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超大电流密度低压二极管研究 被引量：2
1
作者 张斌 张海涛 王均平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期68-72,共5页
论述了低压大电流行业所用整流二极管的超大电流密度、超低功耗设计的重要性。介绍了设计方法、工艺措施及实验结果。分析表明,只要保证基区宽度不大于小电流下的载流子扩散长度,保证足够的表面扩散浓度,就能保证二极管在1000A/cm2的特... 论述了低压大电流行业所用整流二极管的超大电流密度、超低功耗设计的重要性。介绍了设计方法、工艺措施及实验结果。分析表明,只要保证基区宽度不大于小电流下的载流子扩散长度,保证足够的表面扩散浓度,就能保证二极管在1000A/cm2的特大电流密度下仍有很低的压降。 展开更多
关键词 超大电流密度 低压二极管 低电压 整流二极管
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直流稳压电源的设计 被引量：11
2
作者 刘建 高振玲 《河北建筑工程学院学报》 CAS 2008年第4期69-71,共3页
设计一台串联型直流稳压电源,解决了正确选择整流二极管、滤波电容及集成稳压器的问题,并且掌握小功率直流稳压电源有关参数的测试方法.
关键词 直流稳压电源 整流滤波 三端集成稳压器
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对半波整流二极管中电流的讨论 被引量：3
3
作者 麻幼学 《辽东学院学报（自然科学版）》 CAS 2010年第2期133-136,共4页
文章针对有关文献采用以锯齿波电压代替半波整流电容滤波电路输出电压原本波形的方法,分析计算通过半波整流二极管中的电流,文章指出假设的锯齿波违反电路基本定理和能量守恒定律,其计算结果根本不是原电路的真实情况。文章采用另一种... 文章针对有关文献采用以锯齿波电压代替半波整流电容滤波电路输出电压原本波形的方法,分析计算通过半波整流二极管中的电流,文章指出假设的锯齿波违反电路基本定理和能量守恒定律,其计算结果根本不是原电路的真实情况。文章采用另一种近似分析方法,即以指数波代替原来的输出电压波形,推导出了计算半波整流二极管中的电流公式,且经过实际计算结果证明了该公式的正确性。 展开更多
关键词 波整流 二极管电流 分析计算
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2.45GHz微波整流电路设计 被引量：1
4
作者 商锋 郭根武 《西安邮电大学学报》 2015年第1期80-83,共4页
为了将2.45GHz微波能量转换为直流能量,采用二极管结合微带线结构设计出一个微波整流电路。用微波电路仿真软件ADS 2011对电路进行仿真及优化,其微波-直流转换效率仿真结果可以达到80%以上。对实物加工和测试,其实际转换效率可以达到65... 为了将2.45GHz微波能量转换为直流能量,采用二极管结合微带线结构设计出一个微波整流电路。用微波电路仿真软件ADS 2011对电路进行仿真及优化,其微波-直流转换效率仿真结果可以达到80%以上。对实物加工和测试,其实际转换效率可以达到65%以上。由于该整流电路具有小型化、高转换效率特点,可用于微波输能(MPT:Microwave Power Transmission)系统。 展开更多
关键词 微波整流 转换效率 微波输能
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整流滤波电压算法探讨 被引量：3
5
作者 麻幼学 《肇庆学院学报》 2010年第2期32-35,共4页
在一些文献中,采用以锯齿波代替电容滤波整流电路输出电压波形,近似计算输出电压的平均值,这种近似计算方法是错误的.因为采用锯齿波电压违背基本定律,且推导出的电压近似平均值和RLC关系表达式与部分实际关系截然相反.给出了另一种既... 在一些文献中,采用以锯齿波代替电容滤波整流电路输出电压波形,近似计算输出电压的平均值,这种近似计算方法是错误的.因为采用锯齿波电压违背基本定律,且推导出的电压近似平均值和RLC关系表达式与部分实际关系截然相反.给出了另一种既遵守基本定律又符合实际输出电压平均值的近似分析方法,并以实际计算结果证明了该方法的正确性. 展开更多
关键词 整流滤波 电压 算法
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铂扩散快恢复二极管特性的研究
6
作者 孙树梅 曾祥斌 +3 位作者 袁德成 蒋陆金 肖敏 冯亚宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期930-934,共5页
描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之... 描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性。得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500ns,VF控制在0.9～1.3V。不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因。 展开更多
