阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管 被引量：9

1

作者 邢东 冯志红 +5 位作者 王俊龙 张士祖 梁士雄 张立森 宋旭波 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期279-282,共4页

研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯... 研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯片采用了小尺寸芯片设计,芯片厚度为25μm、芯片长度为175μm、芯片宽度为55μm,其中单阳极GaAs肖特基二极管的结电容小于4 fF,串联电阻小于5Ω,总电容的典型值为7～8 fF。根据GaAs肖特基二极管的总电容(CT)计算,二极管的截止频率(fc)高达3.9 THz。这种GaAs肖特基二极管适合应用在太赫兹频段上。 展开更多

关键词 太赫兹 GaAs肖特基二极管 悬浮空气桥 寄生电容 串联电阻

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共振隧穿二极管串联电阻测量方法的比较与分析 被引量：1

2

作者 宋瑞良 毛陆虹 +4 位作者 郭维廉 张世林 梁惠来 谢生 齐海涛 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期433-437,共5页

介绍了采用3种测量GaAs基RTD器件的串联电阻参数的方法:温度特性法、外加电阻法和电桥法.研究发现,不同的测试手段,得到的串联电阻值存在较大差异.对每种测量方法的原理进行了比较分析,由于3种方法分别针对RTD的不同电流区域进行测量,... 介绍了采用3种测量GaAs基RTD器件的串联电阻参数的方法:温度特性法、外加电阻法和电桥法.研究发现,不同的测试手段,得到的串联电阻值存在较大差异.对每种测量方法的原理进行了比较分析,由于3种方法分别针对RTD的不同电流区域进行测量,因而串联电阻会随着测量区域的改变而变化,导致测量结果不一致.对于RTD的不同用途要采用对应的测试方法,这为RTD在电路方面的应用奠定了基础. 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 串联电阻 测量方法

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GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究 被引量：2

3

作者 李佳 梁静秋 +3 位作者 金霞 孔庆峰 侯凤杰 王维彪 《光电子技术》 CAS 2006年第4期246-249,共4页

良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二... 良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二者配比为3∶1的条件下,在G aA s衬底材料上制备了深宽比为2∶1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。 展开更多

关键词 GAAS 发光二极管阵列 高深宽比结构 湿法腐蚀

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基于平面GaAs肖特基二极管的220 GHz倍频器

4

作者 杨大宝 王俊龙 +3 位作者 邢东 梁士雄 张立森 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期826-830,共5页

设计和制造了一种高效高功率的220GHz倍频器，倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片，它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上。使用ADS和HFSS软件相结合的方法对220GHz倍频器的进行了仿真优化，首先利用... 设计和制造了一种高效高功率的220GHz倍频器，倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片，它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上。使用ADS和HFSS软件相结合的方法对220GHz倍频器的进行了仿真优化，首先利用HFSS三维电磁仿真准确建立二极管和波导的结构模型，再利用ADS线性和非线性谐波电路仿真来优化倍频电路的性能。在210～230GHz的频带范围内，220GHz倍频器在20mW固定功率输入条件下测试，功率输出大于0．5mw；在100mw固定功率注入时，整个20GHz频带范围内功率输出大于2．1mW，在214GHz处输出峰值功率5mW，效率为5％。反向串联二极管单片上的二极管采用的是并联布局放置方式，这种方式将二极管产生的热量从二极管直接传导到波导腔体的金属导体壁上，利于散热。220GHz倍频器的研制成功，证明了国产平面封装GaAs肖特基二极管的毫米波频段的应用能力，其研制方法对将来更高频率的电路设计具有借鉴意义。 展开更多

关键词 220 GHZ 毫米波 肖特基势垒二极管 倍频器 效率

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GaAs平面掺杂势垒二极管

5

作者 张宇 车相辉 +4 位作者 于浩 宁吉丰 杨中月 杨实 陈宏泰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期27-31,共5页

二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOC... 二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长。对PDB二极管的物理模型进行了理论分析。通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响。通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20~25 mV/mW。 展开更多

关键词 平面掺杂势垒(PDB)二极管 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 开启电压 I-V特性 定向检波器 检波灵敏度

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GaAs红外发光管芯片的表面性质

6

作者 林秀华 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期682-686,共5页

利用扫描电子显微镜观察 Ｇａ Ａｓ 外延层及 Ｉ Ｒ Ｌ Ｅ Ｄ 芯片的表面，测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化，讨论了 Ｇａ Ａｓ 红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响． 结果显示，芯片表面玷污、... 利用扫描电子显微镜观察 Ｇａ Ａｓ 外延层及 Ｉ Ｒ Ｌ Ｅ Ｄ 芯片的表面，测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化，讨论了 Ｇａ Ａｓ 红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响． 结果显示，芯片表面玷污、划伤，电极磨损，使输出辐射强度降低． 展开更多

