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高光密度LED光源模组研发与技术创新
1
作者 贾辰宇 《计算机应用文摘》 2026年第1期208-210,共3页
为优化传统LED芯片及封装产业链,文章基于高光密度纳米增透倒装LED芯片级封装模组研发项目提出一种自主创新倒装芯片与纳米增透芯片级封装(Chip-Scale Package,CSP)封装相结合的技术方案。采用倒装结构替代传统正装结构,并引入高反射率... 为优化传统LED芯片及封装产业链,文章基于高光密度纳米增透倒装LED芯片级封装模组研发项目提出一种自主创新倒装芯片与纳米增透芯片级封装(Chip-Scale Package,CSP)封装相结合的技术方案。采用倒装结构替代传统正装结构,并引入高反射率银镜以提升芯片出光效率;以CSP封装取代COB封装,突破光源间距受限的问题;在芯片端以荧光陶瓷替代传统荧光粉,使模组在150℃高温条件下仍能保持较高的荧光转换效率。该技术方案可有效提升光源性能,推动LED产业由价格驱动向技术驱动的高质量发展转变。 展开更多
关键词 LED芯片 倒装结构 纳米压印技术 CSP封装技术
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共取代策略增强NaLaCaTeO_(6):Eu^(3+)的发光性能及在白光发光二极管中的应用 被引量：2
2
作者 赵兵 茹晶晶 +1 位作者 郭飞云 郭诗莹 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第2期257-266,共10页
高效和热稳定的红色荧光粉能够有效改善荧光粉转换型白光发光二极管的性能。采用高温固相反应法制备了一系列新型的NaLaCaTeO_(6):x Eu^(3+)荧光粉。在395 nm激发下,NaLaCaTeO_(6):Eu^(3+)样品呈现出Eu^(3+)的特征跃迁峰。通过[Na^(+)-L... 高效和热稳定的红色荧光粉能够有效改善荧光粉转换型白光发光二极管的性能。采用高温固相反应法制备了一系列新型的NaLaCaTeO_(6):x Eu^(3+)荧光粉。在395 nm激发下,NaLaCaTeO_(6):Eu^(3+)样品呈现出Eu^(3+)的特征跃迁峰。通过[Na^(+)-La^(3+)]取代[Ca^(2+)-Ca^(2+)]离子对的共取代策略,NaLaCaTeO_(6)中Eu^(3+)的最佳掺杂浓度提高至60%(摩尔分数),该荧光粉的色纯度和内量子效率分别高达99.87%和67.6%。另外,该荧光粉的发光强度和热稳定性比取代前的Ca_(3)TeO_(6):0.2Eu^(3+)样品也有明显提升,在420 K时的发射强度仍保持在300 K时的91.7%。所制备的白光LED显色指数R_(a)为80.6,CIE色度坐标为(0.3176,0.3340),表明所制备的NaLaCaTeO_(6):0.6Eu^(3+)红色荧光粉在固态照明中具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 共取代 发光 荧光粉 热稳定性
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用于LED照明产品寿命预测的结温测试 被引量：1
3
作者 武德起 于宾 +2 位作者 赵南南 李卫庭 楚晓杏 《河北大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期148-156,共9页
LED照明产品的使用寿命已经达到数万小时,如何加速测试LED照明产品的预测寿命成为当下的研究热点.温度应力法预测LED照明产品的寿命预期接受度高,有望成为理想的加速寿命测试方法,然而,在该方法中与样品预测寿命密切相关的结温测试一直... LED照明产品的使用寿命已经达到数万小时,如何加速测试LED照明产品的预测寿命成为当下的研究热点.温度应力法预测LED照明产品的寿命预期接受度高,有望成为理想的加速寿命测试方法,然而,在该方法中与样品预测寿命密切相关的结温测试一直以来没有很好的解决办法.介绍了一种结电压变化法间接测量结温的方法,并对测试误差可能造成的预测寿命影响作了详尽的推算分析. 展开更多
关键词 结温 结电压 温度应力 加速寿命测试 温度系数
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低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
4
作者 宋昱杉 陈浩 +7 位作者 李松 杨明超 杨松泉 杨森 周磊簜 耿莉 郝跃 欧阳晓平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1574-1583,共10页
