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共振隧穿二极管 被引量：8
1
作者 郭维廉 梁惠来 +8 位作者 张世林 牛萍娟 毛陆虹 赵振波 郝景臣 魏碧华 张豫黔 宋婉华 杨中月 《微纳电子技术》 CAS 2002年第5期11-15,36,共6页
设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。
关键词 共振隧穿二极管 纳米器件 量子效应 负阻特性 RTD 振荡频率
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共振隧穿二极管的设计和研制 被引量：8
2
作者 王振坤 梁惠来 +3 位作者 郭维廉 牛萍娟 赵振波 辛春艳 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期13-16,共4页
用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。
关键词 共振隧穿二极管 纳米电子器件 峰谷比 砷化镓 分子束外延
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共振隧穿二极管交流小信号模型的建立 被引量：5
3
作者 牛萍娟 郭维廉 +2 位作者 梁惠来 张世林 吴霞宛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期137-140,共4页
建立了用于电路模拟的共振隧穿二极管交流小信号模型 ,并利用 PSPICE电路模拟软件着重模拟分析了其交流特性及其微带振荡器的特性 ,模拟结果与实验数据吻合得较好 。
关键词 共振隧穿二极管 交流小信号模型 电路模拟 PSPICE软件 微带振荡器 交流钛性
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基于共振隧穿二极管的GaAs悬臂式声传感器研究 被引量：5
4
作者 张文栋 王建 +3 位作者 薛晨阳 熊继军 张斌珍 仝召民 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期2293-2296,共4页
实验研究了基于AlAs/InxGa1-xAs/GaAs共振隧穿二极管(RTD)的振荡器的压力-频率转换特性,实验结果表明:该特性具有良好的线性特征,且其线性灵敏度达到0.84kHz/MPa.利用此压力-频率转换特性,首次设计并利用微机械控制孔技术加工制作了基于... 实验研究了基于AlAs/InxGa1-xAs/GaAs共振隧穿二极管(RTD)的振荡器的压力-频率转换特性,实验结果表明:该特性具有良好的线性特征,且其线性灵敏度达到0.84kHz/MPa.利用此压力-频率转换特性,首次设计并利用微机械控制孔技术加工制作了基于RTD的GaAs基悬臂式声传感器结构,实现了RTD与GaAs基微机械加工技术的工艺集成. 展开更多
关键词 RTD振荡器 压力-频率特性 GAAS 悬臂式声传感器
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谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性 被引量：4
5
作者 牛萍娟 郭维廉 +3 位作者 梁惠来 张世林 毛陆虹 吴霞宛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1171-1175,共5页
研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管 (RTD) ,峰谷比达到了 5∶ 1,最高振荡频率为 2 6 .3GHz.采用基于物理意义的电流 -电压方程 ,利用通用电路模拟软件 PSPICE,建立了其直流电路模型 ,模拟结果和实验数据吻合得很好 ;并以此为基础模... 研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管 (RTD) ,峰谷比达到了 5∶ 1,最高振荡频率为 2 6 .3GHz.采用基于物理意义的电流 -电压方程 ,利用通用电路模拟软件 PSPICE,建立了其直流电路模型 ,模拟结果和实验数据吻合得很好 ;并以此为基础模拟出了以 RTD为驱动器 ,以电阻或 RTD本身为负载的电路双稳态特性 ,同时分析了 RTD器件双稳态特性 . 展开更多
关键词 谐振隧穿二极管 直流电路模型 双稳态特性
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量子共振隧穿二极管的频率特性与分析 被引量：2
6
作者 张世林 牛萍娟 +6 位作者 梁惠来 郭维廉 赵振波 郝景臣 王文君 周均铭 黄绮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1192-1195,共4页
用 HP8 510 C网络分析仪测量了 Al As/In Ga As/Al As共振隧穿二极管的 S参数 ,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数 ,计算出所研制器件的阻性截止频率为 54GHz。
关键词 量子共振隧穿二极管 频率特性 RTD S参数 纳米负阻器件
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CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景 被引量：2
7
作者 郭维廉 牛萍娟 +6 位作者 李晓云 刘宏伟 谷晓 毛陆虹 张世林 陈燕 王伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第8期461-469,506,共10页
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
关键词 CMOS工艺 多值逻辑(MVL) 共振隧穿器件(RTD) 负阻器件 逻辑电路设计 自锁特性
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共振隧穿二极管的开关时间特性 被引量：2
8
作者 张世林 郭维廉 +2 位作者 梁惠来 牛萍娟 王振坤 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期136-139,共4页
用HP8510(C)网络分析仪测量了A1As／InGaAs／AlAs共振隧穿二极管(RTD)的散射参数，通过曲线拟合提取了等效电路参数，估算了RTD的开关时间，通过速度指数估算的RTD上升时间最小可达21ps。
关键词 共振隧穿二极管 等效电路模型 S参数 开关时间
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基于RTD的与非门和或非门设计 被引量：6
9
作者 林弥 孙浙永 沈继忠 《科技通报》 北大核心 2004年第5期434-437,共4页
共振遂穿二极管RTD是新型的量子器件,以它为基础设计的与非门、或非门量子门电路具有结构简单、功耗低、速度快等特点,可作为基本逻辑单元实现任意RTD组合逻辑电路.