关键词 铂扩散 反向恢复时间 正向压降 漏电流
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通过半波整流二极管中的电流问题 被引量：3
7
作者 高振金 《大学物理》 1999年第2期26-27,38,共3页
考虑到半波整流电容滤波电路的特点，仔细地分析了这种电路整流滤波后的电流波形，并提出了这种电路瞬时电流最大值的计算公式．
关键词 半波整流 晶体二极管 脉动波纹
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快速整流二极管的一种新结构
8
作者 彭昭廉 黄秋芝 喻建英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期28-30,共3页
介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。
关键词 整流二极管 结构 二极管
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雪崩整流二极管反向过电流能力的研究
9
作者 关艳霞 荣凡 +2 位作者 游培武 潘福泉 杨继华 《电源技术应用》 2012年第12期35-41,共7页
对雪崩整流二极管反向过电流损坏机理进行了分析，提出了在结构设计上提高反向过电流能力的措施。局部过热和双雪崩的作用是诱发器件损坏的主要原因。在结构上采用非穿通结构和尽可能提高基区掺杂浓度可提高雪崩整流二极管的反向过电流... 对雪崩整流二极管反向过电流损坏机理进行了分析，提出了在结构设计上提高反向过电流能力的措施。局部过热和双雪崩的作用是诱发器件损坏的主要原因。在结构上采用非穿通结构和尽可能提高基区掺杂浓度可提高雪崩整流二极管的反向过电流能力，理论上，双边对称突变结结构更有利于提高反向过电流能力。 展开更多
关键词 雪崩特性 二极管 反向过电流
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Si基JBS整流二极管的设计与制备 被引量：6
10
作者 王朝林 王一帆 +1 位作者 岳红菊 刘肃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期180-183,共4页
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半... 基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。 展开更多
关键词 Si基JBS整流二极管 功率肖特基二极管 蜂窝状结构 I-V特性 场限环
原文传递
微波化学反应器介质耦合窗应力计算分析与设计 被引量：4
11
作者 罗明 黄卡玛 华伟 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2768-2774,共7页
微波能量耦合窗口是微波化学反应器的关键部件,它应该尽可能小地反射微波能量以避免烧毁功率源,同时密闭反应腔体以分隔反应物与微波装置。根据多物理场耦合模型,利用有限元方法对耦合窗进行了结构应力计算和设计,分析了微波加热过程中... 微波能量耦合窗口是微波化学反应器的关键部件,它应该尽可能小地反射微波能量以避免烧毁功率源,同时密闭反应腔体以分隔反应物与微波装置。根据多物理场耦合模型,利用有限元方法对耦合窗进行了结构应力计算和设计,分析了微波加热过程中介质耦合窗的受热和热应力特点,得到了对工业应用具有参考价值的结果。提出可以通过设计适宜的介质垫片来降低窗体应力,提高可靠性。 展开更多
关键词 微波化学反应器 微波耦合窗 热应力 多物理场 有限元法
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高性能SiC整流二极管研究 被引量：2
12
作者 杨霏 商庆杰 +10 位作者 李亚丽 闫锐 默江辉 潘宏菽 李佳 刘波 冯志红 付兴昌 何庆国 蔡树军 杨克武 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第7期394-396,408,共4页
在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au... 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。 展开更多
关键词 碳化硅 击穿电压 合并p-i-n肖特基 肖特基接触 欧姆接触 场板
原文传递
半导体分立器件的失效分析及预防措施 被引量：6
13
作者 夏远飞 刘勇 《中国测试》 CAS 北大核心 2012年第6期87-90,共4页
为研究过电应力对半导体分立器件可靠性的影响,以国产ZL20螺栓形整流二极管为例,建立整流二极管基本失效率模型,揭示半导体分立器件性能和可靠性的主要影响因素,提出预防半导体分立器件失效的措施。试验结果表明:给出的ZL20螺栓形整流... 为研究过电应力对半导体分立器件可靠性的影响,以国产ZL20螺栓形整流二极管为例,建立整流二极管基本失效率模型,揭示半导体分立器件性能和可靠性的主要影响因素,提出预防半导体分立器件失效的措施。试验结果表明:给出的ZL20螺栓形整流二极管基本失效率模型反映了其失效规律,可以应用于工程实践。 展开更多
