期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到761篇文章
< 1 2 … 39 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
50ns时间分辨率瞬态热反射热成像测温装置 被引量：1
1
作者 翟玉卫 刘岩 +4 位作者 王强栋 银军 李灏 杜蕾 吴爱华 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期740-745,共6页
针对脉冲工作条件下微波功率器件瞬态结温测试需求,开发了具备50 ns时间分辨率的热反射热成像测温装置。基于LED光源,采用较短的双同轴屏蔽线缆连接光源与驱动电源,减小了线缆阻抗和外部电磁干扰的影响,实现了50 ns照明脉冲输出。提出... 针对脉冲工作条件下微波功率器件瞬态结温测试需求,开发了具备50 ns时间分辨率的热反射热成像测温装置。基于LED光源,采用较短的双同轴屏蔽线缆连接光源与驱动电源,减小了线缆阻抗和外部电磁干扰的影响,实现了50 ns照明脉冲输出。提出插入监控帧的脉冲窗函数控制时序及算法,抑制了光强漂移对测温结果的影响。选择一个与GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极材质相同的金属微带电阻作为被测件(DUT),对其施加1μs脉宽的电激励。采用瞬态热反射热成像测温装置测得其温度上升时间为1.0μs,且能明显区分50 ns时间间隔的温度变化。 展开更多
关键词 瞬态热反射热成像 时间分辨率 脉冲窗函数平均 金属微带电阻 光强漂移
原文传递
基于SOP芯片三维点云图像的引脚缺陷检测方法
2
作者 林冬梅 樊煜杰 +2 位作者 陈晓雷 杨富龙 李策 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第8期42-53,共12页
针对目前小外形封装(SOP)芯片引脚的三维缺陷检测任务,现有的点云深度学习方法难以有效检测常见的引脚缺陷。为解决这一问题,定义了一种有缺陷的芯片引脚点云(DCPP)图像,并创建了相应的DCPP数据集。同时提出了一种面向DCPP图像的DCPP-Po... 针对目前小外形封装(SOP)芯片引脚的三维缺陷检测任务,现有的点云深度学习方法难以有效检测常见的引脚缺陷。为解决这一问题,定义了一种有缺陷的芯片引脚点云(DCPP)图像,并创建了相应的DCPP数据集。同时提出了一种面向DCPP图像的DCPP-PointNet缺陷检测算法。该算法新增加的局部-空间特征提取(LSFE)网络,可有效提高模型的旋转鲁棒性,使得模型在面对旋转的芯片点云数据时仍能保持良好的检测性能;其次设计全新的倒残差多尺度卷积网络(iRMSC-Net)替换PointNet++中的特征编码器,通过加强对点云边缘局部信息的学习能力,从而实现对SOP芯片引脚常见缺陷的精确分类和定位;最后采用Focal损失函数解决了正负样本不平衡的问题,使得模型能够更加关注难以区分的缺陷样本,提高检测精度。在自建的DCPP数据集上进行的实验结果表明,DCPP-PointNet网络在总体准确率(OA)和平均交并比(mIoU)等评估指标上均优于现有的PointNet、PointNet++、DGCNN等经典点云分割模型,展现了高达98.9%的OA和93.7%的mIoU。消融实验进一步验证了DCPP-PointNet中各个改进模块的有效性,LSFE网络、iRMSC-Net特征编码器和Focal损失函数三者共同作用,对提高模型的检测精度和鲁棒性具有重要意义。 展开更多
关键词 小外形封装芯片引脚 三维缺陷检测 点云处理 DCPP-PointNet
原文传递
基于FPGA的功率器件封装缺陷实时检测
3
作者 谭会生 吴文志 张杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1048-1056,共9页
