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多晶硅发射极高速双极晶体管质子单粒子效应
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作者 李培 韩承相 +4 位作者 何子杰 董志勇 何欢 贺朝会 魏佳男 《物理学报》 北大核心 2025年第14期316-323,共8页
随着半导体工艺的发展,具有深沟槽隔离(DTI)技术的双极晶体管因其优异的电气性能和隔离效果,逐步应用于性能和集成度要求更高的先进半导体器件.现有的双极晶体管单粒子效应研究表明,深沟槽隔离技术会导致双极器件产生新的单粒子效应机制... 随着半导体工艺的发展,具有深沟槽隔离(DTI)技术的双极晶体管因其优异的电气性能和隔离效果,逐步应用于性能和集成度要求更高的先进半导体器件.现有的双极晶体管单粒子效应研究表明,深沟槽隔离技术会导致双极器件产生新的单粒子效应机制.本文针对深沟槽隔离结构的多晶硅发射极双极晶体管,开展了质子入射角度对其单粒子效应的影响研究.实验结果表明,质子入射角度会显著影响晶体管集电极的单粒子瞬态电压脉冲振幅.利用Sentaurus TCAD软件模拟了多晶硅发射极双极晶体管的单粒子效应电荷收集过程,根据模拟结果分析了深沟槽隔离器件的灵敏体积,并基于Geant4蒙特卡罗模拟方法开展了质子不同角度入射深沟槽器件灵敏体积的模拟.结果表明,次级离子在灵敏体积内的积分截面会随着入射角度的增加而增大,为深沟槽隔离双极晶体管的单粒子效应抗辐射加固提供了理论支撑. 展开更多
关键词 深沟槽隔离 质子单粒子效应 TCAD数值模拟 Geant4粒子仿真
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“电路分析基础”课程案例教学研究——以惠斯通电桥为例
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作者 杨敏 陈阳 刘战 《教育教学论坛》 2025年第41期129-132,共4页
探讨案例教学法在“电路分析基础”课程中的应用,以惠斯通电桥为例,通过学习串并联电路的原理,分析惠斯通电桥电路的原理;通过应变片搭建惠斯通电桥电路制作力传感器,验证了该方法能有效提升学生的实践与分析能力。案例教学法不仅增强... 探讨案例教学法在“电路分析基础”课程中的应用,以惠斯通电桥为例,通过学习串并联电路的原理,分析惠斯通电桥电路的原理;通过应变片搭建惠斯通电桥电路制作力传感器,验证了该方法能有效提升学生的实践与分析能力。案例教学法不仅增强了学生的团队合作精神,还使其能够更直观地理解电路原理及应用。研究主要聚焦于“电路分析基础”课程中最简单的惠斯通电桥案例,具有一定的局限性,但为电路分析课程的教学改革提供了有益参考。未来研究可进一步拓展案例范围,探究该方法在不同教学环境下的适用性。 展开更多
关键词 电路分析基础 案例教学 惠斯通电桥
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基于共模辐射干扰信号的IGBT模块焊料层空洞老化的检测方法
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作者 董超 韦虎俊 杜明星 《天津理工大学学报》 2025年第5期50-56,共7页
提出一种基于共模电磁辐射(common mode electromagnetic radiation,CMEMR)频谱特征的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块焊料层老化状态的非侵入监测方法。当IGBT模块焊料层发生老化时会改变IGBT模块内... 提出一种基于共模电磁辐射(common mode electromagnetic radiation,CMEMR)频谱特征的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块焊料层老化状态的非侵入监测方法。当IGBT模块焊料层发生老化时会改变IGBT模块内部结构,引起电磁干扰通路的参数变化,进而影响电磁干扰强度。文中研究了CM电磁干扰产生的原因,分析焊料层空洞对IGBT模块内部寄生电容的影响,以及寄生电容对CM干扰的影响,最后搭建试验平台,对不同空洞率的IGBT模块进行健康监测,发现随着焊料层空洞损伤程度的加剧,CM辐射干扰信号强度降低。 展开更多
关键词 绝缘栅双极性晶体管 共模电磁辐射 寄生电容 焊料层空洞
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分立GaN HEMT器件动态电阻测量系统设计
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作者 文阳 石孟洁 +1 位作者 杨媛 张冲 《电力电子技术》 2025年第1期117-120,共4页
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高功率密度等应用领域得到广泛应用,然而GaN HEMT器件的导通电阻会随着应用工况发生改变(动态电阻现象),导致其在应用中导通损耗不能被准确评估。针对这一问题,本文设计了一种GaN HEMT器件... 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高功率密度等应用领域得到广泛应用,然而GaN HEMT器件的导通电阻会随着应用工况发生改变(动态电阻现象),导致其在应用中导通损耗不能被准确评估。针对这一问题,本文设计了一种GaN HEMT器件动态电阻测量系统。首先,介绍了动态电阻测试原理,其次,介绍了该测试系统的组成并对各部分设计原理及选型进行了详细的描述。最后,搭建了GaN HEMT器件动态电阻测试系统并对测试系统性能进行了测试。结果表明,该系统可以准确地测试GaN HEMT器件在不同工况下的动态电阻值。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 动态电阻 导通电压测量 测量系统
