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低空穴衬底电流的新型体硅横向绝缘栅双极晶体管
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作者 段宝兴 李玉滢 +2 位作者 唐春萍 任宇壕 杨银堂 《物理学报》 北大核心 2026年第5期331-339,共9页
本文提出一种新型延伸多晶硅栅体硅型横向绝缘栅双极晶体管(extended polysilicon gate bulk silicon LIGBT,EGBS-LIGBT),该器件结构为P型衬底上依次外延N型、P型硅作为N漂移区和P漂移区,相当于将常规SOI(silicon-on-insulator)-LIGBT... 本文提出一种新型延伸多晶硅栅体硅型横向绝缘栅双极晶体管(extended polysilicon gate bulk silicon LIGBT,EGBS-LIGBT),该器件结构为P型衬底上依次外延N型、P型硅作为N漂移区和P漂移区,相当于将常规SOI(silicon-on-insulator)-LIGBT的埋氧层替换成N型硅,其优势在于极大降低成本且能降低空穴衬底电流.在阳极正偏时,P漂移区上方的肖特基型延伸多晶硅栅(Schottky-extended polysilicon gate,S-EG)在P漂移区的内侧表面形成电子反型层,以获得低的正向导通压降(V_(on)).此外,阳极采用肖特基接触降低空穴注入效率,而P漂移区快速的动态电场调制能力还可迅速提取存储在漂移区中的过剩载流子,且其多子为空穴还能促进关断时过剩电子的快速复合,关断能量损耗(E_(off))得以降低.仿真结果表明:EGBS-LIGBT在显著降低空穴衬底电流的同时,改善了E_(off)与V_(on)间的折中关系.该器件的V_(on)为1.59 V、空穴衬底电流为1.9 mA/cm^(2)、E_(off)为0.51 mJ/cm^(2)、击穿电压(BV)达701 V.相较常规LIGBT,该结构在保持V_(on)基本不变的前提下,将空穴衬底电流降至1/105,E_(off)降低69.8%,BV提升19.6%. 展开更多
关键词 横向绝缘栅双极晶体管 空穴衬底电流 关断损耗 肖特基接触
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基于电荷俘获的可重构二维晶体管及逻辑电路应用
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作者 朱鹏飞 杨静泊 +1 位作者 刘梦洋 李梦姣 《科技导报》 北大核心 2026年第5期82-89,共8页
在后摩尔时代,二维材料凭借其原子级厚度和优异的电学特性,被视为克服硅材料物理限制的关键候选材料。此外,基于二维半导体的可重构晶体管能够在单一器件中实现P型/N型动态调控,进一步为优化电路设计提供创新思路。目前,基于静电调控的... 在后摩尔时代,二维材料凭借其原子级厚度和优异的电学特性,被视为克服硅材料物理限制的关键候选材料。此外,基于二维半导体的可重构晶体管能够在单一器件中实现P型/N型动态调控,进一步为优化电路设计提供创新思路。目前,基于静电调控的可重构二维晶体管在实现非易失调控方面仍面临挑战。为此,提出了一种基于可靠的电荷俘获机制的二维非易失性电荷俘获可重构场效应晶体管结构(CTRFET)。以WSe2作为二维沟道材料,引入Al2O3/HfO2/Al2O3(AHA)三明治结构作为电荷俘获层,成功实现了二维晶体管导电极性的非易失性调控,其中N型FET的开关比高达10~5,编程状态可保持超过10~4 s,且在10~4次循环后性能仍保持稳定。在此基础上,利用2个CTRFET构建可重构逻辑单元,该单元可通过栅压编程灵活配置为2种不同的工作模式。当配置为标准反相器时,电路具备全输出摆幅,电压增益可达19。器件所展现的动态可重构能力为高功能密度自适应器件电路的开发提供了新的设计思路,在可编程器件、自配置计算体系和智能感知芯片等领域展现出广阔的应用前景。 展开更多
关键词 二维材料 可重构晶体管 非易失性 可重构电路 电荷俘获
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一种10.7~12.8 GHz百瓦级功率放大器MMIC
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作者 李泽楷 吴洪江 +1 位作者 范悬悬 杨卅男 《微纳电子技术》 2026年第3期100-107,共8页
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了一款工作于10.7~12.8 GHz的紧凑型功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。引入双场板结构,显著提升器件的击穿电压,超过200 V;通过热电联合设计,针对栅极间距与末级布局进行了优化,使器... 基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了一款工作于10.7~12.8 GHz的紧凑型功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。引入双场板结构,显著提升器件的击穿电压,超过200 V;通过热电联合设计,针对栅极间距与末级布局进行了优化,使器件的热阻降低至约0.52℃/W;设计了融合功分/功合、阻抗变换与谐波调谐的匹配网络,采用多元件串联结构提升击穿电压,增强电路的鲁棒性。测试结果表明,在10.7~12.8 GHz内,芯片(面积4.1 mm×5.3 mm)的饱和输出功率典型值为100 W,全频段内均大于95 W;功率附加效率典型值为40%,全频段内均大于38%;功率增益高于22 dB。 展开更多
关键词 紧凑型 功率放大器 氮化镓 功率附加效率 单片微波集成电路(MMIC)
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外部参数对汽车点火IGBT自钳位感性开关能力的影响
