾新民 《电子科技导报》 1997年第6期27-28,共2页

高频晶体管Ｓ参量图示仪研究顾新民（北京联大电子自动化工程学院）我们研制的高频晶体管Ｓ参量图示仪具备了晶体管特性图示仪（简称图示仪）和网络分析仪（简称分析仪）的优点，第一次清晰、稳定地获得了高频工作环境下晶体管特性曲线... 高频晶体管Ｓ参量图示仪研究顾新民（北京联大电子自动化工程学院）我们研制的高频晶体管Ｓ参量图示仪具备了晶体管特性图示仪（简称图示仪）和网络分析仪（简称分析仪）的优点，第一次清晰、稳定地获得了高频工作环境下晶体管特性曲线、Ｓ参量及反映晶体管个性的特征频率... 展开更多

关键词 高频晶体管 S参量 图示仪

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提高功率达林顿晶体管温度稳定性的措施

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作者 葛虹宇 白宏光 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第2期20-25,共6页

本文以ＦＨ３２３型高频大功率达林顿晶体管为例，讨论Ｒ１、Ｒ２的作用与选择，提出Ｒ１、Ｒ２的最佳设计方法，从而提高了单片式两级高频功率达林顿晶体管ｈＦＥ、ＩＣＥＯ的温度稳定性．

关键词 达林顿晶体管 温度 高频晶体管 稳定性

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恩智浦发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管

17

《电源技术应用》 2010年第11期77-77,共1页

恩智浦BLF888A晶体管打造强大、高效的数字广播发射机 恩智浦半导体NXP Semfconductors N．V．（Nasdaq：NXPI）日前宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的... 恩智浦BLF888A晶体管打造强大、高效的数字广播发射机 恩智浦半导体NXP Semfconductors N．V．（Nasdaq：NXPI）日前宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管， 展开更多

关键词 超高频晶体管 LDMOS 输出功率 数字广播发射机 DVB 功率晶体管 半导体 工业用

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关于3DA516仿俄大功率高频晶体管的研制

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作者 安海华 李飞 席崇选 《知识经济》 2011年第19期83-83,共1页

2设计与方案确定 仿俄大功率高频晶体管，从封装形式来看此产品是圆形金属封装外形，引线为三引线设计，引出端的的材料为铜材，引出端表面镀铅锡，可直接替换原俄罗斯产品，此外形符合实际需求，更继承了俄原有设计的优点。

关键词 晶体管 高频 功率 实际需求 设计 俄罗斯 封装 产品

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120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管

19

《今日电子》 2010年第11期67-67,共1页

600W LDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A是目前功能极强的LDMOS广播发射机晶体管，支持470～860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效率可达31％以上。

关键词 超高频晶体管 LDMOS DVB-T 输出功率 广播发射机 功率晶体管 射频 信号

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放大器的CMOS逻辑高压晶体管

20

《中国集成电路》 2009年第2期2-3,共2页

富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45... 富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45纳米工艺的CMOS晶体管，能够处理10V功率输出，这使得晶体管能够处理用于WiMAX和其它高频应用的功率放大器的高输出要求。 展开更多

关键词 CMOS晶体管 高压晶体管 功率放大器 逻辑 WIMAX 富士通 击穿电压 株式会社

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