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基于氮化镓0.1µm工艺的W波段宽带低噪声放大器芯片
1
作者 陈岩 王维波 +5 位作者 王光年 陈忠飞 祁路伟 杨帆 张亦斌 吴少兵 《空间电子技术》 2025年第1期103-108,共6页
文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内... 文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内工作。通过链路分析结合管芯线性模型、非线性模型和噪声模型设计的低噪声放大器采用1∶1∶1∶2的级联推动比。通过电磁软件仿真,在确保较低功耗的同时,提高线性增益,并实现噪声系数和1 dB压缩点输出功率的良好匹配。对所设计的W波段低噪声放大器芯片进行在片测试和装盒测试,在漏极电压+5 V,栅极电压-0.7 V的测试条件下,静态工作电流为50 mA。实测结果表明,在75 GHz~110 GHz,小信号增益为21dB,噪声系数3.5dB。芯片的尺寸为2.3mm×1.5mm×0.05mm。所研制的W波段低噪声放大器芯片在保持优异噪声性能的同时实现了宽带高增益,为新一代毫米波通信系统及高端仪器仪表提供了关键器件支撑。 展开更多
关键词 W波段 宽带 0.1μm氮化镓 低噪声放大器
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功率晶体管从硅基到宽禁带半导体技术研究进展
2
作者 裴志军 《天津职业技术师范大学学报》 2025年第2期21-27,共7页
为实现高效电力电子系统,功率晶体管作为功率开关至关重要。理想开关特性功率晶体管的获取需要驱动功率器件在结构、物理、材料等方面的创新突破。文章在分析功率晶体管基本特性基础上,探讨了功率晶体管的技术进展,包括:功率双极晶体管(... 为实现高效电力电子系统,功率晶体管作为功率开关至关重要。理想开关特性功率晶体管的获取需要驱动功率器件在结构、物理、材料等方面的创新突破。文章在分析功率晶体管基本特性基础上,探讨了功率晶体管的技术进展,包括:功率双极晶体管(GTR)、功率MOS场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管(IGBT),到宽禁带(WBG)功率器件,如碳化硅SiC器件、氮化镓GaN器件,以及超宽禁带(UWBG)氧化镓Ga_(2)O_(3)器件。研究表明:在功率开关应用中,宽禁带WBG器件比硅器件具有更高的效率及更卓越的功率密度优势,应用前景良好。 展开更多
关键词 功率晶体管 绝缘栅双极晶体管 宽禁带 碳化硅 氮化镓 氧化镓
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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能 被引量：1
3
作者 张栋曜 周幸叶 +3 位作者 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期468-472,共5页
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导... GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导率(2000 W·m^(-1)·K^(-1))金刚石是一种极具竞争力的新型散热材料,在解决大功率器件的散热问题方面极具潜力。针对散热问题,采用室温晶圆键合工艺制备了金刚石基GaN HEMT,并对其进行了直流特性、微波功率特性和结温测试。与传统SiC基GaN HEMT相比,金刚石基GaN HEMT的漏源饱和输出电流增大了约5%,热阻从5.04 K·mm/W降低至3.78 K·mm/W,有利于提升器件性能、延长器件寿命。本文研究结果为突破GaN功率器件性能的发展瓶颈提供了实验基础。 展开更多
关键词 GAN 金刚石 微波功率 结温 散热能力
原文传递
氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的原理、结构及应用场景研究
4
作者 余菲 曾启明 温泉 《深圳职业技术大学学报》 2025年第4期101-106,共6页
本文对氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的原理、结构及应用场景进行了研究。通过分析氮化镓材料的能带结构、电子迁移率及耐压特性,揭示了其在高功率、高速度及高电压应用场景下的优势。提出了氮化镓HEMT的结构改进思路,包括晶格匹配、... 本文对氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的原理、结构及应用场景进行了研究。通过分析氮化镓材料的能带结构、电子迁移率及耐压特性,揭示了其在高功率、高速度及高电压应用场景下的优势。提出了氮化镓HEMT的结构改进思路,包括晶格匹配、背部势垒等方法,以提高其载流子浓度及异质结寿命。同时,探讨了氮化镓HEMT在手机快速充电器、汽车充电器、飞机有源相控阵雷达等电子信息新技术领域的应用价值,指出了其在集成电路设计模型方面的不足,为未来研究提供了方向。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 集成电路 半导体器件