关键词 电子电路 布尔逻辑 完备集 RTD 与非 或非
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纳电子器件谐振隧道二极管的研制 被引量：2
10
作者 梁惠来 赵振波 +9 位作者 郭维廉 张世林 牛萍娟 杨中月 郝景臣 张豫黔 王文君 魏碧华 周均铭 王文新 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期91-94,共4页
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
关键词 纳米电子器件 谐振隧道二极管 砷化镓
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RTD多值逻辑电路原理与电路模拟 被引量：2
11
作者 刘宏伟 牛萍娟 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2004年第11期12-16,共5页
由共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)构成的多值逻辑(MVL)电路可以用最少的器件来完成一定的逻辑功能,达到大大简化电路的目的。共振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管属于量子器件,具有高频高速的特点,所以这一逻辑电路有... 由共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)构成的多值逻辑(MVL)电路可以用最少的器件来完成一定的逻辑功能,达到大大简化电路的目的。共振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管属于量子器件,具有高频高速的特点,所以这一逻辑电路有很好的应用前景。本文就多值逻辑电路中的几个典型电路用Pspice软件进行电路模拟,得到了与理论分析一致的模拟结果。 展开更多
关键词 多值逻辑电路 电路模拟 高电子迁移率晶体管 共振隧穿二极管 HEMT RTD PSPICE软件 逻辑功能 高频 器件
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基于共振隧穿二极管的蔡氏电路设计研究 被引量：2
12
作者 吴刚 蔡理 +1 位作者 王森 李芹 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期224-228,共5页
首次提出一种基于共振隧穿二极管的蔡氏电路。利用共振隧穿二极管(RTD)的负微分电阻特性,采用驱动点特性合成的方法,实现了蔡氏电路中的分段线性电阻,通过一组参数的选取,进而实现了蔡氏电路,并用PSpice模拟软件进行了仿真验证。相对于... 首次提出一种基于共振隧穿二极管的蔡氏电路。利用共振隧穿二极管(RTD)的负微分电阻特性,采用驱动点特性合成的方法,实现了蔡氏电路中的分段线性电阻,通过一组参数的选取,进而实现了蔡氏电路,并用PSpice模拟软件进行了仿真验证。相对于用传统方法实现的蔡氏电路,基于RTD的蔡氏电路具有电路结构更加简洁、便于集成的特点。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 分段线性电阻 蔡氏电路
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基于RT器件的数据选择器和D锁存器设计 被引量：4
13
作者 林弥 张海鹏 +1 位作者 吕伟锋 孙玲玲 《科技通报》 北大核心 2009年第1期89-92,共4页
以共振隧穿二极管(resonant tunneling diode)和三端共振隧穿器件RTD/HEMT为基本单元,设计了一个全新的1-of-2数据选择器,并以该数据选择器为核心电路,实现了基于RT器件的D锁存器,SPICE仿真结果验证了设计的正确性,为利用RT器件设计时... 以共振隧穿二极管(resonant tunneling diode)和三端共振隧穿器件RTD/HEMT为基本单元,设计了一个全新的1-of-2数据选择器,并以该数据选择器为核心电路,实现了基于RT器件的D锁存器,SPICE仿真结果验证了设计的正确性,为利用RT器件设计时序电路提供了一个简单有效的设计方法。本文所设计的电路具有量子器件的低功耗、高速等优点。 展开更多
关键词 RT器件 数据选择器 D锁存器
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改进型三值RTD量化器的设计 被引量：3
14
作者 林弥 张海鹏 吕伟锋 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2012年第2期124-128,共5页
共振隧穿二极管RTD本身所特有的负阻微分特性使其成为天然的多值器件。介绍了三值RTD和三值RTD+HEMT的伏安特性以及三值RTD量化器和开关序列的工作原理,以RTD开关序列模型为指导思想设计出改进型三值RTD量化器电路,比原电路结构简单,仿... 共振隧穿二极管RTD本身所特有的负阻微分特性使其成为天然的多值器件。介绍了三值RTD和三值RTD+HEMT的伏安特性以及三值RTD量化器和开关序列的工作原理,以RTD开关序列模型为指导思想设计出改进型三值RTD量化器电路,比原电路结构简单,仿真结果验证了设计的正确性。该设计方法不仅可以用于实现更简单和更灵活的三值RTD量化器,还能用于更高值的多值RTD逻辑电路的设计中。 展开更多
关键词 RTD 多值逻辑 量化器 开关序列
