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雪崩击穿特性的高压硅二极管
1
作者
项兴荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期35-37,共3页
叙述了具有雪崩击穿特性的高压二极管的设计及一次全扩散工艺概况以及实际应用的效果。
关键词
高压二极管
雪崩击穿
一次全扩散
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
雪崩击穿特性的高压硅二极管
1
作者
项兴荣
机构
天津中环半导体公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期35-37,共3页
文摘
叙述了具有雪崩击穿特性的高压二极管的设计及一次全扩散工艺概况以及实际应用的效果。
关键词
高压二极管
雪崩击穿
一次全扩散
分类号
TN313.105 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
雪崩击穿特性的高压硅二极管
项兴荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
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