低温多晶硅(LTPS:Low-temperature poly-Si)技术已经成为薄膜晶体管(TFT:thin film transistor)制作中最具吸引力的技术,并应用在AMOLED显示器中。P-type技术能够简化TFT的制作过程。本文提出了一种应用p-type多晶硅TFT的AMOLED驱动电...低温多晶硅(LTPS:Low-temperature poly-Si)技术已经成为薄膜晶体管(TFT:thin film transistor)制作中最具吸引力的技术,并应用在AMOLED显示器中。P-type技术能够简化TFT的制作过程。本文提出了一种应用p-type多晶硅TFT的AMOLED驱动电路结构,包括栅极驱动器、数据驱动器以及像素阵列。数据驱动器采用分块方法,使得显示屏的输出线数大大减少。作者采用一种改进的p-type移位寄存器实现逐行选通的功能,并采用由4个p-type反相器级联构成的缓冲器来提高电路的驱动能力。为了验证上述电路结构的正确性,作者采用HSPICE软件进行仿真分析。结果表明,电路工作正常。利用韩国汉城国立大学及Neo Poly公司在多晶硅制作方面的优势,我们已经合作完成了应用上述电路结构的分辨率为96×3×128的有源OLED的制作。展开更多
文摘低温多晶硅(LTPS:Low-temperature poly-Si)技术已经成为薄膜晶体管(TFT:thin film transistor)制作中最具吸引力的技术,并应用在AMOLED显示器中。P-type技术能够简化TFT的制作过程。本文提出了一种应用p-type多晶硅TFT的AMOLED驱动电路结构,包括栅极驱动器、数据驱动器以及像素阵列。数据驱动器采用分块方法,使得显示屏的输出线数大大减少。作者采用一种改进的p-type移位寄存器实现逐行选通的功能,并采用由4个p-type反相器级联构成的缓冲器来提高电路的驱动能力。为了验证上述电路结构的正确性,作者采用HSPICE软件进行仿真分析。结果表明,电路工作正常。利用韩国汉城国立大学及Neo Poly公司在多晶硅制作方面的优势,我们已经合作完成了应用上述电路结构的分辨率为96×3×128的有源OLED的制作。
