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InGaAs/AlGaAs PM-HEMT的实验研制
1
作者 陈效建 刘军 +2 位作者 郑雪帆 王树珠 孙晓鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期78-78,共1页
高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度... 高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度)有关,因而随着对新的异质结构材料中2DEG特性研究的深入,采用新的材料研制HEMT,已成为器件发展中的一个最重要的方向. 展开更多
关键词 晶体管 PM-HEMT 半导体器件
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用FIB/EB混合光刻加工GaAs FET蘑菇栅
2
作者 K.Hosono 李晓明 《半导体情报》 1992年第5期49-53,共5页
我们用聚焦离子束(FIB)和变形电子束(EB)混合光刻工艺加工了高电子迁移率晶体管(HEMT)的蘑菇栅结构。在这项工艺中,先用FIB光刻将栅区域内的抗蚀剂减薄到大约0.2μm(“顶栅”的形成),然后用EB曝光顶栅的中心(“底栅”的形成)。用变形电... 我们用聚焦离子束(FIB)和变形电子束(EB)混合光刻工艺加工了高电子迁移率晶体管(HEMT)的蘑菇栅结构。在这项工艺中,先用FIB光刻将栅区域内的抗蚀剂减薄到大约0.2μm(“顶栅”的形成),然后用EB曝光顶栅的中心(“底栅”的形成)。用变形电子束在GaAs衬底上可重复地描绘出0.20～0.25μm的图形。经挖槽刻蚀和剥离工艺之后就得到了无衬底损伤的0.2μm蘑菇栅。FIB和EB曝光的套刻精度都优于0.2μm。 展开更多
关键词 迁移率晶体管 光刻 工艺 蘑菇
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