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MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED
被引量：
9
1
作者
李忠辉
杨志坚
+7 位作者
于彤军
胡晓东
杨华
陆曙
任谦
金春来
章蓓
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期107-109,共3页
利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。
关键词
INGAN
量子阱
紫光LED
MOCVD
发光二极管
外延生长
镓铟化合物
氮化镓
GaN
在线阅读
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职称材料
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
2
作者
王东盛
郭文平
+8 位作者
张克雄
梁红伟
宋世巍
杨德超
申人升
柳阳
夏晓川
骆英民
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期225-229,共5页
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%...
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。
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关键词
金属有机物化学气相沉积
紫光发光二极管
GAN发光二极管
电子阻挡层
超晶格
在线阅读
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职称材料
紫光LED验钞器套件的使用
3
作者
张军
《无线电》
2013年第3期86-86,共1页
熟悉紫光发光二极管的使用；了解验钞原理；在专用印制板上练习焊接技术；练习设计外壳（适合于通用技术教学）。
关键词
紫光LED
验钞器
套件
焊接技术
发光二极管
印制板
练习
原文传递
题名
MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED
被引量：
9
1
作者
李忠辉
杨志坚
于彤军
胡晓东
杨华
陆曙
任谦
金春来
章蓓
张国义
机构
北京大学物理学院
北京大学宽禁带半导体研究中心
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期107-109,共3页
基金
国家自然科学基金 ( 6 0 2 76 0 10 )
国家 86 3计划 ( 2 0 0 1AA3130 6 0
+1 种基金
2 0 0 1AA313110
2 0 0 1AA31314 0 )资助项目
文摘
利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。
关键词
INGAN
量子阱
紫光LED
MOCVD
发光二极管
外延生长
镓铟化合物
氮化镓
GaN
Keywords
InGaN
quantum well
violet LED
MOCVD
分类号
TN312.08 [电子电信—物理电子学]
O472.31 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
2
作者
王东盛
郭文平
张克雄
梁红伟
宋世巍
杨德超
申人升
柳阳
夏晓川
骆英民
杜国同
机构
大连理工大学物理与光电学院
江苏新广联科技股份有限公司
中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期225-229,共5页
文摘
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。
关键词
金属有机物化学气相沉积
紫光发光二极管
GAN发光二极管
电子阻挡层
超晶格
Keywords
metal organic chemical vapor deposition
violet light emitting diodes
GaN light emitting diodes
electron blocking layer
super lattice
分类号
TN312.08 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
紫光LED验钞器套件的使用
3
作者
张军
出处
《无线电》
2013年第3期86-86,共1页
文摘
熟悉紫光发光二极管的使用；了解验钞原理；在专用印制板上练习焊接技术；练习设计外壳（适合于通用技术教学）。
关键词
紫光LED
验钞器
套件
焊接技术
发光二极管
印制板
练习
分类号
TN312.08 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED
李忠辉
杨志坚
于彤军
胡晓东
杨华
陆曙
任谦
金春来
章蓓
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
9
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
王东盛
郭文平
张克雄
梁红伟
宋世巍
杨德超
申人升
柳阳
夏晓川
骆英民
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
紫光LED验钞器套件的使用
张军
《无线电》
2013
0
原文传递
已选择
0
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