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氧化镓基功率晶体管的研究进展
5
作者 张徐扬 何云龙 +6 位作者 陈谷然 邵昱 王羲琛 陆小力 郑雪峰 马晓华 郝跃 《固体电子学研究与进展》 2025年第5期1-15,共15页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种极具发展潜力的超宽禁带半导体材料,近年来在高功率电子器件、射频功率开关及日盲紫外探测器等领域备受瞩目。其中,β相Ga_(2)O_(3)凭借其卓越的材料特性——高达8 MV·cm^(-1)的理论击穿电场强度、4.8... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种极具发展潜力的超宽禁带半导体材料,近年来在高功率电子器件、射频功率开关及日盲紫外探测器等领域备受瞩目。其中,β相Ga_(2)O_(3)凭借其卓越的材料特性——高达8 MV·cm^(-1)的理论击穿电场强度、4.8 eV的超宽禁带宽度以及优异的巴利加优值,成为下一代功率器件的理想候选材料。聚焦当前的研究热点,重点关注了横向耗尽型晶体管、横向增强型晶体管及垂直型晶体管这三种类型。总结了三种类型器件的优缺点,并对未来的研究进行了展望,希望可以为未来Ga_(2)O_(3)基功率晶体管的设计与性能提升提供重要的参考。 展开更多
关键词 氧化镓 功率晶体管 耗尽型 增强型
原文传递
一种集成栅电阻的高可靠性SiC功率器件研究
6
作者 臧雪 徐思晗 +2 位作者 孙相超 刘志强 邓小川 《电子与封装》 2025年第11期82-87,共6页
针对汽车主驱牵引逆变器的高功率密度应用需求,设计并制造了一种集成栅电阻的平面型1200 V SiC MOSFET。该器件导通电阻为14 mΩ,击穿电压达到1750 V,通过优化多晶硅电阻结构,实现芯片上集成5Ω栅电阻;在母线电压为800 V时,SiC MOSFET... 针对汽车主驱牵引逆变器的高功率密度应用需求,设计并制造了一种集成栅电阻的平面型1200 V SiC MOSFET。该器件导通电阻为14 mΩ,击穿电压达到1750 V,通过优化多晶硅电阻结构,实现芯片上集成5Ω栅电阻;在母线电压为800 V时,SiC MOSFET短路时间为2.7μs,短路耐量达到1.8 J。此外,器件通过了168 h高温栅偏、高温反偏等可靠性评估测试,表明该集成栅电阻的SiC MOSFET具备在极端环境下的工作能力。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 集成栅电阻 牵引逆变器
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栅极几何结构对MIS栅结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
7
作者 都继瑶 《沈阳理工大学学报》 CAS 2025年第1期72-77,共6页
高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGa... 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响。栅极介质层采用5 nm厚的原位生长AlN,AlN/p-GaN界面呈现出更明显的能带弯曲和更宽的耗尽区,有利于阈值电压向正向偏移,且其相对较宽的能带错位有助于抑制栅极电流。实验结果表明:与栅极非覆盖区长度为0μm和6μm的MIS栅极相比,非覆盖区长度为3μm的MIS栅极可提高器件综合性能,有效抑制正向栅极电流,将阈值电压提高至3 V,并较好地保持电流密度为46 mA/mm;栅极结构中两侧没有栅极覆盖的区域在导通过程和导通状态下均可引起较大的沟道电阻,且沟道电阻随着非覆盖区长度增加而上升。 展开更多
关键词 p-GaN/AlGaN/GaN异质结 AlN介质层 常关型器件 金属/绝缘体/半导体 栅极非覆盖区
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雪崩晶体管电压斜坡触发模式下终端失效机理研究 被引量：1
8
作者 温凯俊 梁琳 陈晗 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期220-226,共7页