关键词 红外发光二极管 芯片 表面性质 砷化镓

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基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器 被引量：3

7

作者 牛斌 钱骏 +6 位作者 范道雨 王元庆 梅亮 戴俊杰 林罡 周明 陈堂胜 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期634-637,共4页

报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组... 报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。 展开更多

关键词 砷化镓肖特基二极管 薄膜电路 次谐波混频器

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T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备 被引量：3

8

作者 范道雨 林罡 +1 位作者 牛斌 吴少兵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期40-44,共5页

通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO_2介质进行钝化保护,比传统工艺约50... 通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO_2介质进行钝化保护,比传统工艺约500nm的SiO_2介质大幅降低,有效降低了器件寄生电容,研制出截止频率f_T(C_(j0))8THz、f_T(C_(total))3.9THz的管芯。通过直流I-V测试和小信号S参数测试提取管芯参数,并分析对比了不同阳极直径管芯的性能参数。 展开更多

关键词 太赫兹 肖特基二极管 T栅 寄生电容 串联电阻

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基于MVC智能高清卡口信息系统设计与实现 被引量：3

9

作者 夏跃伟 魏锐 刘金广 《现代电子技术》 2013年第8期71-73,共3页

针对MVC智能高清卡口信息系统运用中的存在问题,通过对相关的数据库分析、对C/S、B/S、高清设备、图像处理、网络传输等理论知识进行论述。按照高清卡口需求来实现相应的功能,从业务实际需求出发,借鉴周边的先进业务模型,参考已有卡口... 针对MVC智能高清卡口信息系统运用中的存在问题,通过对相关的数据库分析、对C/S、B/S、高清设备、图像处理、网络传输等理论知识进行论述。按照高清卡口需求来实现相应的功能,从业务实际需求出发,借鉴周边的先进业务模型,参考已有卡口产品的先进设计,最终确定本地系统模型设计,并确保与交通工作的优化结合。确定总体方案后,进行详细的系统设计和软件设计,经过测试表明:相关设计效果良好。 展开更多

关键词 MVC 高清卡口 架构 信息系统

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GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究 被引量：1

10

作者 王杰 张斌珍 +4 位作者 刘君 唐建军 谭振新 贾晓娟 高杰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期136-140,共5页

用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构... 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 I-V特性 砷化镓 发射极

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GaAs红外发光二极管加速寿命试验 被引量：15

11

作者 金玲 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期77-81,共5页

近年来光电器件在航空、航天及通信领域应用相当广泛，其可靠性问题显得日益突出。如何评价其可靠性水平成为一个难点。文章通过步进应力试验的方法设计出可靠性加速寿命试验方案。用恒定应力和步进应力试验相结合的方法评价了液相外延... 近年来光电器件在航空、航天及通信领域应用相当广泛，其可靠性问题显得日益突出。如何评价其可靠性水平成为一个难点。文章通过步进应力试验的方法设计出可靠性加速寿命试验方案。用恒定应力和步进应力试验相结合的方法评价了液相外延工艺制作的ＢＴ４０１Ａ型ＧａＡｓ红外发光二极管的可靠性水平；摸清了该种器件的失效模式及寿命分布，为进一步研究该器件的可靠性问题提供了依据。 展开更多

关键词 红外光源 应力测试 失效分析 砷化镓二极管

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基于VFP的校园招聘信息管理系统的设计与实现 被引量：4

12

作者 于宁 吴庆学 《现代电子技术》 2013年第4期23-25,共3页

面对校园招聘过程中各种形式的数据信息和统计报表,手工处理方式已经严重影响了工作效率,利用现代信息技术进行招聘信息管理成为趋势。针对当前校园招聘的特点和要求,借助VFP强大的数据管理功能,采用面向对象的设计方法,简单易读的算法... 面对校园招聘过程中各种形式的数据信息和统计报表,手工处理方式已经严重影响了工作效率,利用现代信息技术进行招聘信息管理成为趋势。针对当前校园招聘的特点和要求,借助VFP强大的数据管理功能,采用面向对象的设计方法,简单易读的算法,构建基于VFP的校园招聘信息管理系统,实现了方便快捷的信息录入、需求岗位分解、数据查询、汇总统计、报表打印等功能,使校园招聘信息管理更加规范化、自动化,切实提高就业工作效率。 展开更多

关键词 校园招聘 信息管理系统 VFP 面向对象设计方法

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太赫兹平面肖特基二极管参数模型 被引量：7

13

作者 赵向阳 王俊龙 +4 位作者 邢东 杨大宝 张立森 梁士雄 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期151-156,共6页

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频... 根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。 展开更多