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IGBT导通压降在线监测电路研究
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作者 文阳 张冲 +1 位作者 杨媛 马智坚 《电力电子技术》 2025年第7期1-6,共6页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在电力电子系统中应用广泛,其结温监测吸引了学者的广泛关注。集电极-发射极导通压降U_(CE)是IGBT结温监测中最常用的参数,对其在线监测电路的研究具有重要意义。本文首先介绍了传统U_(CE)采集电路的基本工作原... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在电力电子系统中应用广泛,其结温监测吸引了学者的广泛关注。集电极-发射极导通压降U_(CE)是IGBT结温监测中最常用的参数,对其在线监测电路的研究具有重要意义。本文首先介绍了传统U_(CE)采集电路的基本工作原理,分析了误差来源,在此基础上提出了改善的U_(CE)在线监测电路。其次,设计了精度及温漂实验,对不同采集电路的精度和温度敏感性进行实验验证。结果表明,传统采集电路精度低且易受温度影响,改善后的采集电路精度达到97%且温度稳定性好。最后,介绍了该采集电路在功率器件状态监测系统中的实际应用。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 在线监测 采集电路
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基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升
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作者 李强 丁莉峰 +4 位作者 李磊磊 李禹文 李鑫旺 马佳楠 桑胜波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期23-31,共9页
电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定... 电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定性隔绝空气中的氧分子和水分子;利用聚(3-己基噻)(P3HT)共混聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有源层获得高抗氧化性和抗水解能力。测试结果表明,经过60d后器件载流子迁移率仅降低到原始值的87.91%,电流开关比降低到原来的81.90%,说明本文提出的环境稳定性提升方法优于其他方法。 展开更多
关键词 聚(3-己基噻吩)(P3HT) 有机薄膜晶体管(OTFT) 稳定性提升 表面钝化 有源层共混
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高增益MO-TFT心率信号检测前置放大器研究
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作者 吴朝晖 陈家琳 +1 位作者 赵明剑 李斌 《华南理工大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期80-87,共8页
金属氧化物薄膜晶体管(MO-TFT)可以用来实现检测心率信号的柔性可穿戴系统,但MO-TFT缺少高性能互补器件,导致实现的前置放大器增益较小,而且MO-TFT器件的性能较差,给后级模块的设计带来了困难。为提升前置放大器的增益,降低后级电路对... 金属氧化物薄膜晶体管(MO-TFT)可以用来实现检测心率信号的柔性可穿戴系统,但MO-TFT缺少高性能互补器件,导致实现的前置放大器增益较小,而且MO-TFT器件的性能较差,给后级模块的设计带来了困难。为提升前置放大器的增益,降低后级电路对器件性能的要求,该文提出了一种共源共栅电容自举结构前置放大器。该前置放大器主要由外部耦合偏置模块和核心放大器模块构成;核心放大器模块使用稳定性好、输出电压摆幅大和功耗低的电容自举技术,并结合了共源共栅结构,以提升电路的整体增益;外部耦合偏置模块使用功耗较低、输入阻抗较大和工作点设置简单的交流耦合外部偏置结构,以满足心率信号检测前置放大器的带通要求。采用10μm IZO-TFT工艺对所提出的前置放大器进行设计和流片测试,结果表明:在20 V电源电压条件下,该放大器的增益为35 dB,带宽为2 Hz~2 kHz,噪声均方根值为118.2μV,功耗为0.1 mW,实现的前置放大器满足心率信号检测要求;与现有的MO-TFT心率信号检测前置放大器相比,所设计的前置放大器增益提升了约10 dB,降低了后级模块对器件性能的要求,有利于实现模拟信号的数字化,保持信号的完整性。 展开更多
关键词 金属氧化物薄膜晶体管 心率信号检测 前置放大器 电容自举结构
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功率模块宽频振荡辐射源定位及其表征方法研究
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作者 罗皓泽 李菁新 +4 位作者 海栋 叶朔煜 朱安康 李武华 何湘宁 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第17期6897-6909,I0024,共14页