针对基于机器视觉的功率器件封装缺陷检测技术实时性差、计算资源消耗较高的问题,基于现场可编程门阵列(FPGA)设计了一种功率器件封装缺陷实时检测器。首先,提出一种基于深度可分离卷积(DSConv)的轻量化Mini-DSCNet卷积网络,使用深度卷... 针对基于机器视觉的功率器件封装缺陷检测技术实时性差、计算资源消耗较高的问题,基于现场可编程门阵列(FPGA)设计了一种功率器件封装缺陷实时检测器。首先,提出一种基于深度可分离卷积(DSConv)的轻量化Mini-DSCNet卷积网络,使用深度卷积和逐点卷积代替标准卷积。仿真结果表明,该模型的浮点运算量(FLOPs)和参数量(Params)分别约为MobileNetV1的4.375%和0.021%,准确率约为91.80%。其次,采用定点量化算法将浮点数权重量化为有符号定点数,测试结果表明,其平均误差约为0.483%。最后,采用多通道并行流水线架构优化设计,降低了系统的资源消耗,提高了系统的处理速度。实验结果显示,在100 MHz时钟频率下,该检测器的推理速度分别约为CPU的17.10倍、GPU的2.47倍,显著提升了功率器件封装缺陷检测的实时性。 展开更多
关键词 功率器件 封装缺陷检测 Mini-DSCNet卷积网络 现场可编程门阵列(FPGA) 硬件加速
原文传递
基于改进YOLOv5的石英坩埚气泡轻量化检测算法
4
作者 赵谦 郑轩 赵曼 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第10期125-128,共4页
针对现有的石英坩埚气泡检测准确度低和速度慢的问题,提出一种基于YOLOv5n的轻量化气泡检测算法。首先,在主干网络采用C3Ghost模块替换C3模块,然后使用GSConv替换颈部网络的Conv,同时使用VoVGSCSP模块替换颈部网络的C3。实验结果表明,... 针对现有的石英坩埚气泡检测准确度低和速度慢的问题,提出一种基于YOLOv5n的轻量化气泡检测算法。首先,在主干网络采用C3Ghost模块替换C3模块,然后使用GSConv替换颈部网络的Conv,同时使用VoVGSCSP模块替换颈部网络的C3。实验结果表明,在自建的石英坩埚透明层气泡数据集上,改进后算法mAP为98.55%,计算量为2.7 G,权重大小为2.54 MB,帧率为137 fps,后期方便部署到嵌入式设备。 展开更多
关键词 石英坩埚 气泡检测 YOLOv5 轻量化 图像处理
在线阅读 下载PDF
石英坩埚内壁缺陷检测平台搭建与算法研究
5
作者 赵谦 许东巍 +2 位作者 缪正丽 郑轩 赵曼 《太阳能学报》 北大核心 2025年第3期421-427,共7页
目前石英坩埚缺陷主要使用人工目检,仅靠人工无法完成准确的分类以及全量计数。该文通过使用六自由度机械臂、旋转台搭建一套石英坩埚缺陷检测平台,结合背光源、高速相机等设备获取高清晰度的坩埚缺陷图像。同时提出改进的YOLOv5s坩埚... 目前石英坩埚缺陷主要使用人工目检,仅靠人工无法完成准确的分类以及全量计数。该文通过使用六自由度机械臂、旋转台搭建一套石英坩埚缺陷检测平台,结合背光源、高速相机等设备获取高清晰度的坩埚缺陷图像。同时提出改进的YOLOv5s坩埚缺陷检测算法,可识别杂质黑点、气泡、白斑等多种类型缺陷。具体而言,该算法首先应用K-均值聚类技术自适应生成最适合坩埚缺陷数据集的锚框;随后增加针对微小缺陷的检测层,以提高对小目标的识别能力;最后引入全维动态卷积(ODConv)和高效通道注意力机制(ECA),优化模型对关键目标区域的关注度,同时保持较低的计算开销。实验结果表明,在自建的石英坩埚缺陷数据集中,提出的改进算法mAPa0.5为98.88%,检测速度达到138帧/s,可达到工业检测要求。 展开更多
关键词 单晶硅 坩埚 缺陷 深度学习 YOLOv5s 小目标检测
原文传递
微波功率放大器的负载牵引测试技术研究
6
作者 童亮 李伟 王鑫 《环境技术》 2025年第6期47-53,共7页
负载牵引测试系统在射频功率放大器的最优参数测试和抗失配可靠性试验中得到广泛应用,对优化功率放大器的设计具有重要作用。本文介绍了当前基于矢量接收机的负载牵引技术,并详细介绍了双端面校准、去嵌入和三次谐波测试等关键技术。矢... 负载牵引测试系统在射频功率放大器的最优参数测试和抗失配可靠性试验中得到广泛应用,对优化功率放大器的设计具有重要作用。本文介绍了当前基于矢量接收机的负载牵引技术,并详细介绍了双端面校准、去嵌入和三次谐波测试等关键技术。矢量接收机的高效应用不仅显著提升了测量效率和准确度,还能够方便地实现输出功率、效率等关键参数的优化以及谐波测试,为功率放大器的性能评估和设计改进提供了有力支持。 展开更多
