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超晶格自生成工艺推动蓝光二极管进程
1
作者
林立
《世界电子元器件》
1997年第6期68-69,共2页
Notre Dame大学电子工程分部的研究人员一次偶然的发现有可能谱写一种新的技术标准:一种制造激光二极管和其它先进混合式半导体器件的新标准。 其中的两位研究人员已经推导出一条构造自然超点阵形态材料的捷径,完全摒弃原来那种需费九...
Notre Dame大学电子工程分部的研究人员一次偶然的发现有可能谱写一种新的技术标准:一种制造激光二极管和其它先进混合式半导体器件的新标准。 其中的两位研究人员已经推导出一条构造自然超点阵形态材料的捷径,完全摒弃原来那种需费九牛二虎之力的延伸式沉积法。利用这种技术Se(硒)和Te(碲)原子可在Zi衬底上周期性形成层状结构。
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关键词
超晶格
自生成工艺
蓝光二极管
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职称材料
题名
超晶格自生成工艺推动蓝光二极管进程
1
作者
林立
出处
《世界电子元器件》
1997年第6期68-69,共2页
文摘
Notre Dame大学电子工程分部的研究人员一次偶然的发现有可能谱写一种新的技术标准:一种制造激光二极管和其它先进混合式半导体器件的新标准。 其中的两位研究人员已经推导出一条构造自然超点阵形态材料的捷径,完全摒弃原来那种需费九牛二虎之力的延伸式沉积法。利用这种技术Se(硒)和Te(碲)原子可在Zi衬底上周期性形成层状结构。
关键词
超晶格
自生成工艺
蓝光二极管
分类号
TN310.51 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
超晶格自生成工艺推动蓝光二极管进程
林立
《世界电子元器件》
1997
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