随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究。针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究。利用... 随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究。针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究。利用仿真模型的静态特性与器件样品进行对比分析,测试了器件样品的动态开通特性。在成功得到纳秒级开通速度器件的基础上,对器件在电压斜坡触发模式下出现的失效现象进行了分析。 展开更多
关键词 雪崩晶体管 二次击穿 半导体器件建模 MARX电路 失效分析
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纤维晶体管器件研究进展
9
作者 卿星 肖晴 +2 位作者 陈斌 李沐芳 王栋 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期33-40,共8页
在学科高度交叉、技术深度融合、物联网、人工智能、类脑计算等新兴产业迅猛发展的时代背景下,传统携带式可穿戴电子设备已难以满足人们对高性能电子纺织品的需求。为全面探究纤维晶体管在电子织物领域的应用前景,首先简述了纤维晶体管... 在学科高度交叉、技术深度融合、物联网、人工智能、类脑计算等新兴产业迅猛发展的时代背景下,传统携带式可穿戴电子设备已难以满足人们对高性能电子纺织品的需求。为全面探究纤维晶体管在电子织物领域的应用前景,首先简述了纤维晶体管的组成、分类与工作原理,重点介绍了纤维基有机场效应晶体管和纤维基有机电化学晶体管;其次,介绍了纤维晶体管器件在智能可穿戴和植入式生化传感器、忆阻器和人工突触类脑计算神经形态器件、逻辑电路等前言领域的研究进展;分析了纤维晶体管在器件集成、性能优化和实际应用等方面所面临的问题与挑战。研究指出纤维晶体管在推动电子织物、人机交互、智慧医疗等国家战略产业发展和驱动人类社会迈向泛智能时代中的应用前景,期望为下一代高性能纤维晶体管的发展提供借鉴与启发。 展开更多
关键词 电子织物 纤维晶体管 生化传感器 类脑计算 逻辑电路
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基于平面肖特基二极管的220GHz~330GHz分谐波混频器 被引量：1
10
作者 纪东峰 代鲲鹏 +2 位作者 王维波 李俊锋 余旭明 《空间电子技术》 2024年第4期71-76,共6页
为了满足太赫兹仪器仪表、被动成像、高速通信等系统对宽带谐波混频器的需求,基于平面肖特基二极管在25um厚的GaAs基片上研制了工作频率可覆盖标准矩形波导WR-3.4主模工作频段(220GHz~330GHz)的太赫兹宽带分谐波混频器。文章对二极管结... 为了满足太赫兹仪器仪表、被动成像、高速通信等系统对宽带谐波混频器的需求,基于平面肖特基二极管在25um厚的GaAs基片上研制了工作频率可覆盖标准矩形波导WR-3.4主模工作频段(220GHz~330GHz)的太赫兹宽带分谐波混频器。文章对二极管结构进行了改进,采用“T栅”结构实现了低寄生阳极结,改善了肖特基二极管寄生特性,提升了二极管性能。利用单片集成技术实现了二极管与无源电路的微米级对准,保证了宽带分谐波混频器的实现精度。实测结果显示,分谐波混频器在220GHz~330GHz范围内单边带变频损耗小于12dB,中频工作带宽可达35GHz(变频损耗小于12dB),1dB压缩点在-4dBm附近。文章同时进行了多个分谐波混频器样品测试,测试结果的一致性验证了该技术方案工程化应用的潜力。 展开更多
关键词 太赫兹 分谐波混频器 宽带 单片集成技术 肖特基二极管
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功率MOSFET抗单粒子加固技术研究 被引量：1
11
作者 陈宝忠 宋坤 +7 位作者 王英民 刘存生 王小荷 赵辉 辛维平 杨丽侠 邢鸿雁 王晨杰 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第3期19-22,共4页
针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂... 针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm^(2)/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15~17 V,较加固前的7~10 V有显著提升。 展开更多
关键词 功率MOSFET 单粒子效应 抗辐射加固 单粒子烧毁 单粒子栅穿
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基于人类视觉特性(HVS)的离散小波变换(DWT)数字水印算法 被引量：32
12
作者 叶闯 沈益青 +2 位作者 李豪 曹思汗 王柏祥 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 2013年第2期152-155,165,共5页
