阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响

1

作者 吴志勇 马群 +4 位作者 王良臣 李晋闽 王军喜 刘志强 伊晓燕 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期86-91,共6页

在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻... 在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻,在300℃退火后,阳极界面态密度降低,金属半接触均匀性增加,器件的开启电压和比导通电阻分别降低12.1%和13.2%,阳极界面态密度降低,反向3 V下的漏电流密度降低近一个数量级,击穿电压从89 V提高到97 V;随着退火温度的上升,器件肖特基特性逐渐减弱。综合结果表明300℃阳极退火能够有效改善Co阳极GaN SBD的性能。 展开更多

关键词 肖特基二极管 阳极退火 氮化镓 准垂直

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GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文) 被引量：1

2

作者 储开慧 张文静 +1 位作者 许金通 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期161-166,共6页

研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器... 研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用. 展开更多

关键词 电容-电压特性 肖特基器件 GAN基材料

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退火对TiO_2薄膜的结构及电学性能的影响 被引量：2

3

作者 罗希 胡志宇 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第4期205-208,共4页

以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行分析。退火后的TiO_2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构。在此薄膜工艺条件下,以TiO_2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO_2/Pt肖特基... 以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行分析。退火后的TiO_2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构。在此薄膜工艺条件下,以TiO_2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO_2/Pt肖特基二极管,并在153~433K范围内对其进行I-V测试。结果表明：在所有温度下,Al/TiO_2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流效应;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433K下,理想因子为1.31,势垒高度0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管。 展开更多

关键词 退火 TIO2薄膜 肖特基二极管

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快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

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作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 王雅欣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期582-586,共5页

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/... 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。 展开更多

关键词 变温I-V测试 肖特基结 快热退火 理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性

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未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究

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作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 张建民 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期763-765,769,共4页

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.1... 在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K～332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。 展开更多

关键词 SIGE 变温I-V测试 肖特基结 理想因子

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6H-SiC Schottky二极管的正向特性

6

作者 尚也淳 刘忠立 王姝睿 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期504-509,共6页

提出了一种考虑 Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的 Si C Schottky二极管 ( SBD)正向特性模型 ,势垒的不均匀性来自于 Si C外延层上的各种缺陷 ,而界面层上的压降会使正向 Schottky结的有效势垒增高 .该模型能够对不同温度下 Si C S... 提出了一种考虑 Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的 Si C Schottky二极管 ( SBD)正向特性模型 ,势垒的不均匀性来自于 Si C外延层上的各种缺陷 ,而界面层上的压降会使正向 Schottky结的有效势垒增高 .该模型能够对不同温度下 Si C Schottky结正向特性很好地进行模拟 ,模拟结果和测量数据相符 .它更适用于考虑器件温度变化的场合 ,从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系 . 展开更多

关键词 Schottky结 势垒不均匀性 界面层 二极管 正向特性 6H-SIC

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基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

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作者 马奎 杨发顺 傅兴华 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期134-139,共6页

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压... 在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。 展开更多

关键词 击穿电压 导通电阻 肖特基势垒二极管 超结

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外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响

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作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 马兴兵 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期68-70,共3页

采用直流离子束溅射法，在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱（AEs）测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0．15。对薄膜进行高温磷扩散后，经XRD测试为多晶态，即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的C... 采用直流离子束溅射法，在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱（AEs）测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0．15。对薄膜进行高温磷扩散后，经XRD测试为多晶态，即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜，做成Co／n—poly—Si0.85Ge0.15肖特基结样品。在90～332K范围对未退火样品做I-V-T测试。研究发现，随着外加偏压增大，表观理想因子缓慢上升，肖特基势垒高度（SBH）下降。基于SBH的不均匀分布建模，得到了二者近似为线性负相关的结论。 展开更多

关键词 变温I—V测试 外加偏压 肖特基结 表观理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性

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金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究

9

作者 王光伟 李林青 《真空》 CAS 2013年第5期17-20,共4页

用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅... 用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅射Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al、Co膜,做成金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结。利用I-V测试数据进行接触参数的提取,从而定量研究金属的功函数、金属膜厚以及快热退火温度对肖特基接触特性的影响。结果发现,肖特基势垒高度(SBH)与金属的功函数有微弱的正相关,Al/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触存在Shannon效应,金属膜厚对Co/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触特性有不同的影响,随快热退火温度的升高,Ni、V、W、Co、Cu、Pt、Ti、Al八种金属在n-poly-Si0.83Ge0.17上的肖特基势垒高度和理想因子未见有一致的变化规律,但存在不均匀性。 展开更多

关键词 I-V测试 肖特基势垒高度 表观理想因子 肖特基接触的不均匀性

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肖特基接触的机理及不均匀性研究

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作者 王光伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期531-536,541,共7页

对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低。通过实验,研究了金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结的I-V-T特性,得到了势垒高... 对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低。通过实验,研究了金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结的I-V-T特性,得到了势垒高度及影响因子与测试温度和外加偏压的依赖关系。研究发现:随着测试温度升高,表观理想因子变小,肖特基势垒高度变大;外加偏压增大,表观势垒高度和理想因子均变大。基于肖特基接触的不均匀性进行建模,得到了退火样品的表观势垒高度和理想因子近似为线性负相关的结论。 展开更多

关键词 肖特基结 变温^矿测试 外加偏压 表观理想因子 肖特基接触的不均匀性

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耐250°C高温的1200V-5A 4H-SiC JBS二极管 被引量：6