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MP... 先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MPa的N_(2)O流体,对暴露在空气环境中导致电学性能退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBDs)进行处理,通过电流-电压和电容-电压特性表征,探究低温超临界流体(SCF)处理前、后电学性能退化的SBDs器件导通特性和击穿特性的变化机理。研究结果表明:经SCF处理的SBDs正向饱和电流密度的升高伴随着体电子陷阱的减少和串联电阻的降低;肖特基势垒高度的提高和耗尽层的展宽有效抑制了电子隧穿,进而导致了漏电流的减小。此外,研究表明,退化后的Ni/β-Ga_(2)O_(3)SBDs的金半接触界面态密度未受到SCF处理的显著影响,具有大时间常数的界面缺陷也未对肖特基势垒高度产生明显影响。本研究为低温超临界流体工艺在优化β-Ga_(2)O_(3)基器件性能方面的应用提供了重要的实验依据和理论支持。 展开更多
关键词 低温超临界流体工艺 超宽禁带半导体 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管 界面态密度 电学性能
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大型标定场紧凑曲面阵列光源设计及仿真分析
5
作者 卢纯青 李晨阳 +3 位作者 段俊法 刘鲁 王嘉珺 龚德铸 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第10期297-306,共10页
在精密视觉测量系统中,标定是保证测量精度的首要环节。常规标定方法要求相机采集大型标定场的图像,因此需要提供稳定、均匀的照明环境。通常,长距离、大范围的均匀照明需依赖大型LED阵列实现,然而在航天应用场景下,受限于安装空间和散... 在精密视觉测量系统中,标定是保证测量精度的首要环节。常规标定方法要求相机采集大型标定场的图像,因此需要提供稳定、均匀的照明环境。通常,长距离、大范围的均匀照明需依赖大型LED阵列实现,然而在航天应用场景下,受限于安装空间和散热要求,光源设计面临严苛挑战。针对某型号双目相机标定过程中对照明光源的需求,提出一种紧凑型弧面LED阵列光源方案。首先基于非成像光学理论,利用LightTools对不同LED阵列方式和灯珠指向进行优化分析,设计得到了一款内径为75 mm、外径为110 mm的弧面环形光源,采用内、中、外三层阵列布置方式,每层阵列灯珠指向角分别为0°、30°和38°。仿真结果表明,在距离光源4 m处,对直径5.6 m圆形区域内靶标场的照明均匀度达到91.2%,达到了设计要求。针对大功率光源的散热难题和散热设备无振动的需求,设计了散热鳍片与支撑结构的一体化自然对流散热方案。建立温场模型并在22~30℃环境温度下进行有限元仿真,结果表明,光源工作温升可控制在6.5℃以内,能够确保LED灯珠的可靠运行。 展开更多
关键词 光学设计 照明设计 LED环形阵列 照明叠加理论
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准二维钙钛矿相分布调控及其蓝光发光二极管
6
作者 陈月花 向勋勋 +1 位作者 蒋劲舟 张新稳 《发光学报》 北大核心 2025年第12期2325-2333,共9页
准二维钙钛矿因其多量子阱结构、优异的薄膜表面形貌和高发光量子效率而被用于构筑高效率的钙钛矿发光二极管(PeLEDs),在显示和照明领域具有广阔的应用前景。由于准二维钙钛矿中大量小n相引起的非辐射复合,蓝光PeLED面临能量传递效率低... 准二维钙钛矿因其多量子阱结构、优异的薄膜表面形貌和高发光量子效率而被用于构筑高效率的钙钛矿发光二极管(PeLEDs),在显示和照明领域具有广阔的应用前景。由于准二维钙钛矿中大量小n相引起的非辐射复合,蓝光PeLED面临能量传递效率低和发射光谱不稳定等问题,其性能尚滞后于红、绿光器件。本文通过在空穴传输层中引入聚(4-苯乙烯磺酸钠)和氯化铯影响钙钛矿的成核和生长过程,调控其相分布,有效抑制了钙钛矿中的小n相组分,提高了能量传递效率,同时降低了陷阱态密度,非辐射复合被显著抑制。此外,氯离子扩散到钙钛矿层中通过离子交换调谐钙钛矿薄膜蓝光发射。优化后的蓝光PeLED器件发射光谱位于488 nm,最大亮度达到2772 cd/m^(2),最大外量子效率为4.9%。该工作为实现高效且光谱稳定的蓝光PeLED提供了一种有效的方法。 展开更多
关键词 蓝光钙钛矿发光二极管 准二维钙钛矿 相分布调控 空穴传输层
