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题名PbTiO_3薄膜的热释电性和铁电性研究
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作者
吴隆仕
邝安祥
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机构
湖北大学物理系
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出处
《湖北大学学报（自然科学版）》
CAS
1990年第3期204-210,共7页
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文摘
采用Sol—Gel工艺制备了较大面积不裂的PbTiO_3薄膜,对样品做了不同烧结温度下的X射线衍射实验,经550℃保温30min的样品已形成了单一晶相的PbTiO_3多晶膜。对样品的热释电系数随温度、薄膜厚度和胶液浓度的变化关系研究,发现热释电系数随胶液浓度和薄膜厚度的增加而增大,最后达到饱和。样品的室温热释电系数为3.6×10^(-8)C/cm^2·K,介电常数为15～26,介电损耗为0.001—0.05,居里温度为515℃,自发极化强度和剩余极化强度分别为6.54μc/cm^2和3.37μc/cm^2,矫顽场强为54.8kV/cm。
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关键词
PBTIO3
薄膜
Sol-Gel工艺
铁电性
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Keywords
Sol -Gel process,PbTiO_3,Film.
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分类号
TN312.05
[电子电信—物理电子学]
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