共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题 被引量：8

1

作者 张世林 郭维廉 +4 位作者 梁惠来 侯志娟 牛萍娟 赵振波 郭辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-333,共5页

对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对

关键词 共振隧穿二极管 RTD I-V特性 负阻伏安特性 开关时间

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纳米硅异质结二极管 被引量：5

2

作者 何宇亮 王因生 +2 位作者 桂德成 陈堂胜 顾晓春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期34-39,共6页

在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C... 在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。 展开更多

关键词 纳米硅 异质结 二极管

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由RTD/MOSFET构成的压控振荡器的设计与实现 被引量：3

3

作者 牛萍娟 王伟 +4 位作者 郭维廉 刘宏伟 杨广华 于欣 代晓光 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期487-492,共6页

提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20～26 MHz之间。RTD与三端器... 提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20～26 MHz之间。RTD与三端器件的连接方式不同可呈现不同的调制I-V特性,这种调制特性对基于RTD的振荡电路的频率也会产生影响。通过深入研究这种调制对振荡电路频率产生的影响,得到多种不同于常规方法的电压控制频率方式,其中一些具有很好的线性度。因此该电路的研究对于RTD在高频、高速振荡电路中的进一步应用具有重要意义。 展开更多

关键词 压控振荡器 共振隧穿二极管 RTD/MOSFET单元 高级设计系统

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AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究 被引量：3

4

作者 祃龙 王燕 +1 位作者 余志平 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期172-176,共5页

实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计... 实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。 展开更多

关键词 铝镓氮/氮化镓 泊松方程 薛定谔方程 自洽解 二维电子气

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共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点 被引量：2

5

作者 郭维廉 牛萍娟 +4 位作者 李晓云 谷晓 张世林 梁惠来 毛陆虹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期480-487,共8页

在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。

关键词 共振隧穿器件 共振隧穿器件集成电路技术 发展趋势 研究热点

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磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究 被引量：5

6

作者 张国宏 祁康成 +1 位作者 权祥 文永亮 《电子器件》 CAS 2011年第1期33-35,共3页

采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管。实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5mA。二极管... 采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管。实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5mA。二极管在可见光的平均透过率约为25%。 展开更多

关键词 磁控溅射NiO/ZnO 异质结二极管

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平面型RTD制作过程中的两个关键工艺 被引量：1

7

作者 陈乃金 郭维廉 +4 位作者 牛萍娟 王伟 于欣 张世林 梁惠来 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期328-332,共5页

采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻... 采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。结果表明对于所选材料,离子注入能量为130keV,剂量为4×1013/cm2,退火温度为380℃持续60s可得到特性较好的PRTD器件,该器件的制作为RTD的应用打下良好基础。 展开更多

关键词 平面型共振隧穿二极管 负阻区表观正阻 离子注入 快速合金 欧姆接触

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平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析

8

作者 王伟 牛萍娟 +2 位作者 郭维廉 于欣 胡留长 《微纳电子技术》 CAS 2007年第1期6-10,共5页

采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电... 采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。 展开更多

关键词 平面型共振隧穿二极管 离子注入 RTD/BJT串联单元 高级设计系统

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RTD／HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系

9

作者 郭维廉 牛萍娟 +5 位作者 苗长云 于欣 王伟 商跃辉 冯震 田国平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期167-171,共5页

为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电... 为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 材料结构 器件参数

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肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟

10

作者 宋瑞良 毛陆虹 +2 位作者 郭维廉 梁惠来 张世林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期290-294,共5页

使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在... 使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。 展开更多

关键词 肖特基栅共振隧穿三极管 器件模拟 单稳-双稳转换逻辑电路单元

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Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

11

作者 张桂成 程宗权 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期198-205,共8页

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70... 本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。 展开更多

关键词 双异质结 发光管 INGAASP/INP

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热电子注入AlGaAs/GaAs异质结Gunn二极管的实验研究

12

作者 陈效建 张洪治 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期175-176,共2页

利用能谷间电子转移效应的Gunn二极管问世已二十余年,至今仍是微波,尤其是毫米波领域中最主要的有源器件之一.但是传统的Gunn二极管在短毫米波范围使用时,由于载流子以“冷”态随机地进入有源区,因而存在“死区”,使短毫米波器件中有源... 利用能谷间电子转移效应的Gunn二极管问世已二十余年,至今仍是微波,尤其是毫米波领域中最主要的有源器件之一.但是传统的Gunn二极管在短毫米波范围使用时,由于载流子以“冷”态随机地进入有源区,因而存在“死区”,使短毫米波器件中有源区的利用率明显降低,造成效率下降;而且这种随机分布的“冷”电子转变为“热” 展开更多