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作者 柯俊吉 王浩 钟圣荣 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期22-29,共8页
研究了直流母线电压、栅极驱动电压、外部栅极驱动电阻、负载电感及初始结温对汽车点火IGBT自钳位感性开关(SCIS)极限能力的影响。通过分析点火IGBT的工作原理,结合工作波形分析和开关过程理论推导,建立了点火IGBT结温温升与外部参数的... 研究了直流母线电压、栅极驱动电压、外部栅极驱动电阻、负载电感及初始结温对汽车点火IGBT自钳位感性开关(SCIS)极限能力的影响。通过分析点火IGBT的工作原理,结合工作波形分析和开关过程理论推导,建立了点火IGBT结温温升与外部参数的数学关系。搭建了点火IGBT的SCIS测试平台。测试结果表明:直流母线电压越高、负载电感越小、器件初始结温越高,点火IGBT的SCIS极限能力越低;栅极驱动电压越高、外部栅极驱动电阻越大,点火IGBT的SCIS极限能力越高。该研究结果可为汽车点火IGBT的应用提供参考。 展开更多
关键词 汽车点火IGBT 自钳位感性开关(SCIS)极限能力 直流母线电压 栅极驱动参数 负载电感 初始结温
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Organic Phototransistor Photonic Synapses for Artificial Vision
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作者 Feng Ding Di Xue +1 位作者 Lifeng Chi Lizhen Huang 《Nano-Micro Letters》 2026年第6期656-701,共46页
The von Neumann architecture faces significant limitations,including low transmission efficiency and high energy consumption,whenhandling large-scale data and unstructured problems.Benefiting from theinherent merits o... The von Neumann architecture faces significant limitations,including low transmission efficiency and high energy consumption,whenhandling large-scale data and unstructured problems.Benefiting from theinherent merits of optical signals including high bandwidth,near-zeroJoule heating,fast transmission speed,and immunity to electromagneticinterference,photonics provides a powerful pathway for high-speed neuromorphiccomputing.Together with the mechanical flexibility and largeareamanufacturability of organic semiconductors,organic phototransistor(OPT)-based photonic synapses have therefore attracted extensive attentionin recent years.This review provides a comprehensive overview of recentadvances in OPT-based photonic synapses,covering operational principles,active materials,advances in bidirectional photoresponse process,as wellas cutting-edge applications.Finally,the current challenges and opportunitiesin this field are highlighted.Distinct from previous reviews,this review emphasizes an in-depth exploration of bidirectional photoresponsemechanisms,a systematic dissection of material-structure-function correlations enabling integrated sensing-memory technology,and emerging. 展开更多
关键词 TRANSISTOR Organic semiconductors Negative photoconductance Photonic synapse Neuromorphic computing
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Ultra-Stable Organic Electrochemical Transistors With Suppressed Swelling via Molecular Weight Modulation
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作者 Jinhao Zhou Zhu Chen +13 位作者 Jingliang Cheng Yumeng Zhao Liyang Yu Miao Xie Yueping Lai Ziyi Deng Yixin Zhou Donghao Li Chufeng Wu Guohong Hu Yimin Sun Jianhua Chen Liang-Wen Feng Wei Huang 《Aggregate》 2026年第2期314-326,共13页
