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LED封装与检测实验实训平台建设 被引量：2
1
作者 宋琳琳 吴屏 杨轶 《科学技术创新》 2020年第29期172-173,共2页
半导体制造与封装技术是电子科学技术蓬勃发展的重要组成部分,也是制约我国半导体行业发展的关键技术。随着国际形式的变化和国家在半导体产业的发展战略的调整,半导体制造与封装相关的基础实验课程建设是快速落实半导体行业高技术人才... 半导体制造与封装技术是电子科学技术蓬勃发展的重要组成部分,也是制约我国半导体行业发展的关键技术。随着国际形式的变化和国家在半导体产业的发展战略的调整,半导体制造与封装相关的基础实验课程建设是快速落实半导体行业高技术人才培养方案的重要举措之一。针对目前实践教学中存在的问题,我校提出了LED封装与检测实验实训平台建设,设计了包含两种LED封装技术的多功能实验环境,同时满足教学实践、科学研究以及企业的岗位需求。 展开更多
关键词 LED封装 实训平台 实验环境
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(NH_(4))_(2)S侧壁钝化提高GaN基Micro-LEDs光电性能
2
作者 刘绍刚 徐晨超 《广东化工》 CAS 2021年第9期1-3,31,共4页
作为新一代显示技术,GaN基Micro-LEDs具有低功耗、高亮度、高分辨率和快速响应的优点。但是,侧壁缺陷引起的表面非辐射复合严重影响Micro-LEDs的发光效率。本文利用(NH_(4))_(2)S来钝化GaN微米柱侧壁,形成稳定的Ga-S取代不稳定的Ga-O和G... 作为新一代显示技术,GaN基Micro-LEDs具有低功耗、高亮度、高分辨率和快速响应的优点。但是,侧壁缺陷引起的表面非辐射复合严重影响Micro-LEDs的发光效率。本文利用(NH_(4))_(2)S来钝化GaN微米柱侧壁,形成稳定的Ga-S取代不稳定的Ga-O和Ga-OH,修复侧壁缺陷,抑制电子空穴侧壁缺陷处发生的非辐射复合。(NH4)2S钝化20分钟之后,Micro-LEDs侧壁缺陷修复效果最明显。在40mA的电流下,LOP和EQE分别提高23.89%和23.95%,能量转换效率提升明显。(NH_(4))_(2)S处理后形成的侧壁钝化层一方面可以有效减少载流子非辐射复合,另一方面有效防止氧或水蒸气在侧壁表面再次扩散发生反应,为GaN基Micro-LEDs光电性能提升提供新的方向。 展开更多
关键词 Micro-LEDs GAN 硫化铵 非辐射复合 侧壁缺陷
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