IGBT模块内部宽频振荡类型多、频率范围宽、振荡机理复杂,现有宽频振荡方面的研究面临着表征不清、机理不明等问题,难以快速准确地对模块内部宽频振荡问题进行分析。为此,针对大功率多芯片功率模块的宽频振荡问题,提出完整的表征和分析... IGBT模块内部宽频振荡类型多、频率范围宽、振荡机理复杂,现有宽频振荡方面的研究面临着表征不清、机理不明等问题,难以快速准确地对模块内部宽频振荡问题进行分析。为此,针对大功率多芯片功率模块的宽频振荡问题,提出完整的表征和分析方法,基于近磁场辐射信号可实现宽频振荡的在线时频空特征定位。首先,分析功率模块近磁场的产生机理,选择空间近磁场信号来表征功率模块内部宽频振荡现象;系统阐述基于双脉冲测试的表征平台架构、在线时频空特征定位和离线工况重构算法的实现。实验结果表明,构建的表征平台可有效表征功率模块中的宽频振荡问题,可清晰定位产生宽频振荡的阶段和器件,基于离散测试工况下的测试结果可精准预测变换器实际运行工况下频谱峰值对应的频率,低频和高频下的振荡峰值预测误差分别不超过3和5 dBμV,频谱上包络的皮尔逊相似度系数为0.814,整体变化趋势一致,为宽频振荡建模、分析提供一定指标和实验工具。 展开更多
关键词 宽频振荡定位 近磁场特性 离线重构
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印刷薄膜晶体管材料与器件技术研究进展
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作者 许伟 黄湘兰 彭俊彪 《科技导报》 北大核心 2025年第2期52-61,共10页
聚焦溶液印刷工艺制备薄膜晶体管(TFT)技术,综述了近年来印刷TFT材料与器件研究成果。TFT是平板显示器件的核心共有技术,决定了平板显示器的显示效果与显示质量。从TFT器件中的材料及工艺出发,分别介绍可印刷的导电材料、半导体材料和... 聚焦溶液印刷工艺制备薄膜晶体管(TFT)技术,综述了近年来印刷TFT材料与器件研究成果。TFT是平板显示器件的核心共有技术,决定了平板显示器的显示效果与显示质量。从TFT器件中的材料及工艺出发,分别介绍可印刷的导电材料、半导体材料和绝缘层材料,以及印刷制备TFT技术的发展现状。要实现印刷TFT技术的商业应用,还面临着诸如可印刷的高性能墨水材料开发、高均匀性薄膜印刷沉积工艺、较低的接触电阻、印刷TFT集成制备技术,以及如何实现印刷TFT在偏压、光辐照、温度等条件下的长期稳定性等问题。提出了随着新材料的进一步开发和印刷技术的发展,印刷技术将为实现低成本制造TFT提供一条有前景的途径。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 平板显示 印刷技术 溶液工艺
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电机IGBT散热器热特性分析与影响因素研究 被引量:1
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作者 刘其兵 《微电机》 2025年第7期72-75,共4页
热性能是散热器最基本、最重要的性能指标,本文基于热力学和有限元分析理论,对IGBT散热器进行热仿真数值模拟,获得结构的温度分布情况。在此基础上,从散热器结构的主要设计参数和材料两方面研究了散热器散热性能的影响因素,分析结果表明... 热性能是散热器最基本、最重要的性能指标,本文基于热力学和有限元分析理论,对IGBT散热器进行热仿真数值模拟,获得结构的温度分布情况。在此基础上,从散热器结构的主要设计参数和材料两方面研究了散热器散热性能的影响因素,分析结果表明:对散热效果影响最大的因素是散热器基座的结构尺寸和基座所选用的材料,这为产品设计和选型提供理论参考依据。 展开更多
关键词 热性能 散热器 温度分布 影响因素
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微波功率放大器的负载牵引测试技术研究
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作者 童亮 李伟 王鑫 《环境技术》 2025年第6期47-53,共7页
负载牵引测试系统在射频功率放大器的最优参数测试和抗失配可靠性试验中得到广泛应用,对优化功率放大器的设计具有重要作用。本文介绍了当前基于矢量接收机的负载牵引技术,并详细介绍了双端面校准、去嵌入和三次谐波测试等关键技术。矢... 负载牵引测试系统在射频功率放大器的最优参数测试和抗失配可靠性试验中得到广泛应用,对优化功率放大器的设计具有重要作用。本文介绍了当前基于矢量接收机的负载牵引技术,并详细介绍了双端面校准、去嵌入和三次谐波测试等关键技术。矢量接收机的高效应用不仅显著提升了测量效率和准确度,还能够方便地实现输出功率、效率等关键参数的优化以及谐波测试,为功率放大器的性能评估和设计改进提供了有力支持。 展开更多
关键词 半导体 阻抗匹配 负载牵引 氮化镓 微波测试
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175℃下比导通电阻3.8 mΩ·cm^(2)的1200 V SiC MOSFET
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作者 刘佳佳 张力江 +1 位作者 周国 付兴中 《电力电子技术》 2025年第8期137-140,共4页
针对光伏逆变、电动汽车、电源管理等领域对高功率高可靠性碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体型场效应管(MOSFET)器件的需求,开展了SiC MOSFET器件设计技术研究,研制出结温25℃下比导通电阻2.7 mΩ·cm^(2)、反向漏电流小于1µA的1... 针对光伏逆变、电动汽车、电源管理等领域对高功率高可靠性碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体型场效应管(MOSFET)器件的需求,开展了SiC MOSFET器件设计技术研究,研制出结温25℃下比导通电阻2.7 mΩ·cm^(2)、反向漏电流小于1µA的1200 V/13 mΩSiC MOSFET,在175℃的应力条件下,比导通电阻为3.8 mΩ·cm^(2),显示出良好的温度稳定性。器件在漏源电压1500 V时,漏源漏电流小于1µA。在环境温度175℃的应力条件下,器件完成了1000 h的高温可靠性验证,阈值电压漂移量小于0.3 V,展现出良好的高温可靠性。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体型场效应管 碳化硅 比导通电阻