Organic electrochemical transistors(OECTs)are promising for next-generation bioelectronics due to their high performance and biocompatibility.Nevertheless,they still face tremendous operational stability challenges du... Organic electrochemical transistors(OECTs)are promising for next-generation bioelectronics due to their high performance and biocompatibility.Nevertheless,they still face tremendous operational stability challenges due to the limited robustness of the organic mixed ionic-electronic conductor(OMIEC)channel.Here,by modulating the molecular weight(MW)of OMiEC,enhanced OECT and relevant circuit operation stabilities are demonstrated,showing more than 3,000,0o0 full cycles(~42 h)with less than 15%current variation in an OECT,and 150,000 cycles(~4 h)with less than 5%voltage variation in an OECT-based inverter,which are among the highest of reported OECT-based electronics.Specifically,p(g2T-T),a typical p-type OMIEC,with varying MW(7-43 kDa),is synthesized,where lower-MW p(g2T-T)(~9 kDa)exhibits superior device performance and cycling stability in OECTs,outperforming those in high-MW counterparts(>30 kDa).It is indicated that low-MW p(g2T-T)maintains higher volumetric capacitance,ordered orientation,and reduced swelling.Therefore,irreversible microstructural degradation is effectively avoided,along with better performance yield.Furthermore,MW regulation enables physiological signal sensing with high tolerance to body fluid environments for 7 days.These findings highlight MW modulation as a versatile approach to suppress excessive swelling,advancing the design of durable OECT-based electronics. 展开更多
关键词 cycling stability INVERTERS molecular weight organic electrochemical transistor organic mixed ionic-electronic conductor
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Neuromorphic devices for intelligent visual perception
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作者 Yixin Zhu Xiangjing Wang +4 位作者 Yuqing Hu Xinli Chen Xianhao Le Changjin Wan Qing Wan 《International Journal of Extreme Manufacturing》 2026年第1期186-219,共34页
Neuromorphic visual perception,by emulating the efficient information processing mechanisms of biological vision systems and integrating innovations in materials and device architectures,offers novel solutions for art... Neuromorphic visual perception,by emulating the efficient information processing mechanisms of biological vision systems and integrating innovations in materials and device architectures,offers novel solutions for artificial intelligence sensing.For instance,the incorporation of low-dimensional materials(e.g.,quantum dots,carbon