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SPAD关键参数及淬灭电路设计综述
7
作者 刘通 陈玉婷 +2 位作者 程江华 蔡亚辉 程榜 《半导体光电》 北大核心 2025年第1期1-9,共9页
单光子雪崩二极管(Single-Photon Avalanche Diode,SPAD)是一种能够在低照度甚至单光子条件下实现光电探测的器件。凭借其体积小、易集成、灵敏度高及抗电磁干扰等优势,SPAD近年来在激光雷达探测、生物荧光寿命成像、光谱分析和量子通... 单光子雪崩二极管(Single-Photon Avalanche Diode,SPAD)是一种能够在低照度甚至单光子条件下实现光电探测的器件。凭借其体积小、易集成、灵敏度高及抗电磁干扰等优势,SPAD近年来在激光雷达探测、生物荧光寿命成像、光谱分析和量子通信等领域得到广泛的应用。文章首先介绍SPAD的工作原理、器件结构设计及其发展历程;接着针对光电探测应用,探讨SPAD设计与制造过程中需要关注的关键参数及其形成原理;最后分类介绍用于SPAD雪崩淬灭的淬灭电路设计方法。 展开更多
关键词 单光子探测器 单光子雪崩二极管 光电探测 淬灭电路
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高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究 被引量：3
8
作者 郁鑫鑫 周建军 +4 位作者 王艳丰 邱风 孔月婵 王宏兴 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期77-80,85,共5页
报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧... 报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10^(-5)Ω·cm^2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm^2,比导通电阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×10^(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。 展开更多
关键词 金刚石 肖特基二极管 高电流密度
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基于GaAs PIN二极管工艺的宽带单刀四掷开关芯片设计研究
9
作者 白元亮 默立冬 +2 位作者 刘永强 朱思成 周鑫 《通讯世界》 2025年第4期13-15,共3页
采用GaAs PIN二极管工艺设计了一款2 GHz~18 GHz宽带单刀四掷开关芯片。采用串并联开关电路结构拓宽电路工作频段,并利用LC宽带偏置电路网络对开关电路进行加电,开关芯片尺寸为2.8 mm×2.8 mm×0.07 mm。经测试,该开关芯片在2 G... 采用GaAs PIN二极管工艺设计了一款2 GHz~18 GHz宽带单刀四掷开关芯片。采用串并联开关电路结构拓宽电路工作频段,并利用LC宽带偏置电路网络对开关电路进行加电,开关芯片尺寸为2.8 mm×2.8 mm×0.07 mm。经测试,该开关芯片在2 GHz~18 GHz频带内,控制端施加-5 V/0 V电压组合时,其插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于32 dB,幅度一致性为-1~3 dB,相位一致性为±4°。 展开更多
关键词 GaAs PIN二极管 宽带 单刀四掷开关芯片 串并联 LC宽带偏置电路网络
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波长连续型功能树脂的计算机仿真研究
10
作者 牛聪 史海威 《合成树脂及塑料》 北大核心 2025年第1期51-54,86,共5页
基于计算机仿真的方法,研究了采用不同波长及用量荧光粉所制波长连续型功能树脂光色参数的变化规律。结果表明:波长为660 nm时,随着荧光粉含量的增加,光通量降低,显色指数先升后降,且在荧光粉质量分数6%时最大,为95.98;色温则由于光谱... 基于计算机仿真的方法,研究了采用不同波长及用量荧光粉所制波长连续型功能树脂光色参数的变化规律。结果表明:波长为660 nm时,随着荧光粉含量的增加,光通量降低,显色指数先升后降,且在荧光粉质量分数6%时最大,为95.98;色温则由于光谱中红光占比的增加而表现为降低趋势,从未掺杂荧光粉时的10587 K降至荧光粉质量分数10%时的2228 K;在荧光粉质量分数6%时,随着波长从620 nm增至660 nm,光通量降低,而显色指数则由于光谱拓宽效应表现为升高趋势,从80.81增至95.98;最优波长为660 nm,荧光粉质量分数为6%时,对应光通量为123lm,显色指数为95.98,色温为3320K。 展开更多