伴随着计算机网络通信技术的蓬勃发展,数字媒体数据的交换和传输变得日益简单且快捷.数字水印技术是一项将数字、序列号、图像标志等版权信息嵌入到数字产品信息中,用来保护数字产品版权和认证来源及完整性的新型技术.提出了一种基于人... 伴随着计算机网络通信技术的蓬勃发展,数字媒体数据的交换和传输变得日益简单且快捷.数字水印技术是一项将数字、序列号、图像标志等版权信息嵌入到数字产品信息中,用来保护数字产品版权和认证来源及完整性的新型技术.提出了一种基于人类视觉特性HVS的小波域盲数字水印算法,通过借鉴人类视觉特性HVS算法思想自适应的嵌入水印信息,能够很好地达到水印嵌入透明性和鲁棒性的平衡.通过Matlab软件实验仿真,表明该算法具有较好的透明性和鲁棒性. 展开更多
关键词 数字水印 人类视觉系统 离散小波变换 可见图阈值(JND)
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超快速高压雪崩三极管器件研制 被引量：9
13
作者 刘忠山 杨勇 +2 位作者 马红梅 刘英坤 崔占东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第6期379-382,共4页
采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压... 采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。 展开更多
关键词 雪崩三极管 二次击穿 负阻 MARX电路 超宽带
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1200V大容量SiC MOSFET器件研制 被引量：6
14
作者 刘新宇 李诚瞻 +3 位作者 罗烨辉 陈宏 高秀秀 白云 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期2313-2318,共6页
采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面... 采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力. 展开更多
关键词 碳化硅 MOSFET 栅极bus-bar JFET注入 大容量器件 低漏电 高温半导体
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基于全碳化硅功率组件的叠层母排优化设计研究 被引量：19
15
作者 朱俊杰 原景鑫 +2 位作者 聂子玲 徐文凯 韩一 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第21期6383-6393,共11页
为减小全Si C功率组件开关振荡,满足高功率密度对功率器件的应用要求。定量分析三相两电平拓扑叠层母排元器件布局关系,建立考虑自感和互感的叠层母排数学模型,基于数学模型计算单个电容和2个电容对应的母排回路杂散电感等效值,仿真分析... 为减小全Si C功率组件开关振荡,满足高功率密度对功率器件的应用要求。定量分析三相两电平拓扑叠层母排元器件布局关系,建立考虑自感和互感的叠层母排数学模型,基于数学模型计算单个电容和2个电容对应的母排回路杂散电感等效值,仿真分析3个电容以上对应的叠层母排回路杂散电感等效值。计算与仿真结果均表明,随着支撑电容数量的增加,回路杂散电感逐渐减小,并且一致性更好。通过分析各支路杂散电感,优化了直流母线端口布局;通过双脉冲实验验证了叠层母排优化后抑制开关振荡的效果。实验结果表明,虽然优化后的功率组件开关时间及开关损耗有所增加,但开关振荡得到有效抑制,能更好地满足高功率密度应用场合对安全性能的需求。 展开更多
关键词 叠层母排数学模型 全SiC功率组件 杂散电感 开关振荡
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基于R-SET结构的逻辑门电路和触发器设计 被引量：3
16
作者 章专 魏齐良 申屠粟民 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 2013年第3期272-275,284,共5页
提出一种基于单电子晶体管的新型电路结构——R-SET结构,并从R-SET结构的反相器着手对该结构电路的工作原理和性能进行了分析.构造出基于R-SET结构的或非门、一位数值比较器、SR锁存器和D触发器.通过对各电路进行SPICE仿真,验证了各电... 提出一种基于单电子晶体管的新型电路结构——R-SET结构,并从R-SET结构的反相器着手对该结构电路的工作原理和性能进行了分析.构造出基于R-SET结构的或非门、一位数值比较器、SR锁存器和D触发器.通过对各电路进行SPICE仿真,验证了各电路的正确性.最后对R-SET和互补型SET 2种结构的D触发器进行性能比较,得出R-SET结构的D触发器具有结构简单,功耗低,延时小的特点. 展开更多
