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半导体器件开管扩散工艺 被引量：1
1
作者 冀海英 申伸 张文成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期136-139,共4页
使用硼铝二氧化硅乳胶源研制出反向快恢复整流二极管，其反向恢复时间ｔｒｒ≤５μｓ，反向耐压＞１０００Ｖ。介绍了该器件的结构特点及扩散工艺。
关键词 反向快恢复 整流二极管 扩散源 半导体工艺
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应用12MeV电子辐照效应制造硅p^＋nn^＋高频整流二极管
2
作者 杭德生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期48-51,共4页
介绍了应用１２ＭｅＶ电子辐照效应将Ｐ￣＋ｎｎ￣＋普通整流二极管改制成高频整流二极管的新技术。多年研究、制造结果表明，该方法与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确，ｔ＿（ｒｒ）、Ｖ＿Ｆ一致性、重复性好，高温性能明显改善，... 介绍了应用１２ＭｅＶ电子辐照效应将Ｐ￣＋ｎｎ￣＋普通整流二极管改制成高频整流二极管的新技术。多年研究、制造结果表明，该方法与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确，ｔ＿（ｒｒ）、Ｖ＿Ｆ一致性、重复性好，高温性能明显改善，合格率提高３０％以上，工艺简而易行，经济效益显著。 展开更多
关键词 电子辐照 二极管 少子寿命
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塑封硅整流器件管芯的定向化蚀工艺
3
作者 张学坤 戴古章 《半导体杂志》 1992年第4期48-49,共2页
关键词 化蚀工艺 整流器件 管芯 硅
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让整流管6Z4重放异彩：——6Z4在“胆＋石”中的应用
4
作者 张立权 《无线电与电视》 1996年第1期29-32,共4页
关键词 整流管 6Z4 CD机
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