关键词 功能树脂 波长连续型 光通量 显色指数 色温
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双配体联合钝化CsPbBr_(3)量子点及其发光二极管性能
11
作者 王振 王艺 +3 位作者 谢霁帆 左佳灵 汤仙童 潘睿亨 《发光学报》 北大核心 2025年第12期2201-2209,共9页
CsPbBr_(3)量子点(QDs)因其高光致发光量子产率和窄带发射特性,在QLEDs领域展现出巨大潜力。CsPbBr_(3) QDs表面存在大量的Br空位(V_(Br))和未配位的Pb^(2+),会在能带中引入陷阱态,促进载流子非辐射复合并降低器件效率。本文采用DDAB与D... CsPbBr_(3)量子点(QDs)因其高光致发光量子产率和窄带发射特性,在QLEDs领域展现出巨大潜力。CsPbBr_(3) QDs表面存在大量的Br空位(V_(Br))和未配位的Pb^(2+),会在能带中引入陷阱态,促进载流子非辐射复合并降低器件效率。本文采用DDAB与DOTA联合钝化策略,通过协同作用有效填补表面V_(Br)以及与裸露的Pb^(2+)配位,减少表面缺陷并提高量子点的发光性能。通过TEM、XRD和FT-IR等测试分析,发现该钝化策略处理的量子点光致发光量子产率(PLQY)提升至99.65%,具有更好的耐热性以及成膜性。制备的QLEDs器件最高亮度达到8000 cd·m^(-2),峰值外量子效率(EQE)达到5.29%,是未钝化量子点QLEDs器件的1.48倍。 展开更多
关键词 钙钛矿 量子点 联合钝化 表面缺陷
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基于二极管断路开关的重频高压纳秒脉冲发生器
12
作者 袁琪 孙国祥 +2 位作者 丁卫东 薛浩睿 丁臻捷 《高电压技术》 北大核心 2025年第2期978-985,共8页
相比于电容储能型电路,电感储能型电路在高电压、快前沿、短脉宽、高重频脉冲参数输出以及小型化、紧凑化脉冲装置设计方面都展现了显著优势,是一项具有竞争力的低温等离子体驱动方案。但是受到了高频高功率断路开关器件难研制、泵浦电... 相比于电容储能型电路,电感储能型电路在高电压、快前沿、短脉宽、高重频脉冲参数输出以及小型化、紧凑化脉冲装置设计方面都展现了显著优势,是一项具有竞争力的低温等离子体驱动方案。但是受到了高频高功率断路开关器件难研制、泵浦电路难设计这2个条件的制约,电感储能型脉冲源在实际等离子应用中的报道仍然有限。为此采用团队研发的二极管断路开关(diode opening switch,DOS),设计了基于IGBT软开关技术和双脉冲变压器的DOS正反向泵浦电路,研制了输出电压幅值为36 kV、前沿为6 ns、脉冲宽度为8.2 ns,重复频率为3 kHz(75Ω负载)的高压纳秒脉冲源。利用该原理样机成功在大气中驱动了板-板电极等离子体放电。该拓扑结构给电感储能型电路的设计提供了可以参考的方向,对进一步发展低温等离子体驱动源具有借鉴意义。 展开更多
关键词 二极管断路开关 软开关 磁开关 泵浦电路 高压纳秒脉冲 低温等离子体
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手机杀菌消毒器设计及光强仿真研究
13
作者 张永平 杨柳 +1 位作者 张翔宇 段小丽 《机械管理开发》 2025年第10期97-100,共4页
手机已成为人们日常生活中不可或缺且使用频率非常高的一种产品,随着人们对个人健康卫生的日益重视,设计应用于公共场所的手机杀菌消毒器,将细菌病毒隔离于家庭或办公场所之外。采用UVC紫外线光杀菌消毒,设计灯管反射罩实现手机全方位36... 手机已成为人们日常生活中不可或缺且使用频率非常高的一种产品,随着人们对个人健康卫生的日益重视,设计应用于公共场所的手机杀菌消毒器,将细菌病毒隔离于家庭或办公场所之外。采用UVC紫外线光杀菌消毒,设计灯管反射罩实现手机全方位360°无死角消杀,应用Trace Pro软件对手机各个表面进行光强仿真,仿真结果表明光强满足设计要求。应用可编程控制器(PLC)实现手机杀菌消毒器的自动化运行。手机杀菌消毒后的样本检测符合《医疗机构消毒技术规范》(WS/T 367—2012),证明该设计方案有效可行。 展开更多
关键词 手机 杀菌消毒 UVC强度 仿真