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功率晶体管从硅基到宽禁带半导体技术研究进展
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作者 裴志军 《天津职业技术师范大学学报》 2025年第2期21-27,共7页
为实现高效电力电子系统,功率晶体管作为功率开关至关重要。理想开关特性功率晶体管的获取需要驱动功率器件在结构、物理、材料等方面的创新突破。文章在分析功率晶体管基本特性基础上,探讨了功率晶体管的技术进展,包括:功率双极晶体管(... 为实现高效电力电子系统,功率晶体管作为功率开关至关重要。理想开关特性功率晶体管的获取需要驱动功率器件在结构、物理、材料等方面的创新突破。文章在分析功率晶体管基本特性基础上,探讨了功率晶体管的技术进展,包括:功率双极晶体管(GTR)、功率MOS场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管(IGBT),到宽禁带(WBG)功率器件,如碳化硅SiC器件、氮化镓GaN器件,以及超宽禁带(UWBG)氧化镓Ga_(2)O_(3)器件。研究表明:在功率开关应用中,宽禁带WBG器件比硅器件具有更高的效率及更卓越的功率密度优势,应用前景良好。 展开更多
关键词 功率晶体管 绝缘栅双极晶体管 宽禁带 碳化硅 氮化镓 氧化镓
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固态高压高重频脉冲源用雪崩三极管研制
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作者 李飞 刘京亮 +1 位作者 范国莹 张一尘 《通讯世界》 2025年第7期19-21,共3页
在固态高压高重频脉冲源技术快速发展和需求日益增长的背景下,分析雪崩三极管寄生参数对Marx电路脉冲源性能的影响,对雪崩三极管的材料和工艺进行优化设计,研制出一款固态高压高重频脉冲源用雪崩三极管。相较于优化前,优化后的雪崩三极... 在固态高压高重频脉冲源技术快速发展和需求日益增长的背景下,分析雪崩三极管寄生参数对Marx电路脉冲源性能的影响,对雪崩三极管的材料和工艺进行优化设计,研制出一款固态高压高重频脉冲源用雪崩三极管。相较于优化前,优化后的雪崩三极管脉冲源模块脉冲前沿、脉冲半高宽和脉冲输出幅值等指标都有较大提升,为雪崩三极管未来优化提供了理论支持。 展开更多
关键词 固态脉冲源 雪崩三极管 高压 高重频 输出电压幅值
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Electrolyte-gated optoelectronic transistors for neuromorphic applications 被引量:1
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作者 Jinming Bi Yanran Li +2 位作者 Rong Lu Honglin Song Jie Jiang 《Journal of Semiconductors》 2025年第2期6-22,共17页
The traditional von Neumann architecture has demonstrated inefficiencies in parallel computing and adaptive learn-ing,rendering it incapable of meeting the growing demand for efficient and high-speed computing.Neuromo... The traditional von Neumann architecture has demonstrated inefficiencies in parallel computing and adaptive learn-ing,rendering it incapable of meeting the growing demand for efficient and high-speed computing.Neuromorphic comput-ing with significant advantages such as high parallelism and ultra-low power consumption is regarded as a promising pathway to overcome the limitations of conventional computers and achieve the next-generation artificial intelligence.Among various neuromorphic devices,the artificial synapses based on electrolyte-gated transistors stand out due to their low energy consump-tion,multimodal sensing/recording capabilities,and multifunctional integration.Moreover,the emerging optoelectronic neuro-morphic devices which combine the strengths of photonics and electronics have demonstrated substantial potential in the neu-romorphic computing field.Therefore,this article reviews recent advancements in electrolyte-gated optoelectronic neuromor-phic transistors.First,it provides an overview of artificial