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作者 倪炜江 李宇柱 +3 位作者 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期478-480,549,共4页

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250°C下依旧能正常工作... 采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250°C下依旧能正常工作。研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600V硅快恢复二极管(Fastrecovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%。这是国内首次报道的250°C高温下正常工作的碳化硅JBS二极管。 展开更多

关键词 4H碳化硅 结势垒肖特基二极管 快恢复二极管

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600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究 被引量：4

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作者 李宇柱 倪炜江 +3 位作者 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期292-296,共5页

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃... 采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。 展开更多

关键词 4H碳化硅 肖特基二极管 快恢复二极管 软度

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大电流金刚石功率肖特基势垒二极管

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作者 郁鑫鑫 王若铮 +4 位作者 谯兵 李忠辉 沈睿 周建军 周立坤 《真空电子技术》 2024年第5期59-63,共5页

基于硼掺杂金刚石外延材料,开展了安培级大电流金刚石功率肖特基势垒二极管(SBD)的研制。为了获得高的电流导通能力和击穿电压,该器件采用了垂直结构设计,包含300μm厚的硼重掺杂金刚石衬底和2.5μm厚的轻掺杂漂移层。采用低功函数金属T... 基于硼掺杂金刚石外延材料,开展了安培级大电流金刚石功率肖特基势垒二极管(SBD)的研制。为了获得高的电流导通能力和击穿电压,该器件采用了垂直结构设计,包含300μm厚的硼重掺杂金刚石衬底和2.5μm厚的轻掺杂漂移层。采用低功函数金属Ti与p型金刚石形成了良好的肖特基接触,肖特基势垒高度1.23 eV,理想因子1.54,并在肖特基电极边缘进行了硼离子注入以抑制边缘电场。研制的金刚石功率SBD正向导通电流高达1 A,反向击穿电压653 V,巴利加优值(Baliga's Figure Of Merit,BFOM)达到了20.1 MW/cm^(2)。 展开更多

关键词 金刚石 硼掺杂 肖特基势垒二极管 导通电流 击穿电压

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AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展 被引量：5

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作者 康玄武 郑英奎 +6 位作者 王鑫华 黄森 魏珂 吴昊 孙跃 赵志波 刘新宇 《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期44-52,共9页

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用... 氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法。最后,对器件的未来发展进行了展望。 展开更多

关键词 氮化镓(GaN) ALGAN/GAN异质结 肖特基二极管(SBD)

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高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究 被引量：3

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作者 郁鑫鑫 周建军 +4 位作者 王艳丰 邱风 孔月婵 王宏兴 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期77-80,85,共5页

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧... 报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10^(-5)Ω·cm^2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm^2,比导通电阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×10^(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。 展开更多

关键词 金刚石 肖特基二极管 高电流密度

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SiC电力电子技术综述 被引量：6

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作者 李宇柱 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期213-217,262,共6页

与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高。回顾了SiC电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件所面对的技术问题。笔... 与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高。回顾了SiC电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件所面对的技术问题。笔者认为SiC JBS二极管和MOSFET将成为SiC的主流器件,将在今后十年内获得长足的发展。 展开更多

关键词 4H—SiC 电力电子器件

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AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究

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作者 李菲 吕长志 +3 位作者 段毅 张小玲 李颖 张志国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期482-485,共4页

研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、... 研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、隧穿效应及复合电流效应等机制。而AlGaN/GaN异质结SBD由于受到压电极化场和2DEG和的影响,其势垒高度和理想因子随温度的变化趋势与AlGaN SBD相反。实验结果还显示,AlGaN/GaN异质结SBD的反向电流随着温度的上升,呈现先增大后减小的趋势。 展开更多

关键词 肖特基二极管 肖特基势垒高度 理想因子 温度 二维电子气

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Si肖特基二极管直流及高频建模

18

作者 刘江宜 唐杨 +1 位作者 王丁 王燕 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第1期6-10,共5页

采用分段提参的方法,针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi_2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应,也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时,在直流特性基础上特别考虑了衬底以及金属寄... 采用分段提参的方法,针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi_2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应,也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时,在直流特性基础上特别考虑了衬底以及金属寄生效应的影响。该模型直流拟合误差为1.26%,高频时在整个测试频段(1 GHz^67 GHz)内电阻、电容拟合误差分别为3.16%和2.25%。据我们所知,这是首次针对CoSi_2-Si肖特基二极管建立完整模型,考虑直流及高频特性并给出了相应的提参步骤。 展开更多

关键词 肖特基二极管 直流及高频特性 分段提参 寄生效应

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自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究

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作者 牟文杰 赵琳娜 +4 位作者 翟阳 朱培敏 陈雷雷 闫大为 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期168-171,181,共5页

在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在... 在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显著的温度和电压依赖特性,且ln(I)-E^(1/2)数据满足较好线性规律,这表明肖特基效应的电子热发射机制应占主导;而在更高的反向偏压下,电流逐渐变成温度的弱函数,且数据遵循ln(I/E^2)-1/E线性依赖关系,该行为与Fowler-Nordheim隧穿特性一致。 展开更多

关键词 体衬底氮化镓 肖特基二极管 肖特基效应 Fowler-Nordheim隧穿

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Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析

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作者 蒋葳 刘云飞 尹海洲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期245-248,201,共5页

随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅... 随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。 展开更多

关键词 镍硅化物 肖特基接触 势垒高度 界面态

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