关键词 过电应力 失效分析 半导体分立器件 可靠性 模型
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整流二极管损坏的原因及应急处理
14
作者 赵令骥 《农村电气化》 1996年第2期9-9,共1页
整流二极管损坏的原因及应急处理赵令骥江西省南丰县水电局（３４４５００）１整流管损坏的原因１．１防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电... 整流二极管损坏的原因及应急处理赵令骥江西省南丰县水电局（３４４５００）１整流管损坏的原因１．１防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。１．２运行条件恶劣... 展开更多
关键词 二极管 整流二极管 故障
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电源适配器整流二极管失效分析流程及方法研究 被引量：1
15
作者 李晓茜 胡春田 安淇雨 《环境技术》 2023年第7期84-89,共6页
针对电源适配器中整流二极管失效问题,设计了失效分析方案。通过外观检查、X-Ray透视检查、温升试验及电浪涌试验、开封检查、金相切片分析等技术手段,对失效产品进行全方位检查。结合理论分析,最终确定了失效机理,并对此失效现象做出解... 针对电源适配器中整流二极管失效问题,设计了失效分析方案。通过外观检查、X-Ray透视检查、温升试验及电浪涌试验、开封检查、金相切片分析等技术手段,对失效产品进行全方位检查。结合理论分析,最终确定了失效机理,并对此失效现象做出解释,为类似产品的失效分析提供了参考。 展开更多
关键词 整流二极管 失效分析 失效机理 溶坑
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一种新型超势垒整流器
16
作者 谢刚 廖忠平 +5 位作者 李泽宏 周春华 钱梦亮 吕沛 王宇 易黎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期581-584,共4页
提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极... 提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。 展开更多
关键词 超势垒整流器 正向压降 反向恢复 可靠性
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减小汽车整流二极管反向漏电流的工艺探讨
17
作者 高玉民 朱初杨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期21-23,共3页
本文分析了汽车整流二极管反向特性差的原因,采用适当配比的HF-HNO_3混合液腐蚀的方法达到了合理的表面造型,并用液相钝化技术使二极管的反向特性得到明显改善.
关键词 整流二极管 反向漏电流 汽车 工艺
全文增补中
提高铁路信号整流继电器抗干扰能力的研究 被引量：1
18
作者 张丽范 《科技创新与应用》 2016年第15期103-103,共1页
对铁路信号整流继电器进行改进,提高整流二极管的反向耐压参数,并对改进前后的继电器特性进行测试,证明改进可有效提高了整流继电器抗雷电、浪涌电流能力。
关键词 铁路信号继电器 整流继电器 防雷
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硅整流二极管组件低温性能测试
19
作者 万理军 郭兴龙 +1 位作者 潘衡 徐风雨 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期14-16,共3页
为了验证硅整流二极管组件在低温下能否正常工作,利用电流表、温度计和数据采集卡结合LabVIEW虚拟仪器软件组建的测试系统测试了组件在284K和77K下的伏安特性。实验结果表明组件在低温下依然呈现出二极管的各项性能,可以用于超导磁铁的... 为了验证硅整流二极管组件在低温下能否正常工作,利用电流表、温度计和数据采集卡结合LabVIEW虚拟仪器软件组建的测试系统测试了组件在284K和77K下的伏安特性。实验结果表明组件在低温下依然呈现出二极管的各项性能,可以用于超导磁铁的失超保护系统。 展开更多
关键词 硅整流二极管 超导磁铁 虚拟仪器
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硅整流管表面保护材料负电晕带电特性的研究
20
作者 张峰 张少云 徐传骧 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第4期94-96,共3页
研究了负针－板电晕带电对台面型高压硅整流管管芯上保护材料的影响。负电晕的注入，使Ｓｉ－ＳｉＯ２－绝缘材料的界面等效电荷为负电荷，它引起管芯表面耗尽区的展宽。数值计算表明．电晕带电使旱面等效电荷为－１０１１ｃｍ－２范围。
关键词 表面保护材料 界面等效电荷 硅整流管
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