nanotubes,and two-dimensional materials)optimizes device optoelectronic properties,while the synergistic design of organic semiconductors and oxide materials balances flexibility with complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)compatibility.Representative neuromorphic devices such as memristors and neuromorphic transistors address traditional vision system bottlenecks via near-sensor and in-sensor architectures in data transmission latency and energy consumption,offering a new paradigm for highly integrated,energy-efficient real-time perception.However,critical challenges—including device non-uniformity caused by material interface defects,system instability induced by memristor conductance drift,and environmental adaptability under complex illumination—remain barriers to scalable applications.This review comprehensively examines neuromorphic visual perception devices from the perspectives of device structure,operational mechanisms,materials,and applications.It explores the pivotal roles of memristors,electrolyte-gated transistors,and other neuromorphic devices in optical signal perception and information processing,with a focus on their implementations in visual perception tasks and future prospects. 展开更多
关键词 neuromorphic visual perception neuromorphic computing MEMRISTOR TRANSISTOR
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Strategical dynamic modulation of turn-on voltage for write transistor introducing charge-trap layer in 2T0C DRAM cell employing IGZO channel
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作者 Kyung Min Kim Sang Han Ko Sung Min Yoon 《Journal of Semiconductors》 2026年第2期33-43,共11页
The fabrication of a dynamic threshold-2T0C(DT-2T0C) DRAM cell incorporating a ZnO charge-trap layer in the write transistor has been successfully achieved, addressing the negative hold voltage(V_(HOLD)) issue of conv... The fabrication of a dynamic threshold-2T0C(DT-2T0C) DRAM cell incorporating a ZnO charge-trap layer in the write transistor has been successfully achieved, addressing the negative hold voltage(V_(HOLD)) issue of conventional 2T0C DRAM cells using oxide channel layers. The proposed device facilitates dynamic modulation of turn-on voltage(V_(ON)) through an additional SET operation, allowing V_(ON) to shift above 0 V. The retention time in SET operation was extended to 10^(4) s by optimizing the tunneling layer deposition conditions. The device characterization revealed a significant correlation between V_(ON) and both the WRITE speed and the retention properties of the DT-2T0C, verifying the trade-off between WRITE time and retention time. A long retention time over 1000 s was achieved, even under VHOLD of 0 V. 展开更多
