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DCM02型数控恒流器件的设计分析 被引量:3
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作者 盛法生 范雅俊 吕品桢 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1997年第2期125-132,共8页
本文介绍一种具有D/A转换功能的恒流电路模块,从理论上讨论了器件的设计思想和性能,并研制成功.其性能测试表明,该模块是一种输出电流范围宽、稳定性好的恒流器件.
关键词 恒流器件 数控恒流器件 数模转换 恒流二级管
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无箔二极管研究中的几个问题
2
作者 夏慧琴 陈德智 +3 位作者 屈秀文 杨治规 刘炳琮 刘国治 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期16-19,23,共5页
探索了无箔二极管设计与计算中遇到的几个关键问题 :( 1)阴极杆损失 ;( 2 )近阴极区束流计算模型 ;( 3)空间电荷密度的计算 .理论研究表明 ,只要存在垂直于阴极杆表面的磁场分量 ,阴极杆损失就是不可避免的 .对近阴极计算的小平板二极... 探索了无箔二极管设计与计算中遇到的几个关键问题 :( 1)阴极杆损失 ;( 2 )近阴极区束流计算模型 ;( 3)空间电荷密度的计算 .理论研究表明 ,只要存在垂直于阴极杆表面的磁场分量 ,阴极杆损失就是不可避免的 .对近阴极计算的小平板二极管模型和卡诺短枪理论进行了讨论 ,指出研究无箔二极管宜采用卡诺短枪理论 .采用Weber模型计算空间电荷密度 ,取得了良好的效果 .以上研究的结论已直接应用于无箔二极管的研制工作中 . 展开更多
关键词 无箔二极管 阴极杆损失 空间电荷密度
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二极管的计算机辅助设计
3
作者 高玉民 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第2期4-7,共4页
本文以PIN 二极管为例,采用一维模型,用数值分析方法计算了二极管的正、反向J-V 特性,并与用解析表达式计算的结果进行比较,揭示了以往器件设计中的局限性,同时还提出了此方法在器件设计与制造中的应用前景.
关键词 二极管 CAD 计算机
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半导体放电管的短路点设计
4
作者 詹娟 《电子器件》 CAS 1997年第2期45-48,共4页
本文主要讨论了电话系统抗电涌防护装置中半导体放电管的阴极短路点设计方法。
关键词 阴极短路点 设计 半导体放电管
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二极管的计算机辅助设计 被引量:2
5
作者 高玉民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期18-22,共5页
本文以P-I-N二极管为例,采用一维模型,用数值分析方法计算了二极管的正、反向J-V特性.并与用解析表达式的计算结果进行比较,揭示了以往器件没计中的局限性.同时还提出了这种方法在器件制造中的应用前景.
关键词 二极管 计算机 辅助设计 CAD
全文增补中
发光二极管自动封装机注胶系统的控制 被引量:6
6
作者 李健志 童晖 +1 位作者 宋长钰 王建成 《电子工业专用设备》 2004年第1期43-45,共3页
主要介绍了一种新型发光二极管(LED)自动封装机注胶系统的工作原理以及应用可编程控制器(PLC)和位控单元对其进行自动化的控制。该注胶系统具有操作方便、重复性好、注胶精度高,均匀性好,运行可靠等特点。
关键词 LED 封装 注胶系统 可编程控制器 位控单元
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变容二极管调谐体效应振荡器的 CAD
7
作者 顾凯钧 王蕴仪 《微波学报》 CSCD 北大核心 1991年第3期9-14,共6页
本文建立了一种新的 Gunn VCO 的电路模型,计算了 Gunn 管和变容二极管之间的径向盘耦合电容。首次利用谐波平衡法对 Gunn VCO 进行了非线性分析,设计并制作了一 Ka 波段混合集成 Gunn VCO,实验结果与 CAD 结果进行了比较,证明了该种电... 本文建立了一种新的 Gunn VCO 的电路模型,计算了 Gunn 管和变容二极管之间的径向盘耦合电容。首次利用谐波平衡法对 Gunn VCO 进行了非线性分析,设计并制作了一 Ka 波段混合集成 Gunn VCO,实验结果与 CAD 结果进行了比较,证明了该种电路模型与分析方法的有效性。此外利用该分析程序研究了Gunn 管和变容二极管之间的耦合与调谐带宽的关系。在分析的基础上,利用线性拟合误差函数作为 Gunn VCO 频率调谐线性度的优化目标函数,对 VCO 的频率调谐特性进行了优化,确定了此种电路在最佳线性调谐时 PN 结幂指数γ的值,从而在理论上对满足线性调谐的变容二极管提出了要求。 展开更多
关键词 二极管 调谐 振荡器 CAD 电路模型
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ISV86 Schottky二极管结半径与反向漏电之间的关系
8
作者 黄英 《微电子技术》 1996年第6期24-28,共5页
本文介绍了ISV86Schottky二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Schottky终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因,推算了无保护环Schottky二极管(USDB)终端结半径与其Ⅰ─Ⅴ特性的数学关系。然后利用这些数学表达式进... 本文介绍了ISV86Schottky二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Schottky终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因,推算了无保护环Schottky二极管(USDB)终端结半径与其Ⅰ─Ⅴ特性的数学关系。然后利用这些数学表达式进行了模拟。模拟结论有效地指导了ISV86的开发,使ISV86电性能在满足国外同类产品要求的同时,反向漏电降低了一个数量级。 展开更多
关键词 终端结 ISV86 反向漏电 二极管
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二极管等效电路的较准确画法
9
作者 陈景谦 《电工技术》 1990年第1期34-35,共2页
列举了根据二极管伏安特性曲线,绘制出较准确的二极管等效电路的实例。
关键词 二极管 等效电路 设计
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