关键词 半导体 阻抗匹配 负载牵引 氮化镓 微波测试
在线阅读 下载PDF
芯片剪切强度试验标准分析
7
作者 王海丽 冯巍巍 黄东巍 《信息技术与标准化》 2025年第8期49-57,共9页
芯片剪切强度试验作为半导体分立器件和微电子器件破坏性物理分析试验的一部分,其应用非常广泛,由于各版本同时应用,不同版本间失效判据和分离模式记录方式差异较大。为了更好地理解和使用芯片剪切强度试验方法,针对国内外关于芯片剪切... 芯片剪切强度试验作为半导体分立器件和微电子器件破坏性物理分析试验的一部分,其应用非常广泛,由于各版本同时应用,不同版本间失效判据和分离模式记录方式差异较大。为了更好地理解和使用芯片剪切强度试验方法,针对国内外关于芯片剪切强度试验方法进行研究和分析,探讨各版本间的差异及其变更原因,并给出不同版本间芯片分离模式及记录方式的对比,有助于实际操作人员对标准方法的理解和应用,避免造成产品误判。 展开更多
关键词 芯片剪切强度 失效判据 分离模式 记录方式
在线阅读 下载PDF
基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术 被引量：1
8
作者 万荣桂 郑理 +3 位作者 王丁 周学通 沈玲燕 程新红 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期181-186,共6页
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损... 屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损坏器件的前提下,将烧毁点定位在元胞区域的漂移区。采用开盖检测方式验证了烧毁点位置的准确性,并且通过扫描电子显微镜(SEM)表征烧毁点的微观形貌。最后,通过仿真软件模拟芯片表面的三维图形,并利用TCAD仿真揭示了UIS的失效机理,即电流集中所产生的高温致使漂移区的硅融化。失效机理与实验结果相吻合。 展开更多
关键词 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET 雪崩失效 同步辐射 无损检测 截面拓扑
原文传递
纳米级金属薄膜厚度电涡流检测方法研究
9
作者 李弘恺 韩子栋 +2 位作者 王金龙 陈明尚 张彤 《中国表面工程》 北大核心 2025年第5期133-146,共14页
集成电路(Integrated circuit,IC)制造的快速发展对化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)工艺的精度要求愈加严格。面向金属CMP工艺,实现精确在线终点检测是保障材料去除量可控及可靠工艺质量的技术基础。与基于摩擦或光学... 集成电路(Integrated circuit,IC)制造的快速发展对化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)工艺的精度要求愈加严格。面向金属CMP工艺,实现精确在线终点检测是保障材料去除量可控及可靠工艺质量的技术基础。与基于摩擦或光学等其他常规在线终点检测方法相比,电涡流检测方法具备灵敏度高、响应速度快且抗干扰能力强等优势,是目前有效解决铜CMP工艺过程中晶圆表层铜膜厚度在线检测问题的最优方案。针对纳米级金属薄膜厚度检测问题,通过建立电涡流传感器在电磁场与电路耦合作用下的仿真模型,揭示了检测线圈和检测电路信号转换模块的基础参数对检测性能的作用规律,并开展电涡流传感器研制工作,提出了器件优化设计方法。在此基础上,进一步揭示了提离距离波动和环境温度变化等对于检测线圈的影响规律,并分别建立测量误差量化评估模型与特征分量解耦计算方法。最后,通过搭建纳米级金属薄膜厚度电涡流检测系统,开展相关检测性能试验。根据试验结果,自研电涡流检测系统对于铜薄膜厚度可在1.5μm大量程下实现纳米级精度测量。相关研究工作将助力高质量磨抛工艺中高精度在线检测技术的发展。 展开更多
关键词 化学机械抛光 金属薄膜 电涡流 纳米级精度 厚度检测 传感器
在线阅读 下载PDF