关键词 IGZO thin-film transistor(TFT) dynamic random-access memory(DRAM) 2T0C
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Programmable mixed-kernel based on MoTe_(2)/MoS_(2)heterojunction for support vector machine learning
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作者 Xinyu Huang Jiapeng Du +3 位作者 Langlang Xu Lei Tong Xiangxiang Yu Lei Ye 《Journal of Semiconductors》 2026年第3期110-116,共7页
The von Neumann bottleneck in conventional computing architectures presents a significant challenge for data-inten-sive artificial intelligence applications.A promising approach involves designing specialized hardware... The von Neumann bottleneck in conventional computing architectures presents a significant challenge for data-inten-sive artificial intelligence applications.A promising approach involves designing specialized hardware with on-chip parameter tunability,which directly accelerates machine learning functions.This work demonstrates a continuously tunable mixed-kernel function physically realized within a van der Waals heterostructure.We designed and fabricated a MoTe_(2)/MoS_(2)type-Ⅱvertical heterojunction phototransistor,which exhibits a non-monotonic,Gaussian-like optoelectronic response owing to its unique inter-layer charge transfer mechanism.This intrinsic physical behavior directly maps to a mixed-kernel function combining Gaussian and Sigmoid characteristics.Furthermore,the hardware kernel can be continuously modulated by in-situ tuning of external opti-cal stimuli.The mixed-kernel exhibited exceptional performance,achieving precision,accuracy,and area under the curve(AUC)values of 95.8%,96%,and 0.9986,respectively,significantly outperforming conventional kernels.By successfully embedding a complex,adaptable mathematical function into the intrinsic physical properties of a single device,this work pioneers a novel pathway toward next-generation,energy-efficient intelligent systems with hardware-level adaptability. 展开更多
关键词 programmable mixed-kernel HETEROJUNCTION support vector machine
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基于鲸鱼优化算法优化VMD-CNN-LSTM的IGBT性能退化预测
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作者 张凯 赵翼飞 +2 位作者 张金萍 杨帅 杨栩生 《半导体技术》 北大核心 2026年第4期398-406,共9页
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的性能退化预测问题,提出了一种基于鲸鱼优化算法(WOA)优化变分模态分解(VMD)与卷积神经网络-长短期记忆(CNN-LSTM)网络的组合预测模型VMD-WOA-CNN-LSTM。以IGBT集电极-发射极关断电压峰值作为性能退化特... 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的性能退化预测问题,提出了一种基于鲸鱼优化算法(WOA)优化变分模态分解(VMD)与卷积神经网络-长短期记忆(CNN-LSTM)网络的组合预测模型VMD-WOA-CNN-LSTM。以IGBT集电极-发射极关断电压峰值作为性能退化特征参数,采用VMD算法将原始时间序列分解为多个相对稳定的模态分量,减小了原始数据噪声对预测准确性的影响。构建了CNN-LSTM融合模型,增强了预测模型的特征提取能力。基于WOA优化CNN-LSTM模型的参数,提高了模型的预测精度及性能。对比了VMD-LSTM、VMD-WOA-LSTM、VMD-CNN-LSTM和VMD-WOA-CNN-LSTM模型的预测结果与性能评价指标,结果表明,VMD-WOA-CNN-LSTM模型的预测效果最好、性能最佳,其线性拟合优度R2为0.984。与VMD-WOA-LSTM和VMD-CNN-LSTM模型相比,VMD-WOA-CNN-LSTM模型的均方根误差(RMSE)分别降低了40.4%和48.6%,可精准预测IGBT性能退化趋势。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 退化预测 鲸鱼优化算法(WOA) 变分模态分解(VMD) 卷积神经网络(CNN) 长短期记忆(LSTM)网络