关键词 单电子晶体管 R-SET 反相器 或非门 触发器
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射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法 被引量：4
17
作者 金冬月 张万荣 +2 位作者 谢红云 邱建军 王扬 《电子器件》 EI CAS 2006年第4期1168-1171,共4页
从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(ΔEV)、重掺杂禁带变窄(ΔEg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式。用该表达式可以很方... 从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(ΔEV)、重掺杂禁带变窄(ΔEg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式。用该表达式可以很方便、明了地对功率双极晶体管进行热稳定性分析。分析了镇流电阻对射频功率晶体管安全工作区以及S的影响。结果表明,功率异质结双极晶体管(HBT)热稳定性优于同质结双极晶体管(BJT),适当选取RB和RE可使S=0,使由器件本身产生的耗散功率而引起的自加热效应被完全补偿,器件特性得以保持,不因自热而产生漂移,这是同质结器件所无法实现的。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 热稳定因子 镇流电阻
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基于传输电压开关理论的单栅极SET电路设计 被引量：3
18
作者 章专 申屠粟民 魏齐良 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 2012年第3期293-296,共4页
在分析了单电子晶体管(SET)的I-V特性后,通过对SET背景电荷的设置,使之具有类似PMOS或NMOS的电学特性;同时将传输电压开关理论引入到SET的电路设计中,并用单栅极SET实现了该理论的基本运算电路.随后以异或门和一位比较器为例,利用这些... 在分析了单电子晶体管(SET)的I-V特性后,通过对SET背景电荷的设置,使之具有类似PMOS或NMOS的电学特性;同时将传输电压开关理论引入到SET的电路设计中,并用单栅极SET实现了该理论的基本运算电路.随后以异或门和一位比较器为例,利用这些基本运算电路,进行了基于SET的开关级电路设计.最后,利用Pspice软件验证了所设计的电路逻辑功能正确,设计方法可行;电路的输入输出高低电平一致,具有良好的电压兼容性,易于级联.仿真结果表明,与基于互补结构设计的SET电路相比,基于开关级设计的SET电路具有结构简单、功耗低、延迟小的特点. 展开更多
关键词 单电子晶体管 传输电压开关理论 异或门 比较器
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基于热分析的电子元器件可靠性探讨 被引量：12
19
作者 钱俊锋 章云峰 +1 位作者 郑荣良 张荣标 《微计算机信息》 北大核心 2005年第11Z期161-163,共3页
介绍了温度对电子设备中一些常见元器件的性能影响。在一种车载电子设备的热设计过程中,根据实测结果分析了CPU、电源模块和外围电路元器件的温度特性,并结合热分析软件进行热优化设计,提高了系统的可靠性。
关键词 可靠性 温度特性 热优化设计
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具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT 被引量：2
20
作者 沈珮 张万荣 +3 位作者 谢红云 金冬月 李佳 甘军宁 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-19,共5页
本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐... 本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐减少，分析认为这是由发射极条之间的热耦合引起有源区的温度非均匀分布而导致的。并且通过测试所得到的I0值，证明多指GeSiHBT可通过选择合适的发射极条数、条长和发射区面积获得更高的电流处理能力。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 热耦合效应 电流处理能力
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