横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制 被引量：1
10
作者 袁文迁 季一润 +4 位作者 杨敏祥 槐青 袁茜 郝震 刘铁城 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期514-522,共9页
传统的纵向结构压接IGBT(PPI)测试平台的叠层母排区域互感较强,但PPI与回流母排的互感较弱,同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题,研制了一种新型横向结构测试平台,通过改变IGBT周边区域电流分布,增强互... 传统的纵向结构压接IGBT(PPI)测试平台的叠层母排区域互感较强,但PPI与回流母排的互感较弱,同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题,研制了一种新型横向结构测试平台,通过改变IGBT周边区域电流分布,增强互感,使该区域寄生电感降低了36.9%,有效降低了回路总寄生电感。且通过将被测IGBT和陪测续流二极管(FWD)并排布置,可以在不同的机械压力和温度条件下对被测IGBT和FWD开展特性分析。该平台测试了125℃以内4.5 kV PPI的动态特性,通过实测数据分析,该平台的寄生电感约为110 nH,表明测试平台具有良好的电气特性,实现了电气结构与机械压力结构的良好兼顾。 展开更多
关键词 压接IGBT(PPI) 动态测试平台 横向结构 寄生电感 互感
原文传递
基于大电流饱和压降法的结温在线监测电路研究进展 被引量：1
11
作者 陈丰野 邓二平 +2 位作者 吴立信 郭祥彬 丁立健 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期201-213,共13页
结温在线监测对功率器件的高可靠性运行至关重要。在众多测量方法中,大电流饱和压降法是目前应用最广泛的在线结温测量方法。以理论推导为基础,阐述了大电流饱和压降法的结温计算原理,并总结了现有温度校准方法及数学模型的构建过程。接... 结温在线监测对功率器件的高可靠性运行至关重要。在众多测量方法中,大电流饱和压降法是目前应用最广泛的在线结温测量方法。以理论推导为基础,阐述了大电流饱和压降法的结温计算原理,并总结了现有温度校准方法及数学模型的构建过程。接着,讨论了实际测试中饱和压降提取所面临的挑战,详细介绍了三种不同类型的饱和压降提取电路,并对各电路进行了比较和评价。最后,基于以上讨论,对未来利用大电流饱和压降法进行结温在线监测的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 结温监测 IGBT模块 导通压降监测 温度校准 高压隔离
原文传递
基于瞬态漏源电流变化的SiC MOSFET陷阱表征
12
作者 高博文 杜颖晨 张亚民 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期459-467,共9页
SiC MOSFET栅极氧化物附近存在的陷阱缺陷造成其在高温高压场景下出现许多可靠性问题。提出了完整的基于瞬态电流法的陷阱表征方案,结合贝叶斯迭代反卷积算法实现对陷阱位置、时间常数和激活能的表征。基于自建陷阱测试平台在栅极和漏... SiC MOSFET栅极氧化物附近存在的陷阱缺陷造成其在高温高压场景下出现许多可靠性问题。提出了完整的基于瞬态电流法的陷阱表征方案,结合贝叶斯迭代反卷积算法实现对陷阱位置、时间常数和激活能的表征。基于自建陷阱测试平台在栅极和漏极施加不同组合的电学偏置,表征了微秒量级的两个陷阱,其时间常数分别为2×10^(-5)s和2.5×10^(-4)s,并观察到SiC MOSFET中存在同时受栅源电压和漏源电压影响的陷阱,这种现象在沟槽型器件中尤其显著,根据此特性可以分析陷阱的位置。本研究丰富了陷阱表征的信息,为陷阱的定位和表征提供了新的思路。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 陷阱表征 瞬态电流法 时间常数谱 贝叶斯迭代反卷积
原文传递
SS-Y型伸缩仪传感器噪声测试方法研究
13
作者 关伟智 《电子制作》 2025年第10期106-108,共3页