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中子/γ单独及顺序辐照对双极型器件的损伤效应研究
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作者 邢嘉彬 王凯 +2 位作者 曹菲 杨剑群 秦建强 《原子能科学技术》 北大核心 2026年第2期441-448,共8页
基于^(60)Co放射源辐照平台和CFBR-II快中子反应堆,系统性地开展了双极晶体管的中子/γ单独辐照以及不同顺序组合辐照实验。测量了电流增益倒数变化量Δ(1/β)、基极电流I_(B)及其变化量ΔI_(B)随基极-发射极电压VBE的动态响应特性。实... 基于^(60)Co放射源辐照平台和CFBR-II快中子反应堆,系统性地开展了双极晶体管的中子/γ单独辐照以及不同顺序组合辐照实验。测量了电流增益倒数变化量Δ(1/β)、基极电流I_(B)及其变化量ΔI_(B)随基极-发射极电压VBE的动态响应特性。实验发现:PNP型晶体管在先γ后中子和先中子后γ两种辐照顺序下均呈现显著协同增强效应。而NPN型晶体管表现出辐照顺序依赖性,先中子后γ辐照时呈现协同增强效应,先γ后中子辐照时则呈现协同减弱效应。机理分析得出,这种器件类型依赖性源于辐照损伤模式的根本差异,对于PNP型晶体管,γ辐照主要诱导SiO_(2)/Si界面陷阱增加,而NPN型晶体管受γ辐照主要引起氧化层俘获电荷积累,这些正电荷在后续中子辐照时发生室温退火是NPN型器件在后中子辐照中表现出负协同效应的主要原因。本文结果可为中子/γ协同辐射场下不同类型双极型晶体管的抗辐射加固技术提供重要依据。 展开更多
关键词 双极型晶体管 位移损伤 总剂量效应 协同效应
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环境条件对功率器件热阻测试的影响研究
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作者 胡建力 王磊 +2 位作者 张斌 林氦 郭清 《电子产品可靠性与环境试验》 2026年第1期94-99,共6页
结-壳热阻是衡量功率器件从芯片表面到封装表面热扩散能力的重要参数,也是器件最关键的热性能指标之一。以金属-氧化物-半导体场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管分立器件为研究对象,探讨两种环境条件对结-壳热阻测试的影响:一是在不同... 结-壳热阻是衡量功率器件从芯片表面到封装表面热扩散能力的重要参数,也是器件最关键的热性能指标之一。以金属-氧化物-半导体场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管分立器件为研究对象,探讨两种环境条件对结-壳热阻测试的影响:一是在不同环境下采用相同分离层,二是在相同环境下采用不同分离层。测试结果表明,在不同温度环境下可获得相近的K系数;在此基础上,选用相同的分离层可测得接近的结-壳热阻值。而准确获得结-壳热阻,需确保分离层与器件、散热层之间紧密接触,且分离层具有较高的导热系数。本研究结果为功率分立器件的结-壳热阻测试提供了参考。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 绝缘栅双极型晶体管 环境条件 分离层 热阻 K系数
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中压三电平IGBT功率模组典型失效机理研究
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作者 韩剑波 何亮 +2 位作者 刘鎏 高大朋 王永棋 《科技视界》 2026年第5期98-102,共5页
基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的中压三电平功率拓扑广泛应用于大功率电力变换场合,由于其功能重要性对设备运行可靠性要求极高,开展核心IGBT功率器件的失效机理及状态监测技术研究对保障设备运行可靠及运维优化具有重要意义。针对中压... 基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的中压三电平功率拓扑广泛应用于大功率电力变换场合,由于其功能重要性对设备运行可靠性要求极高,开展核心IGBT功率器件的失效机理及状态监测技术研究对保障设备运行可靠及运维优化具有重要意义。针对中压三电平功率拓扑典型IGBT器件,基于电、热多应力下失效机理分析,开展了功率模组-功率模块-功率器件全范围等效物理场建模,基于焊料层空洞这一典型故障类型,对功率器件从正常运行至失效全过程进行了仿真分析,揭示不同失效模式、不同劣化程度下的特征参数变化规律,并验证了参数变化规律与实际劣化状态机理的匹配性,可为建立功率模组定量故障诊断模型奠定技术基础。 展开更多
关键词 失效机理 功率模组 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 空洞率 结温
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基于动态特征演化与门控注意力机制的IGBT剩余寿命预测