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高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析 被引量：1
15
作者 马龙 张杨 +3 位作者 戴扬 杨富华 曾一平 王良臣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期563-566,共4页
在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.
关键词 共振隧穿二极管 峰-谷电流比 电流-电压特性 器件模拟
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硅基隧穿二极管 被引量：2
16
作者 陈培毅 熊晨荣 王燕 《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期1-6,共6页
隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-V)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能。在最近的研究中,空穴型双势垒单势阱共振隧穿二极管得到了实现,为Si1-xGex/Si异质结隧穿二极... 隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-V)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能。在最近的研究中,空穴型双势垒单势阱共振隧穿二极管得到了实现,为Si1-xGex/Si异质结隧穿二极管器件的改进和电路应用打下了良好的基础。 展开更多
关键词 隧穿二极管 异质结 负微分电阻 异质结构量子器件
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利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件 被引量：2
17
作者 韩春林 邹鹏辉 +4 位作者 高建峰 薛舫时 张政 耿涛 陈辰 《中国电子科学研究院学报》 2009年第5期516-518,共3页
优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰... 优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。 展开更多
关键词 共振遂穿二极管 电子束光刻 空气桥
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用变温法测量RTD串联电阻 被引量：1
18
作者 宋瑞良 毛陆虹 +4 位作者 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期83-87,共5页
用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面... 用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面积的RTD器件,经测量发现,发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响。对其产生原因进行了详细的分析,为RTD在高频电路中的应用奠定了基础。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 串联电阻 变温法
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InP基谐振隧穿二极管的研究 被引量：1
19
作者 李亚丽 张雄文 +2 位作者 冯震 周瑞 张志国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期141-143,共3页
谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行... 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。 展开更多
关键词 谐振隧穿二极管 电流峰谷比 铟磷基外延材料
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基于1-of-2共振隧穿数据选择器的可置位复位D触发器设计 被引量：1
20
作者 林弥 张海鹏 +1 位作者 孙玲玲 吕伟锋 《电子器件》 CAS 2009年第3期649-652,共4页
文章以共振隧穿RT器件为主要器件,设计了上边沿触发的共振隧穿D触发器。该触发器以1-of-2共振隧穿数据选择器为核心电路,带预先置位和复位功能。此共振隧穿数据选择器电路的设计方法还能用于实现其他触发器电路,为采用基于RT器件设计触... 文章以共振隧穿RT器件为主要器件,设计了上边沿触发的共振隧穿D触发器。该触发器以1-of-2共振隧穿数据选择器为核心电路,带预先置位和复位功能。此共振隧穿数据选择器电路的设计方法还能用于实现其他触发器电路,为采用基于RT器件设计触发器电路提供了一种新的并且有效简单的方法,弥补了共振隧穿电路中只能用MOBILE单元来设计时序电路的单一性,丰富了量子电路中触发器的类型。 展开更多
关键词 共振隧穿 D触发器 数据选择器 置位 复位
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