SS-Y型伸缩仪采用非接触差动变压器式LVDT位移传感器的测量方式,具有很高的测量精度,较低的传感器噪声水平是观测质量的基本保障。本研究采用较为简便的测量方法,制作专用传感器测量夹具,在实验室内进行传感器的噪声测试,避免在观测山... SS-Y型伸缩仪采用非接触差动变压器式LVDT位移传感器的测量方式,具有很高的测量精度,较低的传感器噪声水平是观测质量的基本保障。本研究采用较为简便的测量方法,制作专用传感器测量夹具,在实验室内进行传感器的噪声测试,避免在观测山洞内测试的麻烦,同时大大缩短测量周期,为快速判断SS-Y型伸缩仪传感器质量优劣提供一种处理方法。 展开更多
关键词 SS-Y型伸缩仪 LVDT位移传感器 噪声测试
在线阅读 下载PDF
混合键合剪切强度的影响因素
14
作者 贺京峰 张京辉 《电子工艺技术》 2025年第1期22-26,共5页
对混合键合产品中可靠性评价之一的剪切强度影响因素进行了阐述,重点从混合键合界面材料和键合工艺条件两个方面介绍了材料与工艺因素对混合键合产品剪切强度的影响,并对国内外研究中混合键合界面材料的铜晶粒结构、介电层种类和混合键... 对混合键合产品中可靠性评价之一的剪切强度影响因素进行了阐述,重点从混合键合界面材料和键合工艺条件两个方面介绍了材料与工艺因素对混合键合产品剪切强度的影响,并对国内外研究中混合键合界面材料的铜晶粒结构、介电层种类和混合键合工艺条件的界面活化、界面钝化层保护、退火处理对混合键合强度的影响进行了评述,总结了近年来混合键合界面材料与键合工艺对键合剪切强度的影响研究进展。最后,对特定晶粒取向的铜与聚合物介电层在混合键合工艺中表现出的剪切强度优势进行了分析总结,并对混合键合未来发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 混合键合 剪切强度 界面材料 界面活化 热处理
在线阅读 下载PDF
某MEMS垂直探针在针测行程作用下的屈曲力学行为研究 被引量：1
15
作者 秦林肖 《电子与封装》 2025年第6期17-23,共7页
探针卡作为一种测试接口,是连接芯片和测试机的媒介,而其中晶圆测试中所用的探针是测试机与晶圆上被测芯片之间进行通信的重要功能部件。基于某规格MEMS垂直探针,采用有限元分析软件,对比分析5根与所配合装配的探针卡上下盖板的初始接... 探针卡作为一种测试接口,是连接芯片和测试机的媒介,而其中晶圆测试中所用的探针是测试机与晶圆上被测芯片之间进行通信的重要功能部件。基于某规格MEMS垂直探针,采用有限元分析软件,对比分析5根与所配合装配的探针卡上下盖板的初始接触状态不同的探针在同样的针测行程作用下各自的关键力学性能。基于屈曲理论,采用拟合方法推导探针平衡接触力与所加载针测行程间的函数关系式。 展开更多
关键词 探针卡 MEMS垂直探针 有限元分析 针测行程 平衡接触力
在线阅读 下载PDF
基于最小二乘法的非线性系数校正算法设计及分析
16
作者 宗俊吉 李洪亮 +3 位作者 艾博 林佳 于芳 孟宜纯 《电子工业专用设备》 2025年第4期33-36,77,共5页
高端精密仪器制造装备主要使用高精度高度检测传感器实现纳米级的垂向测量。而高度检测传感器光斑信号的非线性直接影响其测量精度。为解决这一问题,提出了一种非线性系数校正算法。使用最小二乘法,拟合光斑信号与被测面高度的五阶非线... 高端精密仪器制造装备主要使用高精度高度检测传感器实现纳米级的垂向测量。而高度检测传感器光斑信号的非线性直接影响其测量精度。为解决这一问题,提出了一种非线性系数校正算法。使用最小二乘法,拟合光斑信号与被测面高度的五阶非线性校正函数,建立起二者间的线性高度关系。基于光学三角法测量原理搭建测量装置采集数据,对校正前后数据进行对比及不确定度分析,实验结果表明,该算法可将非线性光斑数据准确转换为线性关联高度结果,并在测量线性区间内包含更多高度信息,更有效地提高了垂向测量系统的测量可靠性。 展开更多
关键词 垂向测量 高度检测传感器 最小二乘法 测试分析
在线阅读 下载PDF
洁净厌氧烘箱的锁紧机构改造及温度均匀度优化
17
作者 苏杭 陈磊 +2 位作者 熊伟尉 白杨 施国政 《电子工业专用设备》 2025年第1期37-40,共4页