optoelectronic synapses and neurons,discussing aspects such as device structures,operating mechanisms,and neuromorphic functionalities.Next,the potential applications of optoelectronic synapses in different areas such as artificial visual system,pain system,and tactile perception systems are elaborated.Finally,the current challenges are summarized,and future directions for their developments are proposed. 展开更多
关键词 neuromorphic computing electrolyte-gated transistors artificial synapses optoelectronic devices
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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能 被引量:1
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作者 张栋曜 周幸叶 +3 位作者 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期468-472,共5页
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导... GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导率(2000 W·m^(-1)·K^(-1))金刚石是一种极具竞争力的新型散热材料,在解决大功率器件的散热问题方面极具潜力。针对散热问题,采用室温晶圆键合工艺制备了金刚石基GaN HEMT,并对其进行了直流特性、微波功率特性和结温测试。与传统SiC基GaN HEMT相比,金刚石基GaN HEMT的漏源饱和输出电流增大了约5%,热阻从5.04 K·mm/W降低至3.78 K·mm/W,有利于提升器件性能、延长器件寿命。本文研究结果为突破GaN功率器件性能的发展瓶颈提供了实验基础。 展开更多
关键词 GAN 金刚石 微波功率 结温 散热能力
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超结IGBT的研究进展
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作者 何心怡 冯松 +1 位作者 吴鉴洋 曾雨玲 《电力电子技术》 2025年第6期133-140,共8页
传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)存在着诸如漏电流大、开关速度慢、崩溃电压低等问题,这些问题导致能源浪费,影响器件的稳定性和寿命,限制了其在高功率应用中的使用。为解决这些问题,研究人员开始寻求一种新型的功率半导体器件,能够在保... 传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)存在着诸如漏电流大、开关速度慢、崩溃电压低等问题,这些问题导致能源浪费,影响器件的稳定性和寿命,限制了其在高功率应用中的使用。为解决这些问题,研究人员开始寻求一种新型的功率半导体器件,能够在保证高性能的同时,克服传统IGBT的缺陷。超结IGBT(SJ-IGBT)作为一种功率半导体器件,它在传统IGBT的基础上发展而来,通过采用先进的材料和工艺设计,显著提高了器件的性能和效率。本文对SJ-IGBT的研究现状进行了描述,分析并讨论了载流子存储层、浮空p柱、沟槽栅、其他SJ-IGBT结构的特性和优缺点。通过总结对比各种结构的SJ-IGBT的优缺点,对未来SJ-IGBT的发展提供了思路。随着技术的不断进步,SJ-IGBT的结构设计和工艺技术也在不断优化和完善。目前,SJ-IGBT已经发展成为一种高性能、高效率的功率半导体器件,并在新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域得到了广泛的应用。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 超结
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考虑损耗与应力下SiC模块的电路参数设计 被引量:1
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作者 荀博洋 郝凤斌 +1 位作者 柏松 高俊开 《电力电子技术》 2025年第4期121-124,共4页
相比于传统的Si器件,SiC器件能够提高开关频率,从而进一步提升电力电子变换器的系统效率和功率密度。然而,过快的开关速度会产生较高的电压变化率和电流变化率,给驱动电路的设计带来了挑战。为此,本文以SiC金属-氧化物半导体场效应晶体... 相比于传统的Si器件,SiC器件能够提高开关频率,从而进一步提升电力电子变换器的系统效率和功率密度。然而,过快的开关速度会产生较高的电压变化率和电流变化率,给驱动电路的设计带来了挑战。为此,本文以SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块为例,通过双脉冲测试电路,分析了驱动电路参数包括驱动电阻和驱动电容对开关特性的影响,并提出了综合考虑开关损耗和电压应力的驱动电路参数设计方法。实验结果表明,较小的驱动电阻和驱动电容能够减小损耗,但会引入更大的电压变化率。最后,给出了最优的驱动参数使得开关损耗和电压应力均最小。 展开更多
关键词 金属-氧化物半导体场效应晶体管 开关损耗 驱动电路