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作者 史尚贤 李小波 +1 位作者 刘心怡 吴浩 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期289-297,共9页
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)退化过程中难以精准获取特征重要性(FI)的动态演化,以及静态FI与动态时间步的重要性维度失配导致剩余使用寿命(RUL)预测精度不足的问题,提出一种门控引导注意力机制的卷积神经网络-双向长短期记忆(CNN-BiLS... 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)退化过程中难以精准获取特征重要性(FI)的动态演化,以及静态FI与动态时间步的重要性维度失配导致剩余使用寿命(RUL)预测精度不足的问题,提出一种门控引导注意力机制的卷积神经网络-双向长短期记忆(CNN-BiLSTM)模型用于RUL预测。构建了多维度随机森林FI评估框架,动态评估退化阶段的FI;设计了多模态输入解耦架构,构建了加权物理特征分支;提出了同步映射机制,以状态偏离度为桥梁,将静态FI投影至时间轴进行维度匹配;进而构建了FI引导的门控注意力机制,实现数据驱动与先验知识引导注意力的自适应融合。最后,基于NASA研究中心提供的数据集开展算法验证实验,结果表明,该方法的预测精度显著提高,相较于多特征模型、CNN-BiLSTM和BiLSTM分别提高了27.67%、18.68%和9.11%。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 特征重要性(FI)动态演化 门控引导注意力机制 卷积神经网络-双向长短期记忆(CNN-BiLSTM)网络 剩余使用寿命(RUL)预测
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基于改进粒子群优化算法-粒子滤波模型的IGBT寿命预测方法研究
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作者 刘东静 李涛 +1 位作者 肖煜 周小舒 《电气技术》 2026年第1期20-27,34,共9页
为了提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寿命预测精度,降低维护成本和系统故障风险,提出一种融合改进粒子群优化算法(IPSO)和粒子滤波(PF)的IGBT寿命预测方法。选取集电极-发射极导通电压(Vce_on)作为退化特征参数,以NASA公开的Vce_on历史数... 为了提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寿命预测精度,降低维护成本和系统故障风险,提出一种融合改进粒子群优化算法(IPSO)和粒子滤波(PF)的IGBT寿命预测方法。选取集电极-发射极导通电压(Vce_on)作为退化特征参数,以NASA公开的Vce_on历史数据集为基础,通过Matlab拟合退化模型,确定模型参数,构建状态方程和观测方程;利用自适应权值和正切函数优化粒子群优化算法参数,改善其前期过早收敛、后期易陷入局部最优的状况;建立IPSO-PF模型,通过IPSO最优寻参分别动态调整PF预测阶段和重采样阶段的粒子权重,使粒子更逼近系统的后验概率分布,设定Vce_on的失效阈值,从而实现IGBT寿命准确预测。经仿真分析,IPSO-PF模型的平均相对精度为0.971 1,相较于PF、无迹卡尔曼粒子滤波(UPF)、猎人猎物优化粒子滤波(HPO-PF)模型,分别提高了20.44%、6.99%、5.37%,证明IPSO-PF模型能有效提升IGBT寿命预测精度。为验证各改进模块的有效性,设计消融实验,结果证明各改进模块有效提升了IPSO-PF模型性能。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 寿命预测 特征参数 粒子群优化算法(PSO) 粒子滤波(PF) 消融实验
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IGBT导通压降在线监测电路研究 被引量:2
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作者 文阳 张冲 +1 位作者 杨媛 马智坚 《电力电子技术》 2025年第7期1-6,共6页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在电力电子系统中应用广泛,其结温监测吸引了学者的广泛关注。集电极-发射极导通压降U_(CE)是IGBT结温监测中最常用的参数,对其在线监测电路的研究具有重要意义。本文首先介绍了传统U_(CE)采集电路的基本工作原... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在电力电子系统中应用广泛,其结温监测吸引了学者的广泛关注。集电极-发射极导通压降U_(CE)是IGBT结温监测中最常用的参数,对其在线监测电路的研究具有重要意义。本文首先介绍了传统U_(CE)采集电路的基本工作原理,分析了误差来源,在此基础上提出了改善的U_(CE)在线监测电路。其次,设计了精度及温漂实验,对不同采集电路的精度和温度敏感性进行实验验证。结果表明,传统采集电路精度低且易受温度影响,改善后的采集电路精度达到97%且温度稳定性好。最后,介绍了该采集电路在功率器件状态监测系统中的实际应用。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 在线监测 采集电路
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IGBT模块温度冲击试验加速等效机理研究及验证
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作者 杨晨 邓二平 +3 位作者 吴立信 华文博 刘健 丁立健 《半导体技术》 北大核心 2026年第4期407-416,共10页