关键词 异质结二极管 注入 ALGAAS/GAAS

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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 被引量：4

13

作者 刘学锋 王玉田 +5 位作者 刘金平 李建平 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期287-291,共5页

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏... 用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度，我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料，其反向电压为－５Ｖ时，反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２． 展开更多

关键词 P-N结 异质结二极管 GSMBE 外延生长

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CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景 被引量：2

14

作者 郭维廉 牛萍娟 +6 位作者 李晓云 刘宏伟 谷晓 毛陆虹 张世林 陈燕 王伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第8期461-469,506,共10页

在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。

关键词 CMOS工艺 多值逻辑(MVL) 共振隧穿器件(RTD) 负阻器件 逻辑电路设计 自锁特性

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共振隧穿二极管的直流变温特性 被引量：2

15

作者 管坤 谢生 +3 位作者 郭维廉 毛陆虹 张世林 王伊钿 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期428-431,478,共5页

优化设计了GaAs／InGaAs／A1As双势垒异质结构，采用台面工艺实现了RTD的器件制备，在3～350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实验结果表明，受热电子发射电流的影响，当测试温度T〉77K时，GaAs基RTD的直流特性参数随温度... 优化设计了GaAs／InGaAs／A1As双势垒异质结构，采用台面工艺实现了RTD的器件制备，在3～350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实验结果表明，受热电子发射电流的影响，当测试温度T〉77K时，GaAs基RTD的直流特性参数随温度变化显著；而当T％77K后，器件直流特性趋于饱和。基于实验数据外推的最高工作温度和极限负阻温度分别为370K和475K。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 量子效应 砷化镓 负微分电阻 温度特性

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共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立 被引量：1

16

作者 张莉莉 张世林 +3 位作者 郭维廉 毛陆虹 王伊钿 管坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期522-527,共6页

首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型，利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管（RTD）I-V特性数据拟合，建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上，针对150～350K温度范围内RTD I-V特性数据，利用Matlab软件拟合得... 首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型，利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管（RTD）I-V特性数据拟合，建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上，针对150～350K温度范围内RTD I-V特性数据，利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数，通过分析拟合参数与温度的关系，初步建立了RTD的I-V特性变温模型。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 I-V方程 拟合参数 变温模型

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基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

17

作者 王令全 王燕 +1 位作者 陈培毅 余志平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期132-135,共4页

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究。给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流一电压曲线,为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigne... 应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究。给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流一电压曲线,为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析。 展开更多

关键词 非平衡格林函数法 共振隧穿二极管 Schroedinger—Poisson方程

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基于RTD和HEMT的单稳多稳转换逻辑(MML)模拟

18

作者 李益欢 梁惠来 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期16-19,34,共5页

用 PSpice对一种由串连的 RTD和 HEMT组成的单稳多稳转换逻辑 (MML)电路进行了模拟。基于自行研制的 RTD的特性曲线提取了合适的器件模型和参数 ,分析了由输入信号调节器件的峰值电流来控制器件翻转次序从而在 MML电路中实现门函数逻辑... 用 PSpice对一种由串连的 RTD和 HEMT组成的单稳多稳转换逻辑 (MML)电路进行了模拟。基于自行研制的 RTD的特性曲线提取了合适的器件模型和参数 ,分析了由输入信号调节器件的峰值电流来控制器件翻转次序从而在 MML电路中实现门函数逻辑的原理并由模拟得以证实。 展开更多

关键词 谐振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 单稳多稳逻辑转换电路 器件建模 门函数逻辑

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安捷伦科技公司发布适用于直流和射频器件表征和建模的最新IC—CAP平台软件

19

《计算机测量与控制》 CSCD 北大核心 2011年第7期I0001-I0001,共1页

本刊讯：2011年6月22日，北京安捷伦科技公司（NYSE：A）目前宣布发布最新版本的器件建模软件平台一一集成电路表征和分析程序。

关键词 安捷伦科技公司 器件建模 平台软件 射频器件 表征 CAP IC 直流

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上海ICRD在先进器件建模中采用安捷伦模型提取和质量检验软件

20

《国外电子测量技术》 2013年第8期88-89,共2页

2013年7月11日，安捷伦科技公司宣布中国微电子行业发展的非营利性研发联盟上海集成电路研发中心（上海ICRD），

关键词 安捷伦科技公司 质量检验 器件建模 上海 软件 提取 模型 研发中心

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