期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
有待开发的传感器-Z元件
1
作者 孙健 《电子器件》 CAS 1999年第2期110-116,共7页
Ｚ－元件发明于８０年代，而公开见报却在９０年代，专利费高达１０亿美元。Ｚ－元件与传统的传感器相比，无需前置放大器和Ａ／Ｄ转换器，便可直接输出大幅值数字信号，且是无接触式测量，具有体积小，功耗低，抗噪能力强等优点。目前... Ｚ－元件发明于８０年代，而公开见报却在９０年代，专利费高达１０亿美元。Ｚ－元件与传统的传感器相比，无需前置放大器和Ａ／Ｄ转换器，便可直接输出大幅值数字信号，且是无接触式测量，具有体积小，功耗低，抗噪能力强等优点。目前国内尚无厂家生产，但是，在中国与Ｚ－元件有很多共性的双向负阻晶体管ＢＮＲＴ（ＢｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌＮｅｇａｔｉｖｅＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），有可能成为类似于Ｚ－元件的传感器，也是有待研究与开发的半导体器件。 展开更多
关键词 Z-元件 双向负阻晶体管 传感器 负阻特性 开发
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部