温度冲击试验(TST)是评估功率模块封装可靠性的重要手段,但传统方法耗时长且效率低,难以适应新产品快速迭代的开发需求。提出一种基于高低温区间优化的加速老化方法,以IGBT模块的系统焊料层为研究对象,结合Coffin-Manson寿命模型与有限... 温度冲击试验(TST)是评估功率模块封装可靠性的重要手段,但传统方法耗时长且效率低,难以适应新产品快速迭代的开发需求。提出一种基于高低温区间优化的加速老化方法,以IGBT模块的系统焊料层为研究对象,结合Coffin-Manson寿命模型与有限元仿真,分析了不同温度区间对焊料层应力分布及疲劳寿命的影响。通过设计标准工况(-40~125℃)与加速工况(-40~175℃)两组温度冲击试验,验证了加速方法的可行性与等效性。仿真与测试结果表明,加速工况下焊料层最大应力增大约26%,显著促进了疲劳损伤;进一步通过超声波扫描显微镜(SAM)扫描,结果显示,两种工况下焊料层空洞率相对增幅相近,均约处于163%~171%区间,且焊料层的老化区域分布特征一致。该方法在保持失效机理不变的同时,可将TST周期缩短约50%,为功率模块可靠性快速验证提供了有效途径。 展开更多
关键词 功率模块 温度冲击试验(TST) 加速老化 热疲劳 焊料层
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IGBT模块在机械振动与循环热载荷耦合作用下的疲劳失效机理研究
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作者 刘堰祯 王维民 +1 位作者 户东方 陈奕屹 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第2期191-200,207,共11页
为探究多物理场耦合作用下大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的内部损伤演化机理与疲劳寿命,基于Miner线性累积损伤等理论模型,通过有限元仿真分析,建立了IGBT在单一热载荷、单一振动载荷及跨时间尺度热-振耦合载荷下的疲劳寿命预测... 为探究多物理场耦合作用下大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的内部损伤演化机理与疲劳寿命,基于Miner线性累积损伤等理论模型,通过有限元仿真分析,建立了IGBT在单一热载荷、单一振动载荷及跨时间尺度热-振耦合载荷下的疲劳寿命预测模型。仿真结果显示:热载荷对寿命的影响显著高于振动载荷,而热-振耦合条件会进一步加速材料退化,使疲劳寿命显著降低。为验证仿真结果,开展了直流功率循环加速老化实验,仿真与实验误差为24.05%,二者均表明危险部位主要集中在芯片和上焊接层区域,并从芯片位置向周围扩散。该研究对IGBT模块的可靠性评估、寿命预测及优化设计具有重要的工程参考价值。 展开更多
关键词 IGBT模块 热-振耦合 疲劳寿命 可靠性
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光电双模态感知的有机晶体管及人工突触性能
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作者 张文鑫 巫晓敏 严育杰 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第2期145-149,共5页
随着人工智能与类脑计算的快速发展,有机场效应晶体管在神经形态器件中展现出优异的可调控特性。传统有机神经形态器件往往受限于突触功能单一,难以满足多模态感知与复杂信息处理的需求。本研究基于IDTBT∶PS复合介质层构建了一种光电... 随着人工智能与类脑计算的快速发展,有机场效应晶体管在神经形态器件中展现出优异的可调控特性。传统有机神经形态器件往往受限于突触功能单一,难以满足多模态感知与复杂信息处理的需求。本研究基于IDTBT∶PS复合介质层构建了一种光电双模态有机突触晶体管。该器件通过光照调控实现了从开关晶体管到神经形态突触的功能重构,表现为光照后迟滞窗口扩大7.9 V、电导提升26倍、突触增强率达150%的特性变化。通过对器件在不同工作状态下的电学参数与突触特性进行表征,揭示了光照调控对沟道载流子浓度与驻极体电荷俘获行为的协同作用机理。该方法在保持优异电学性能的基础上实现了光控突触行为,为发展集感知、存储与计算于一体的多模态神经形态平台提供了新的器件范式。 展开更多
关键词 多模态 薄膜 突触 有机场效应晶体管
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多晶硅发射极高速双极晶体管质子单粒子效应
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作者 李培 韩承相 +4 位作者 何子杰 董志勇 何欢 贺朝会 魏佳男 《物理学报》 北大核心 2025年第14期316-323,共8页
随着半导体工艺的发展,具有深沟槽隔离(DTI)技术的双极晶体管因其优异的电气性能和隔离效果,逐步应用于性能和集成度要求更高的先进半导体器件.现有的双极晶体管单粒子效应研究表明,深沟槽隔离技术会导致双极器件产生新的单粒子效应机制... 随着半导体工艺的发展,具有深沟槽隔离(DTI)技术的双极晶体管因其优异的电气性能和隔离效果,逐步应用于性能和集成度要求更高的先进半导体器件.现有的双极晶体管单粒子效应研究表明,深沟槽隔离技术会导致双极器件产生新的单粒子效应机制.本文针对深沟槽隔离结构的多晶硅发射极双极晶体管,开展了质子入射角度对其单粒子效应的影响研究.实验结果表明,质子入射角度会显著影响晶体管集电极的单粒子瞬态电压脉冲振幅.利用Sentaurus TCAD软件模拟了多晶硅发射极双极晶体管的单粒子效应电荷收集过程,根据模拟结果分析了深沟槽隔离器件的灵敏体积,并基于Geant4蒙特卡罗模拟方法开展了质子不同角度入射深沟槽器件灵敏体积的模拟.结果表明,次级离子在灵敏体积内的积分截面会随着入射角度的增加而增大,为深沟槽隔离双极晶体管的单粒子效应抗辐射加固提供了理论支撑. 展开更多
关键词 深沟槽隔离 质子单粒子效应 TCAD数值模拟 Geant4粒子仿真
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