关键词 太赫兹 肖特基二极管 小信号等效电路模型 在片测试结构

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肖特基二极管毫米波等效电路模型参数提取方法 被引量：1

14

作者 黄惠琳 黄静 施佺 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期732-737,共6页

提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法。该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感;基于直流Ⅰ-Ⅴ特性曲线和小信号S参数分别提取了寄生电阻并进行了对比分析;给出了本征元件随偏置电压... 提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法。该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感;基于直流Ⅰ-Ⅴ特性曲线和小信号S参数分别提取了寄生电阻并进行了对比分析;给出了本征元件随偏置电压的变化曲线。在频率高达40 GHz的范围内,截止和导通状态下S参数的模拟与测试数据吻合良好,验证了提取方法的有效性。 展开更多

关键词 肖特基二极管 等效电路模型 参数提取

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新型双区阴极结构体效应二极管 被引量：2

15

作者 张晓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期220-222,共3页

常规的GaAs体效应二极管的阴极结构多采用欧姆阴极,在毫米波频段(W波段),器件的转换效率小于1%。介绍了一种新型的双区阴极结构在W波段体效应二极管中的实现,并研制出了样品器件。采用此种结构,可以显著提高毫米波器件的输出功率和转换... 常规的GaAs体效应二极管的阴极结构多采用欧姆阴极,在毫米波频段(W波段),器件的转换效率小于1%。介绍了一种新型的双区阴极结构在W波段体效应二极管中的实现,并研制出了样品器件。采用此种结构,可以显著提高毫米波器件的输出功率和转换效率。 展开更多

关键词 体效应二极管 欧姆阴极 双区阴极 毫米波

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基于平面肖特基二极管的75~110 GHz宽带三倍频器芯片 被引量：1

16

作者 陈艳 孟范忠 +2 位作者 薛昊东 张傲 高建军 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期768-774,共7页

基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,... 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计。在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm。 展开更多

关键词 平面肖特基二极管 反向并联二极管对 倍频器设计

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高性能U波段砷化镓体效应二极管

17

作者 张晓 邓衍茂 +7 位作者 张蕾 李熙华 王海涛 刘萍 钱刚 夏丽华 杨向云 赵咏梅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期212-217,共6页

介绍了一种新型的高性能毫米波砷化镓体效应二极管,通过对材料、参数、工艺的优化与设计,较好地解决了高工作频率与高输出功率之间的矛盾,实现了器件性能的提升与突破。在U波段,最大连续波输出功率达180mW,最高转换效率约5%。

关键词 体效应管 U波段 双区阴极 热沉 低应力电镀

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基于SRR的超材料太赫兹调制器结构设计与调制深度仿真

18

作者 谭小田 周震 冯丽爽 《半导体光电》 北大核心 2017年第4期502-506,561,共6页

电磁超材料可用于构建具有控制太赫兹辐射通断功能的太赫兹强度调制器。利用COMSOL仿真软件,通过模拟仿真,研究了基于开口谐振环(SRR)"工字型"超材料太赫兹调制器关键功能结构对器件透射光谱的影响规律,并以此完成了高调制深... 电磁超材料可用于构建具有控制太赫兹辐射通断功能的太赫兹强度调制器。利用COMSOL仿真软件,通过模拟仿真,研究了基于开口谐振环(SRR)"工字型"超材料太赫兹调制器关键功能结构对器件透射光谱的影响规律,并以此完成了高调制深度器件的结构优化设计。仿真结果表明:优化后器件调制深度达到了74%。 展开更多

关键词 太赫兹 超材料 调制器 调制深度

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Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究 被引量：1

19

作者 王予晓 朱凌妮 +3 位作者 仲莉 孔金霞 刘素平 马骁宇 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期426-432,共7页

腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介... 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介质层作为扩散源,采用管式炉高温退火的方法进行Si杂质扩散诱导量子阱混杂研究。实验并分析了介质膜厚度、退火条件、量子垒材料、牺牲层材料等因素对InGaAs/GaAs(P)量子阱蓝移量的影响。实验发现,量子阱和量子垒的混杂效果随着扩散时间以及退火温度增加而增大,且对温度尤其敏感。当退火条件为780℃、10 h时,InGaAs/GaAsP结构的波长蓝移量达到70.5 nm,量子垒为GaAsP时比GaAs有更好的促进蓝移效果。相同外延结构下,InGaP牺牲层结构相比AlGaAs牺牲层有更大的波长蓝移。 展开更多

关键词 量子阱混杂 半导体激光器 腔面光学灾变损伤

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梁式引线GaAs混频二极管对 被引量：2

20

作者 周剑明 江关辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期203-210,共8页

文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对，可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒，ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜，以及合理的工艺途径。器... 文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对，可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒，ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜，以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强，可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１，结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ，正向微分电阻为３～６Ω，分布电容较小，结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ，正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中，中频带宽为４～８ＧＨｚ，混频器的变频损耗低于２０ｄＢ，本振功率为１３ｄＢｍ。 展开更多

关键词 砷化镓 梁式引线 混频 二极管对

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