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基于TLP5214的IGBT驱动保护电路设计
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作者 张瑜 文阳 《电力电子技术》 2025年第6期128-132,共5页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在大功率应用中的电热应力高、磁场环境恶劣,中、高压变频器因IGBT失效而导致的故障率和损毁率都不容忽视,为满足大功率IGBT对灵活可靠的驱动电路的需求,本文基于TLP5214设计了1700 V/600 A IGBT的驱动保护电路... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在大功率应用中的电热应力高、磁场环境恶劣,中、高压变频器因IGBT失效而导致的故障率和损毁率都不容忽视,为满足大功率IGBT对灵活可靠的驱动电路的需求,本文基于TLP5214设计了1700 V/600 A IGBT的驱动保护电路,计算了相关的驱动保护电路参数,并进行相应器件的选型。最后,搭建了双脉冲和短路实验平台,对所设计的驱动器进行了实验验证,结果表明,驱动器可以正常开关IGBT,在短路情况下可以检测短路故障并关断IGBT,有较好的应用和推广价值。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 驱动保护电路 大功率
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Adaptive optoelectronic transistor for intelligent vision system 被引量:1
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作者 Yiru Wang Shanshuo Liu +5 位作者 Hongxin Zhang Yuchen Cao Zitong Mu Mingdong Yi Linghai Xie Haifeng Ling 《Journal of Semiconductors》 2025年第2期53-70,共18页
Recently,for developing neuromorphic visual systems,adaptive optoelectronic devices become one of the main research directions and attract extensive focus to achieve optoelectronic transistors with high performances a... Recently,for developing neuromorphic visual systems,adaptive optoelectronic devices become one of the main research directions and attract extensive focus to achieve optoelectronic transistors with high performances and flexible func-tionalities.In this review,based on a description of the biological adaptive functions that are favorable for dynamically perceiv-ing,filtering,and processing information in the varying environment,we summarize the representative strategies for achiev-ing these adaptabilities in optoelectronic transistors,including the adaptation for detecting information,adaptive synaptic weight change,and history-dependent plasticity.Moreover,the key points of the corresponding strategies are comprehen-sively discussed.And the applications of these adaptive optoelectronic transistors,including the adaptive color detection,sig-nal filtering,extending the response range of light intensity,and improve learning efficiency,are also illustrated separately.Lastly,the challenges faced in developing adaptive optoelectronic transistor for artificial vision system are discussed.The descrip-tion of biological adaptive functions and the corresponding inspired neuromorphic devices are expected to provide insights for the design and application of next-generation artificial visual systems. 展开更多
关键词 adaptive optoelectronic transistor neuromorphic computing artificial vision
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