介绍了洁净厌氧烘箱的运行原理,以及腔体温度分布的测量方法,并应用该方法对烘箱进行热分布实验测试。对影响腔体温度分布的因素展开研究,并通过对设备锁紧机构的升级改造,改善烘箱腔门密封性,实现了对腔体温度均匀度、上下偏差值等关... 介绍了洁净厌氧烘箱的运行原理,以及腔体温度分布的测量方法,并应用该方法对烘箱进行热分布实验测试。对影响腔体温度分布的因素展开研究,并通过对设备锁紧机构的升级改造,改善烘箱腔门密封性,实现了对腔体温度均匀度、上下偏差值等关键工艺参数的优化,提升了设备的工艺能力及产能。 展开更多
关键词 设备改造 温度均匀度 热分布实验 烘箱
在线阅读 下载PDF
InGaAs焦平面探测器可见光波长拓展技术
18
作者 张圆圆 张夏琦 +4 位作者 任江 陈扬 张金龙 姚彬彬 刘琨 《电子工业专用设备》 2025年第5期46-48,58,共4页
研究了“减薄/腐蚀”厚度比例分配、腐蚀液优化、读出电路金属PAD保护、减反膜设计制备等技术,获得表面光亮、最终厚度3~6μm、对0.4~1.7μm光谱范围内可见光和短波红外光同时响应的焦平面探测器。器件性能测试结果表明,可实现0.4~1.7μ... 研究了“减薄/腐蚀”厚度比例分配、腐蚀液优化、读出电路金属PAD保护、减反膜设计制备等技术,获得表面光亮、最终厚度3~6μm、对0.4~1.7μm光谱范围内可见光和短波红外光同时响应的焦平面探测器。器件性能测试结果表明,可实现0.4~1.7μm波长的响应。 展开更多
关键词 InGaAs焦平面 衬底移除 可见光波长
在线阅读 下载PDF
晶圆高度形貌测量中测量误差研究
19
作者 孙生生 陈梦婷 +3 位作者 吴登科 宗俊吉 张梦硕 艾博 《电子工业专用设备》 2025年第6期46-52,共7页
为避免晶圆高度形貌测量过程中对晶圆的损坏,通常采用非接触的方式对其进行测量,最常用的测量方式为光学测量,当晶圆表面有结构时,会存在测量误差。针对晶圆测量中存在的测量偏差问题,基于多光束干涉、传输矩阵理论,建立工艺相关性测量... 为避免晶圆高度形貌测量过程中对晶圆的损坏,通常采用非接触的方式对其进行测量,最常用的测量方式为光学测量,当晶圆表面有结构时,会存在测量误差。针对晶圆测量中存在的测量偏差问题,基于多光束干涉、传输矩阵理论,建立工艺相关性测量偏差理论模型。通过该模型仿真分析得到了工艺相关性测量偏差随工艺结构变化的规律;制备工艺层厚度为50~800 nm的工艺样品,使用自制光学系统对样品高度形貌进行测量,得到其测量偏差;实验结果表明,高度形貌测量偏差随膜厚变化曲线与仿真结果一致,二者差异的统计均方根为10 nm,为晶圆高度形貌测量误差分析提供可行的新途径。 展开更多
关键词 高度形貌 工艺结构 测量偏差
在线阅读 下载PDF
基于TDIM的高精度功率SMD结壳热阻测量技术
20
作者 吴玉强 郑花 +3 位作者 马凤丽 侯杰 许为新 郭美洋 《半导体技术》 北大核心 2025年第12期1237-1243,共7页
为解决传统热阻测量中功率表面贴装器件(SMD)散热基板与电学引出端共面导致短路及热电偶法测量误差问题,提出一种基于瞬态双界面法(TDIM)的高精度结壳热阻(R_(θJC))测量技术。通过设计含铜板凸台结构与绝缘定位板的专用夹具,有效避免... 为解决传统热阻测量中功率表面贴装器件(SMD)散热基板与电学引出端共面导致短路及热电偶法测量误差问题,提出一种基于瞬态双界面法(TDIM)的高精度结壳热阻(R_(θJC))测量技术。通过设计含铜板凸台结构与绝缘定位板的专用夹具,有效避免了电气短路;结合TDIM替代热电偶法,消除了热量“芯吸”效应与测温位置误差。以TO-277封装肖特基二极管为实验对象,测得其R_(θJC)为0.302 K/W,与器件手册典型值(0.30 K/W)误差仅0.67%。通过在相同结温(423.15 K)下实施两次热表征,显著抑制了温度依赖性误差。本技术为功率SMD的热管理设计提供了可靠的测量方案,具备工程推广价值。 展开更多
关键词 瞬态双界面法(TDIM) 表面贴装器件(SMD) 结壳热阻 专用夹具 热表征 热管理 一维热流路径
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 39 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部