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本征缺陷态影响下Ga_(2)O_(3)/Cu_(2)O二极管的电学与光电特性
14
作者 丁尔沙 尤琪 +1 位作者 朱俊 张克雄 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 2025年第3期317-324,共8页
缺陷对氧化物半导体电子及光电子器件的性能起到至关重要的作用。设计由宽禁带半导体n-Ga_(2)O_(3)/p-Cu_(2)O异质结构成的二极管,通过仿真研究器件中的本征缺陷态对其电学与光电特性的影响。随着缺陷浓度增加,空穴浓度不断上升,电子浓... 缺陷对氧化物半导体电子及光电子器件的性能起到至关重要的作用。设计由宽禁带半导体n-Ga_(2)O_(3)/p-Cu_(2)O异质结构成的二极管,通过仿真研究器件中的本征缺陷态对其电学与光电特性的影响。随着缺陷浓度增加,空穴浓度不断上升,电子浓度不断下降,导致正向导通电压与反向击穿电压不断升高。器件的最低正向导通电压为0.42V,最大反向击穿电压达到190V。若受紫外光照射,光生电流随缺陷浓度的增加先缓慢增加然后不断减小,光生电流密度超过10^(-3)A/cm^(2)。 展开更多
关键词 异质结 缺陷浓度 导通电压 击穿电压 光生电流
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关于《AlGaN基远紫外LED研究进展》的编者按
15
作者 闫建昌 《照明工程学报》 2025年第5期I0001-I0001,共1页
AlGaN基半导体紫外发光二极管(LED)具有无汞环保、工作电压低、开关迅速、波长精确可调、轻便灵活、易于集成等优势,在疫情防控、水净化、光固化、无创光疗、非视距通讯等领域有着广阔的应用,代表着新一代紫外光源的发展趋势。其中,260~... AlGaN基半导体紫外发光二极管(LED)具有无汞环保、工作电压低、开关迅速、波长精确可调、轻便灵活、易于集成等优势,在疫情防控、水净化、光固化、无创光疗、非视距通讯等领域有着广阔的应用,代表着新一代紫外光源的发展趋势。其中,260~280nm波段的深紫外LED因能强效破坏核酸碱基和超快速灭活,在抗击Covid-2019疫情中倍受关注。该波段紫外光会穿透人体皮肤等组织,对人类细胞有一定损害风险。 展开更多
关键词 水净化 AlGaN基半导体 光固化 疫情防控
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热塑性聚氨酯衬底表面改性及其在柔性OLED中的应用 被引量：1
16
作者 李欣奕 吴丽双 +3 位作者 杨惠山 张乐天 谢文法 刘士浩 《发光学报》 北大核心 2025年第5期896-904,共9页
柔性OLED的发展依赖高性能柔性衬底的支持。热塑性聚氨酯(TPU)是一种兼具柔韧性和高强度的高分子材料,因其软链段与硬链段交替排列的结构,展现出应用于柔性OLED衬底的潜力。然而,商用TPU表面常存在微观不平整,这对高精度柔性OLED的制造... 柔性OLED的发展依赖高性能柔性衬底的支持。热塑性聚氨酯(TPU)是一种兼具柔韧性和高强度的高分子材料,因其软链段与硬链段交替排列的结构,展现出应用于柔性OLED衬底的潜力。然而,商用TPU表面常存在微观不平整,这对高精度柔性OLED的制造会造成不利影响,可能导致光学和电性能下降。为解决这一问题,本研究通过溶液加工在TPU表面沉积聚(3,4-乙二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)涂层以改善表面质量。结果显示,PEDOT:PSS涂层将TPU表面粗糙度从7.05 nm显著降低至2.19 nm,提高了后续功能涂层(如发光层和电极层)的沉积均匀性。基于修饰后的TPU衬底,成功制备了顶发射和底发射柔性OLED,最高外量子效率分别达16.0%和15.2%,并表现出优异的柔性显示性能。本研究为TPU在柔性OLED及其他柔性电子器件中的应用提供了新思路和支持,具有重要前景。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 柔性衬底 热塑性聚氨酯 表面修饰
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碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望 被引量：2
17
作者 管崇尚 邢伟荣 +4 位作者 周睿 李震 姜梦佳 王丹 折伟林 《红外》 2025年第1期1-15,共15页
通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode,... 通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode,HDVIP)和吸收--倍增分离(Separated Absorption and Multiplication,SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点,对相关器件的持续发展进行了展望。目前SAM型器件是主流APD器件中暗电流抑制和高温工作性能最好的结构,能够实现高增益条件下的高灵敏度探测。这也为相关器件工艺的发展开辟了新方向。 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩 增益 噪声
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紫外发光二极管发展现状及展望 被引量：16
18
作者 闫建昌 孙莉莉 +1 位作者 王军喜 李晋闽 《照明工程学报》 2017年第1期I0002-I0004,共3页
紫外波段依据波长通常可以划分为：长波紫外或UVA（320〈λ≤400nm）、中波紫外或UVB（280〈λ≤320nm）、短波紫外或UVC（200〈λ≤280 nm）以及真空紫外VUV（10〈λ≤200nm）。紫外发光二极管（LED）因其在激发白光、生化探测、杀菌... 紫外波段依据波长通常可以划分为：长波紫外或UVA（320〈λ≤400nm）、中波紫外或UVB（280〈λ≤320nm）、短波紫外或UVC（200〈λ≤280 nm）以及真空紫外VUV（10〈λ≤200nm）。紫外发光二极管（LED）因其在激发白光、生化探测、杀菌消毒、净化环境、聚合物固化以及短距离安全通讯等诸多应用领域有着巨大的潜在应用价值而备受关注。此外,基于氮化铝镓（AIGaN）材料的紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代半导体材料技术发展的主要趋势,拥有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 紫外发光二极管 展望 材料技术 紫外波段 真空紫外 杀菌消毒 净化环境 安全通讯
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可调谐二极管激光吸收光谱技术参数选择及优化 被引量：8
19
作者 高楠 杜振辉 +3 位作者 唐邈 杨杰文 杨春梅 汪曣 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期3174-3178,共5页
可调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS)系统性能受调制参数,如调制度、调制频率、扫描幅度及扫描频率影响,实际测量中各参数不存在明确的选择依据。针对此问题,文章在一定的理论基础上通过实验分别观察各调制参数对二次谐波信号的影响,... 可调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS)系统性能受调制参数,如调制度、调制频率、扫描幅度及扫描频率影响,实际测量中各参数不存在明确的选择依据。针对此问题,文章在一定的理论基础上通过实验分别观察各调制参数对二次谐波信号的影响,通过分析检测信号的特征,如幅值、信噪比、对称性及峰宽得出其变化规律,总结出在不同系统功能和需求下系统各调制参数的优化依据及方法。系统在计算浓度和温度时应优先考虑幅值和信噪比,从而使调制度达到最佳值,调制频率和扫描频率取较小值;在线形推导压强时优先考虑信号的对称性和峰宽,根据计算的具体要求确定调制参数;扫描幅度的确定以得到完整谐波信号为准;再根据系统的速度和精度需求调整扫描频率。该研究为此类系统工作状态的确定提供了实验依据。 展开更多
关键词 可调谐二极管激光吸收光谱 调制参数 二次谐波信号 参数选择
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强流电子束无箔二极管结构设计与特性研究 被引量：6
20
作者 张永辉 常安碧 +2 位作者 江金生 陈洪斌 康强 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期437-440,共4页
主要叙述高功率二极管的理论模型和结构设计 ,采用基于引导磁场和相对论近似情况下的空间电荷限制流模型 ,对磁浸没无箔二极管产生的空心相对论电子束进行了动态数值模拟 ,研究了二极管几何结构及引导磁场对二极管束流特性的影响。
关键词 结构设计 无箔二极管 引导磁场 数值模拟 束流特性 理论模型 强流电子束二极管
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